Полевой транзистор, имеющий канал, содержащий оксидный полупроводниковый материал, включающий в себя индий и цинк

Авторы патента:

ИВАСАКИ Тацуя (JP)

ДЕН Тору (JP)

ИТАГАКИ Нахо (JP)

H01L29/786 - тонкопленочные транзисторы

Владельцы патента RU 2371809:

КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)

Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 атомных %, и не больше, чем 55 атомных %. Когда в материал введен Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 атомных % или меньше. Данный транзистор имеет улучшенную S-величину и дрейфовую подвижность. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 25 ил.

Текст описания приведен в факсимильном виде.

1. Полевой транзистор, содержащий канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, в котором атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 ат.%, и не больше чем 55 ат.%; причем Ga не вводят в упомянутый оксидный полупроводниковый материал или, в случае введения Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 ат.% или меньше.

2. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 15 ат.% или меньше.

3. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 5 ат.% или меньше.

4. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет не меньше чем 5 ат.% и не больше чем 15 ат.%.

5. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет 40 ат.% или больше.

6. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет 50 ат.% или меньше.

7. Полевой транзистор, содержащий канал, сделанный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, где оксидный полупроводник имеет композицию в области, ограниченной Y, h, i и k, показанных в таблице 1.
Таблица 1

8. Полевой транзистор, содержащий канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, где оксидный полупроводник имеет композицию в области, ограниченной a, f, i и k, показанных в таблице 1 относительно In, Zn и Ga, и дополнительно включает в себя добавляемое туда Sn:
Таблица 1

9. Полевой транзистор по п.8, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Sn/(Sn+In+Zn), составляет 0,1 ат.% или больше и 20 ат.% или меньше.

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. .

Полевой транзистор // 2358355

Полевой нанотранзистор // 2250535

Изобретение относится к наноэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах в качестве быстродействующих усилителей для средств широкополосной цифровой мобильной связи, а также для построения микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров.

Двухфазный прибор с зарядовой связью // 1217208

Всесоюзная пдтекгко-]1хш?'/гка1библиотека // 291626

Тонкопленочный полевой триод // 259283

Полевой транзистор // 2390072

Изобретение относится к полевым транзисторам с использованием аморфного оксида для активного слоя

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием // 2399989

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием

Полевой транзистор, использующий оксидную пленку для передачи информации, и способ его изготовления // 2400865

Изобретение относится к микроэлектронике

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием // 2402106

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием

Устройство памяти на тонкопленочной структуре кремния на стекле // 2402107

Изобретение относится к полупроводниковым приборам оптоэлектроники и устройствам памяти

Способ изготовления инвертора и инвертор // 2433504

Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем

Тонкопленочный транзистор, сдвиговый регистр, схема управления шиной сигналов развертки, дисплейное устройство и способ подстройки тонкопленочного транзистора // 2471266

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, который содержит конденсатор, включенный между затвором и истоком, а также к сдвиговому регистру, к схеме управления шиной сигналов развертки, дисплейному устройству и способу подстройки тонкопленочного транзистора

Полупроводниковое устройство // 2488191

Изобретение относится к полупроводниковому устройству со схемой защиты от электростатического разряда

Полупроводниковое устройство и способ его изготовления // 2503085

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину истока, электрод стока и пассивирующую пленку, а также контактную площадку, содержащую первый соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина затвора, второй соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина истока и электрод стока, и третий соединительный элемент, сформированный на втором соединительном элементе. Второй соединительный элемент соприкасается с первым соединительным элементом в первом окне, предусматриваемом в первой и второй изолирующих пленках, третий соединительный элемент соприкасается со вторым соединительным элементом во втором окне, предусматриваемом в пассивирующей пленке, а второй соединительный элемент покрывает торцевые поверхности первой изолирующей пленки и второй изолирующей пленки в первом окне, но не покрывает торцевую поверхность пассивирующей пленки во втором окне. В результате этого конусная форма контактного отверстия контактной площадки может контролироваться с высокой точностью. Изобретение обеспечивает уменьшение повреждения маски. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 14 ил.

Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора // 2546725

Изобретение относится к металлооксидным тонким пленкам, используемым при изготовлении полевого транзистора. Жидкость для нанесения покрытия с образованием металлооксидной тонкой пленки включает неорганическое соединение индия, по меньшей мере одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка, простой гликолевый эфир и диол, причем диол выбран из по меньшей мере одного из диэтиленгликоля, 1,2-пропандиола и 1,3-бутандиола. Изобретение обеспечивает получение металлооксидного тонкопленочного покрытия с необходимым удельным сопротивлением простейшим способом, большой площади, необходимой формы и с большой точностью. 5 н. и 7 з.п. ф-лы, 10 ил., 4 табл.