Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией



Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией

 

H01L51/52 - Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L 21/00,H01L 21/312,H01L 21/47)

Владельцы патента RU 2457584:

КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В. (NL)

Изобретение относится к органическим светоизлучающим устройствам. Сущность изобретения: органическое светоизлучающее устройство содержит первый металлический шунт и второй металлический шунт, причем указанный первый металлический шунт находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем, а указанный второй металлический шунт находится в электрическом контакте со вторым электропроводным слоем. Техническим результатом изобретения является получение светоизлучающего устройства, которое предусматривает использование электроизолирующего материала между металлическими шунтами и катодом без уменьшения эффективной площади элемента изображения устройства. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 6 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к органическому светоизлучающему устройству, содержащему подложку, первый электропроводный слой, светоизлучающий слой и второй электропроводный слой. Органическое светоизлучающее устройство также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт, который находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем. Изобретение также относится к способу изготовления такого органического светоизлучающего устройства.

Предпосылки изобретения

Благодаря их высокому разрешению, высококачественным изображениям и независимости от источников заднего освещения, органические светоизлучающие диоды привлекли значительное внимание для применения в отображающих и осветительных средствах.

Органический светоизлучающий диод электрически возбуждает флуоресцентные или фосфоресцирующие органические составы для излучения света. Органические светоизлучающие диоды могут быть или с пассивной матрицей, или с активной матрицей, в зависимости от способа, используемого для возбуждения элементов изображения, которые расположены в матрице.

Будучи коммерчески успешными в вариантах применения с малой площадью, таких как дисплеи сотовых телефонов, органические устройства с большой площадью сталкиваются с техническими трудностями. Так как слои анода и катода представляют собой тонкие пленки, имеющие ограниченную электрическую проводимость, они не способны проводить сильный ток без существенной потери энергии. Эта проблема дополнительно усиливается, когда один из электродных слоев также должен быть оптически прозрачен для того, чтобы допускать прохождение света. Для ламп на органических светоизлучающих диодах эти проблемы еще более уместны, так как они работают с относительно сильными токами.

Для решения этой проблемы могут быть введены металлические шунты, которые компенсируют потерю энергии и служат средствами для направления и ускорения распространения разряда.

Как правило, металлические шунты отделены от катодного слоя при помощи изолирующего резистного слоя.

Такое устройство раскрыто в документе WO 2005/053053. Эта заявка касается органического светоизлучающего устройства, содержащего пакет из слоев подложки, анодного слоя, светоизлучающего слоя, катодного слоя, структурированных металлических шунтов и травленый защитный слой. Резистные линии изоляции катода расположены на металлических шунтах, которые совместно определяют форму элемента изображения устройства.

Хотя изобретение, раскрытое в документе WO 2005/053053, решает другую проблему, оно иллюстрирует последовательность использования резистов для изоляции металлических шунтов от катодного слоя. Для функционирования в качестве электроизолирующих слоев резистные слои, расположенные поверх металлических шунтов, должны проходить по большей поверхности, чем верхняя поверхность металлических шунтов. Это приводит к тому, что эффективная площадь элемента изображения, то есть передающая свет поверхность, ограниченная между шунтами, уменьшена.

Таким образом, в данной области техники существует потребность в получении органического светоизлучающего устройства, содержащего металлический шунт (шунты), который может быть изолирован от катода без уменьшения эффективной площади элемента изображения.

Сущность изобретения

Целью настоящего изобретения является, по меньшей мере, частичное преодоление вышеупомянутых проблем и удовлетворение требованиям в данной области техники.

В частности, целью настоящего изобретения является получение светоизлучающего устройства, которое предусматривает использование электроизолирующего материала между металлическими шунтами и катодом без уменьшения эффективной площади элемента изображения устройства.

Таким образом, согласно первому объекту, настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству, содержащему подложку, первый электропроводный слой, светоизлучающий слой и второй электропроводный слой.

