Симметричный тиристор с однополярным управлением
Qоеоок э
-;сиаа
2380I7
-"ГГ И А Н И Е
ЗОБРЕТЕНИЯ имое от авт. свидетельства №
Кл. 21g, 11i02 лено 24.XI I.1963 (№ 883156126-25) ьсоединением заявки ¹ 909317,26-25
МПК Н 011
УДК 621.314.632.4 (088.8) ритет чиковано 20.II.1969. Бюллетень ¹ 9 опубликования описания 15Л П.1969
Авторы изобретения
А. Н. Думаиевич и 1О. А. Евсеев
Заявитель Мордовский научно-исследовательский электротехнический институт
СИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР С ОДНОПОЛЯРНЫМ
УПРАВЛ ЕН И ЕМ
Известные тиристоры обладают только прямой управляемой вольт-амперной характеристикой. Для многих электрических схем необходимо иметь тиристоры с симметричной вольт-амперной характеристикой. 5
Предлагаемый тиристор обладает симметричной относительно начала координат вольтамперной характеристикой, а управление прямой и обратной ветвью осуществляется импульсами тока одной полярности, протекающими между управляющим и верхним силовыми электродами. С целью более рационального использования площади вентильного элемента, в каждом направлении шунтировка крайних эмиттерных переходов (выведение к верхнему и нижнему контактам областей р-типа) вы полнена так, что проекции шунтов на верхнюю или нижнюю плоскость основания пластичны не пересекаются, а имеют общую линию, на продолжении которой расположен центр управляющего электрода. Проекция управляющего электрода на нижнюю плоскость основания пластины попадает в область со смежным типом проводимости и делится границей данной области пополам. Для получения эффекта управления-спрямления обратной вольт-амперной характеристики вокруг управляющего электрода создается небольшая ооласть противоположной проводимости, IlpHчем проекция данной области на нижнюю ЗО плоскость основания пластины попадает в область с тем же типом проводимости.
Основу тиристора составляет монокристаллическая пластина электронного типа проводимости с удельным сопротивлением порядка
-10 ол сл и диффузионной длиной 0,3 лл, в которой методом последовательной диффузии создана структура, сечение которой изображено иа фиг. 1; на фиг. 2 и 3 — то же, соответственно вид сверху и вид снизу; на фиг. 4— вольт-амперная характеристика тиристора.
На фиг. 1 обозначены: 1 — слой исходного кремния с электронным типом проводимости;
2, 8 — слои кремния с дырочной проводимостью, полученные методом диффузии и образующие на глубине 70 — 80 л к р — и-переходы 4, 5; 6, 7, 8 — слои с электронным типом проводимости, полученные методом диффузии и образующие на глубине 10 — 12 л.к р — и-nepexogu 9, 10, 11; 12, 18 — слои никеля; 14— управляющий электрод; 15 — силовой электрод. Как видно из фиг. 1, 2, 3, при любой полярности на пряжения, приложенного к электродам 14, 15, в каждом направлении работает только половина монокристаллической структуры.
Тиристор предложенной конструкции может быть применен в статических преобразователях электроэнергии, а именно в выпрямительных установках с бесконтактным регулирова2ЗМ17
Риг 2
Редактор Л. М. Струве
Техред T. П. Курилко
Корректор О. И. Попова нием и реверсированпем выпрямленного тока, в регулируемом электроприводе, в качестве включателей и фазовых регуляторов пременного тока, в обратных преобразователях постоянного тока в переменный и т. д.
Предмет изобретения
Симметричный тпристор с однополярным управлением, выполненный на основе многослойной структуры, например, типа n — р— и — р — и с зашунтированными эмиттерными переходами, от гипающийся тем, что, с целью управления напряжением переключения прибора в любом напра влении током одной полярности, шунты выполнены так, что их проекции на одну из плоскостей основания пла5 стины не пересекаются, а имеют общую линию, на продолжении которой расположен центр управляющего электрода, вокруг управляющего электрода создана область противопо".0>êíîãо типа проводимости, проекция ко10 торой на нижнюю плоскость основания пластины попадает в область с тем же типом npovодимостп, а нижняя плоскость основания пластины разделена поровну между областям:.(электронной и дырочной проводимости. — 7Б
А-А
15 9
Заказ 1460(18 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Сонете Министров .СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2
