Способ фокусировки синхротронного излучения

Использование: для фокусировки синхротронного излучения. Сущность: заключается в том, что осуществляют последовательное брэгговское отражение пучка СИ от кристаллического монохроматора и полное внешнее отражение (ПВО) от фокусирующего зеркала с постоянными радиусом цилиндрической поверхности R и расстоянием между зеркалом и фокусом q при установке монохроматора под брэгговским углом θм к пучку, зеркала - под углом α, не превышающим критический угол ПВО зеркала, при этом угол наклона α зеркала к пучку и брэгговский угол монохроматора θм устанавливают согласно формулам:

α=2q/R[1+q(P0/b+10)-1],

tgθм=qtgθ0(p0/b+10)-1,

где р0 - расстояние между источником излучения и монохроматором, l0 - расстояние между монохроматором и зеркалом, b - фактор асимметрии монохроматора, θ0 - брэгговский угол, соответствующий выбранному рефлексу исследуемого образца. Технический результат: обеспечение возможности управления дисперсией сфокусированного рентгеновского пучка (синхротронного излучения) и, как следствие, обеспечение бездисперсионной дифракции рентгеновских лучей (синхротронного излучения) на образце. 2 ил.

 

Изобретение относится к области рентгенодифракционных и рентгенотопографических неразрушающих методов исследования структуры и контроля качества материалов и предназначено для фокусировки рентгеновских лучей (РЛ), в частности пучка синхротронного излучения (СИ), с помощью кристаллического монохроматора (монохроматоров) и фокусирующего зеркала полного внешнего отражения (ПВО) РЛ.

Одним из важнейших параметров рентгеновского пучка является его дисперсия D. Дисперсия отражает спектральное распределение по углу в пучке, сформированном рентгенооптической системой: D=(δθ/δλ)λ, где θ - брэгговский угол, λ - длина волны излучения.

Если система состоит из одно- или двухкристального бездисперсионного монохроматора (n, -n), дисперсия пучка определяется брэгговским углом монохроматора θм: Dм=tgθм.

Высокоточные рентгенодифракционные методы, такие как двухкристальная дифрактометрия, плосковолновая топография, метод стоячих рентгеновских волн, требуют использования бездисперсионной дифракции, при которой дисперсия падающего на исследуемый кристаллический образец равна приемной дисперсии последнего, т.е. когда D0=tgθ0 0 - угол Брэгга образца, D0 - его приемная дисперсия). Поэтому для экспериментального осуществления большинства рентгенодифракционных методов возникает необходимость «подгонки» дисперсии пучка под приемную дисперсию образца, иными словами - управления дисперсией пучка.

Недостатком прототипа является отсутствие методики управления дисперсией пучка.

Задачей изобретения является создание способа фокусировки РЛ, позволяющего управлять дисперсией сфокусированного рентгеновского пучка и, таким образом, обеспечение бездисперсионной дифракции РЛ на образце.

В качестве прототипа выбран способ фокусировки СИ, используемый на экспериментальной станции СИ «Белок», работающей в КЦСИиНТ (Арутюнян Э.Л., Хейкер Д.М., Ковальчук М.В., Шилин Ю.Н. и др.). /Поверхность. 1999. №12. С.88). Пучок СИ после последовательного отражения от двух кристаллов-монохроматоров, находящихся в бездисперсионной схеме дифракции, направляется на фокусирующее цилиндрическое зеркало. Способ позволяет сфокусировать рентгеновский пучок в нужном месте изучаемого образца, что дает возможность улучшить локальность и точность исследований, а также изучать объекты малых размеров. При этом фокусное расстояние q связано с величиной радиуса R такого зеркала и расстоянием р от источника излучения до зеркала выражением:

где α - угол между зеркалом и пучком, причем этот угол не может быть больше критического угла ПВО РЛ зеркала.

