Способ полировки кристаллов хлорида серебра

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике. Способ состоит в абразивной полировке кристаллов AgCl с водным раствором тиосульфата натрия, завершающейся промывкой обрабатываемого изделия в 30-40% растворе 2-метил-2-аминопропана (СН3)3CNH3 в этаноле C2H5OH, и последующей сухой финишной полировке. Способ обеспечивает высокоточную полировку изделий из кристаллов хлорида серебра и высокое качество полированных поверхностей.

 

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике.

Хлорид серебра AgCl широко применяется для изготовления оптики инфракрасного диапазона. При изготовлении изделий из кристаллов AgCl основной проблемой является их механическая обработка. Хлорид серебра - очень мягкий и пластичный материал, из-за чего невозможна его механическая полировка с абразивами, являющаяся основным методом изготовления различных оптических элементов из других материалов.

Известен способ химико-механической полировки кристаллов AgCl [P.Glesecke, N.В.Colthup. Method of polishing silver chloride. Патент США №2528224 - прототип], включающий абразивную полировку с водным раствором тиосульфата натрия и последующую сухую финишную полировку.

Водный раствор тиосульфата натрия Na2S2О3 хорошо растворяет хлорид серебра и таким образом первая стадия процесса является химико-механической полировкой.

Основной недостаток способа-прототипа состоит в том, что при перемещении изделия на сухой полировальник для финишной полировки не прекращается реакция тиосульфата натрия с хлоридом серебра, т.к. после первой стадии процесса на поверхности изделия остается нарушенный слой, впитавший водный раствор Na2S2O3. В результате продолжает происходить неконтролируемое изменение геометрических характеристик (толщины, плоскостности поверхности) изделия, что делает невозможной высокоточную полировку. Кроме того, в результате реакции, описываемой уравнением

AgCl+2Na2S2O3=Na3[Ag(S2O3)2]+NaCl (1)

на поверхности изделия и в объеме нарушенного слоя образуются микрокристаллы хлорида натрия NaCl. Твердость хлорида натрия примерно в два раза выше, чем у хлорида серебра (твердости NaCl и AgCl, измеренные методом Кнуппа, соответственно равны 18,8 и 9,5 кгс/мм2 [А.А.Блистанов, В.С.Бондаренко, Н.В.Переломова и др., Акустические кристаллы. Справочник. М., «Наука», 1982, стр.54, 118]). Поэтому при сухой финишной полировке на поверхности изделия из хлорида серебра остаются царапины.

Промывка изделия после первой стадии полировки водой и другими растворителями тиосульфата натрия не прекращает реакции, описываемой уравнением (1), так как реакция идет не на поверхности, а в объеме нарушенного слоя.

Задачей предлагаемого способа является обеспечение высокоточной полировки изделий из кристаллов хлорида серебра и обеспечение высокого качества полированных поверхностей.

Эта задача решается в предлагаемом способе полировки кристаллов хлорида серебра, включающем абразивную полировку с водным раствором тиосульфата натрия и последующую сухую финишную полировку, за счет того, что абразивная полировка с водным раствором тиосульфата натрия завершается промывкой обрабатываемого изделия в 30-40% растворе 2-метил-2-аминопропана (СН3)3CNH2 в этаноле С2Н5OH.

2-метил-2-аминопропан является эффективным ингибитором реакции тиосульфата натрия с хлоридом серебра и легко проникает в нарушенный слой на поверхности обрабатываемого изделия. Поэтому реакция, описываемая уравнением (1), прекращается практически мгновенно. В результате не происходит самопроизвольного изменение геометрических размеров изделия. Одновременно предотвращается образование микрокристаллов NaCl.

Предлагаемый способ позволяет полировать плоские поверхности изделий из кристаллов AgCl, обеспечивая допуски по толщине изделия до ±0,005 мм, а по отклонению от плоскостности - до 0,25 интерференционного кольца. При этом класс чистоты полированных поверхностей (по ГОСТ 11141-76) соответствует PIII. Достижение таких параметров было невозможно при использовании способа-прототипа.

Концентрация 2-метил-2-аминопропана в этаноле была выбрана экспериментально. При содержании (СН3)3CNH2 менее 30% реакция хлорида серебра с тиосульфатом натрия замедляется, но не прекращается полностью. Увеличение содержания 2-метил-2-аминопропана в этаноле до уровня более 40% не дает дальнейшего положительного эффекта.

Пример 1

Заготовка из кристалла хлорида серебра в форме диска полируется на бархате с алмазным порошком АСМ 1/0 (ГОСТ 9206-80) и 20% водным раствором тиосульфата натрия. Сразу по окончании этой стадии процесса обрабатываемое изделие промывается в 30% растворе 2-метил-2-аминопропана в этаноле и подвергается сухой финишной полировке на шелке с алмазным порошком АСМ 0,5/0 (ГОСТ 9206-80). Изготовлено лазерное окно из AgCl.

Пример 2

Заготовка из кристалла хлорида серебра в форме диска полируется на бархате с алмазным порошком АСМ 1/0 (ГОСТ 9206-80) и 5% водным раствором тиосульфата натрия. Сразу по окончании этой стадии процесса обрабатываемое изделие промывается в 40% растворе 2-метил-2-аминопропана в этаноле и подвергается сухой финишной полировке на шелке с алмазным порошком АСМ 0,5/0 (ГОСТ 9206-80). Изготовлено лазерное окно из AgCl.

Способ полировки кристаллов хлорида серебра, включающий абразивную полировку с водным раствором тиосульфата натрия и последующую сухую финишную полировку, отличающийся тем, что абразивная полировка с водным раствором тиосульфата натрия завершается промывкой обрабатываемого изделия в 30-40%-ном растворе 2-метил-2-аминопропана (CH3)3CNH2 в этаноле С2Н3ОН.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к электронной промышленности. .

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука.

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров. .

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем.

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.).

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов. .

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов.

Изобретение относится к технологии линз оптических систем современных оптических и оптоэлектронных приборов, работающих в видимой и ИК-областей спектров, и может быть использовано при получении линз из лейкосапфира, в частности, в сходящемся пучке лучей.

Изобретение относится к физике тонких пленок, а точнее к жидким пленкам, поверхностное натяжение которых чувствительно к их составу и к составу окружающей атмосферы.
Изобретение относится к оптическим материалам, конкретно к монокристаллам для видимого и инфракрасного (ИК) диапазона спектра, которые применяются для получения ИК-световодов, используемых в лазерной технике, ИК-волоконной и нелинейной оптике, низкотемпературной ИК-пирометрии, ИК-спектроскопии.

Изобретение относится к оптическим устройствам с изменяемыми оптическими параметрами и может быть использовано в производстве миниатюрных объективов с переменным фокусным расстоянием.

Изобретение относится к оптическим устройствам с изменяемыми оптическими параметрами и может быть использовано в производстве миниатюрных объективов с переменным фокусным расстоянием.

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям, изменяющим показатель преломления, позволяющим получить новую модель распределения показателя преломления, в частности оптический материал, используемый в области оптоэлектроники и устройствах отображения информации.

Изобретение относится к технологии изготовления пластиковых линз, которые могут быть использованы в офтальмологии и в оптическом приборостроении. .
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике.
Наверх