Поставленная задача решается тем, что для фокусировки пучка СИ, включающей последовательное брэгговское отражение пучка СИ от кристаллического монохроматора и полное внешнее отражение от фокусирующего зеркала с постоянными радиусом цилиндрической поверхности R и расстоянием между зеркалом и фокусом q, установку монохроматора под брэгговским углом θм к пучку, зеркала - под углом α, не превышающим критический угол ПВО зеркала, устанавливают угол наклона α зеркала к пучку и брэгговский угол монохроматора согласно формулам:

α=2q/R[1+q(р0/b+l0)-1],

tgθм=qtgθ00/b+l0)-1,

где р0 - расстояние между источником излучения и монохроматором, l0 - расстояние между монохроматором и зеркалом, b - фактор асимметрии монохроматора.

Суть изобретения поясняется рентгенооптической схемой фокусировки пучка СИ (Фиг.1), а также графиками зависимости межплоскостного расстояния, соответствующего выбранному рефлексу исследуемого образца, от длины волны монохроматизированного рентгеновского пучка на Фиг.2, построенными для рефлекса (111) кремниевого монохроматора.

При осуществлении способа СИ от источника 1 на Фиг.1 направляется на кристаллический монохроматор 2, устанавливаемый под брэгговским углом θм; дифрагированный на нем пучок РЛ направляется на фокусирующее зеркало ПВО РЛ с постоянным радиусом цилиндрической поверхности под скользящим углом α. Углы θм и α подбираются таким образом, чтобы обеспечить бездисперсионную дифракцию РЛ на образце 4.

Дисперсия Dс пучка, сформированного системой «монохроматор 2 - фокусирующее зеркало 3», дается формулой:

С помощью формул (1) и (2) получим выражение:

Поскольку «подгонка» дисперсии пучка под приемную дисперсию образца 4 возможна при выполнении условия Dc=D0=tgθ00 - брэгговский угол, соответствующий выбранному рефлексу исследуемого образца), формула (3) преобразуется:

Знак « - » в правой части (4) означает, что при фокусировке РЛ равенство приемной дисперсии образца 4 и дисперсии пучка имеет место, если монохроматор 2 и образец 4 находятся в антипараллельной схеме дифракции (n, +m).

Известно (S.Kikuta, K.Khora // J.Phys. Soc. Japan. 1970. V.29. Р.1322), что при использовании асимметричного рефлекса монохроматора эффективное расстояние р между источником излучения 1 и фокусирующим зеркалом 3 становится функцией фактора асимметрии b монохроматора 2:

Здесь b=sin(θм+φ)/sin(θм-φ), φ - угол между поверхностью монохроматора 2 и его отражающими плоскостями. В случае многокристального монохроматора его фактор асимметрии равен произведению факторов асимметрии каждого кристалла.

Теперь формулы (4) и (1) примут вид:

Из (6) и (7) следует, что при неизменных величинах R и q подбором энергии монохроматизированного пучка (т.е. подбором брэгговского угла монохроматора) и угла α можно обеспечить бездисперсионную дифракцию на исследуемом образце.

Так как для большинства современных экспериментальных синхротронных станций р=10÷100 м, для компактного расположения узлов станции должно выполняться условие q/р<<1. Графики зависимости межплоскостного расстояния d0, соответствующего выбранному рефлексу исследуемого образца, от длины волны λ монохроматизированного рентгеновского пучка на Фиг.2 построены для рефлекса (111) кремниевого монохроматора с помощью формулы (5): φ=0 (кривые 1, 2); φ=5° (кривые 3, 4); l0/q=1, р0/q=9 (кривые 1, 3) и р0/q=4 (кривые 2, 4).

Из графиков следует, что кремниевый монохроматор с симметричным (b=1) рефлексом (111) (пунктирные кривые) пригоден только для экспериментов с использованием слабых рефлексов образца, для которых, как правило, d0<1. Светосильные рефлексы здесь можно использовать только для мягкого (λ>2Å) рентгеновского излучения, что в значительной степени сужает класс исследуемых объектов. Отметим также слабую зависимость d0 от λ.

Кривые 3, 4 на графике Фиг.2 доказывают, что использование асимметричного рефлекса Si(111) дает возможность варьировать в широких пределах величину межплоскостного расстояния исследуемого образца в наиболее востребованной области длин волн РЛ (0,6÷1,5Å).

Способ фокусировки пучка синхротронного излучения (СИ), включающий последовательное брэгговское отражение пучка СИ от кристаллического монохроматора и полное внешнее отражение (ПВО) от фокусирующего зеркала с постоянными радиусом цилиндрической поверхности R и расстоянием между зеркалом и фокусом q при установке монохроматора под брэгговским углом θм к пучку, зеркала - под углом α, не превышающим критический угол ПВО зеркала, отличающийся тем, что угол наклона α зеркала к пучку и брэгговский угол монохроматора θм устанавливают согласно формулам
α=2q/R[1+q(p0/b+10)-1],
tgθм=qtgθ0(p0/b+10)-1,
где р0 - расстояние между источником излучения и монохроматором, l0 - расстояние между монохроматором и зеркалом, b - фактор асимметрии монохроматора, θ0 - брэгговский угол, соответствующий выбранному рефлексу исследуемого образца.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам структурных исследований материалов кристаллической структуры в электронной микроскопии: измерение расстояний и углов позволяет расшифровать электронограмму и определить присутствующие кристаллические структуры.

Изобретение относится к неразрушающим методам исследования или анализа материалов, а именно к области определения дефектов в дисперсных материалах: базальтовых стеклах, волокнах, слоистых материалах, тонких пленках и т.д.

Изобретение относится к области рентгенодифракционных и рентгенотопографических неразрушающих методов исследования структуры и контроля качества материалов и предназначено для формирования рентгеновского пучка, в частности пучка синхротронного излучения (СИ), с помощью кристаллов-монохроматоров и фокусирующей системы, состоящей из двух зеркал.

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано для контроля качества радиационно-термической обработки твердосплавного инструмента, предназначенного для холодной и горячей механической обработки различных материалов, преимущественно металлов и их сплавов.

Изобретение относится к устройству и способу определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также к аппарату и способу резки монокристалла в режущей машине.

Изобретение относится к области измерения искусственных и естественных вариаций элементного состава в условиях повышенного радиационного фона и (или) повышенной температуры в объектах техногенного и геологического происхождения и может быть использовано для работы в аварийных условиях повышенной радиации, в горячей камере или на заводах для переработки отработанного ядерного горючего, в аппаратах дистанционного управления, например в буровых скважинах или в зондирующих космических модулях.

Изобретение относится к низкоразмерной нанотехнологии (область нейтронной физики) и может найти применение при контроле параметров ферромагнитных наноматериалов и приборов в процессе их изготовления, а также для диагностики структуры и динамики пространственно упорядоченных ферромагнитных наносистем на их пригодность в качестве стабильных носителей информации высокой плотности

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано для изготовления емкостей сжиженных газов, низкотемпературного и криогенного оборудования, установок для получения сжиженных газов, оболочек ракет и емкостей для хранения ракетного топлива из стали 01Х18Н9Т

Изобретение относится к физическим методам анализа химического и фазового состава вещества, объединяет два метода - рентгенофлуоресцентный и рентгенофазовый, и может быть использовано в различных отраслях промышленности, при исследовании минерального сырья, горных пород и почв, при определении концентраций минералов, промпродуктов и т.п

Изобретение относится к способу промеров, ориентирования и фиксации минимум одного монокристалла, а также к предназначенному для этого устройству

Изобретение относится к области изучения кристаллографической текстуры твердых материалов, проявляющейся в различии характеристик, измеренных в разных направлениях, т.е

Изобретение относится к дифрактометрическим методам исследования монокристаллов и может использоваться для измерения мозаичности кристаллов

Изобретение относится к области рентгенографии, в частности к определению остаточных и рабочих поверхностных напряжений поликристаллических материалов и параметров их кристаллической решетки

Изобретение относится к области рентгенографических способов исследования тонкой структуры и может быть использовано для неразрушающего контроля внутренних напряжений с целью выявления признаков опасности развития хрупкого разрушения металлических деталей и изделий
Наверх