Устройство, соответствующее настоящему изобретению, также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт, который находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем. По меньшей мере, один металлический шунт изолирован от второго электропроводного слоя, по меньшей мере, посредством диэлектрического оксидного слоя. Органическое светоизлучающее устройство также содержит первый и второй металлические шунты. Первый металлический шунт находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем, и второй металлический шунт находится в электрическом контакте со вторым электропроводным слоем. Диэлектрический оксидный слой действует как электроизолирующий слой, который изолирует металлический шунт (шунты) от второго электропроводного слоя и предотвращает возникновение короткого замыкания в устройстве. Первый металлический шунт может использоваться для шунтирования первого электропроводного слоя, и второй металлический шунт для шунтирования второго электропроводного слоя.

При приложении напряжения к первому и второму электропроводным слоям от светоизлучающего слоя испускается свет и излучается от устройства через первый электропроводный слой и подложку.

По меньшей мере, один металлический шунт содержит первый металлический слой, который покрыт диэлектрическим оксидным слоем. Диэлектрический оксидный слой может быть оксидным слоем, который сформирован из первого металлического слоя металлического шунта.

В предпочтительных вариантах осуществления изобретения диэлектрический оксидный слой является анодированным металлическим слоем, то есть он сформирован посредством анодирования первого металлического слоя шунта. Анодирование металлического слоя предусматривает формирование самосовмещенного однородного оксидного слоя, проходящего по всей поверхности первого металлического слоя. В результате, площадь элемента изображения, то есть светоизлучающего района, ограниченного между элементами структуры металлических шунтов, увеличена.

Первый металлический слой металлического шунта может содержать материал, отобранный, например, из алюминия, циркония, титана и галлия. Такие материалы способны анодироваться, допуская формирование диэлектрического металлического оксидного слоя, который может действовать как электроизолирующий слой в светоизлучающих устройствах, содержащих металлические шунты. Такие металлы также являются металлами с хорошей электропроводностью, которые поддерживают устойчивые характеристики напряжения пробоя и электрического сопротивления.

Предпочтительно, по меньшей мере, один металлический шунт также содержит, по меньшей мере, один дополнительный металлический слой, который нанесен для улучшения электрического контакта между первым электропроводным слоем и металлическим шунтом. Примеры металлов, которые могут использоваться, включают молибден, алюминий, хром, нитрид титана, медь, серебро, золото, вольфрам, цирконий, титан, гафний или их комбинации или сплавы. Такие металлы электрохимически устойчивы и будут защищать первый электропроводный слой от деградации из-за контакта с окисленным первым металлическим слоем.

В альтернативном варианте осуществления изобретения органическое светоизлучающее устройство содержит два металлических шунта, и второй металлический шунт, предпочтительно, расположен поверх первого металлического шунта. Шунты отделены друг от друга посредством второго диэлектрического слоя.

Второй диэлектрический слой используется для электрической изоляции первого металлического шунта от второго, таким образом изолируя первый и второй электропроводные слои друг от друга. Примерами материалов, которые используются в качестве второго диэлектрического слоя, являются SiO2, Si3N4, Al2O3.

Согласно второму объекту настоящее изобретение относится к способу изготовления органического светоизлучающего устройства описанного выше типа. Способ содержит:

a) выполнение подложки;

b) нанесение первого электропроводного слоя на подложку;

c) нанесение первого металлического слоя на подложку или на первый электропроводный слой;

d) структурирование первого металлического слоя для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта;

e) формирование диэлектрического оксидного слоя на первом металлическом слое металлического шунта;

f) нанесение светоизлучающего слоя на первый электропроводный слой; и

g) нанесение второго электропроводного слоя на светоизлучающий слой;

указанный способ также содержит этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя на указанной подложке или указанном первом электропроводном слое до этапа с) и также содержит этап структурирования указанного дополнительного металлического слоя (слоев) с использованием диэлектрического оксидного слоя, сформированного на этапе е) в качестве маски для травления указанного дополнительного металлического слоя (слоев).

Предпочтительно, диэлектрический оксидный слой, сформированный на указанном этапе c), формируют посредством анодирования первого металлического слоя, по меньшей мере, одного металлического шунта. Анодирование предпочтительно, поскольку оно позволяет формировать самосовмещенный оксидный слой, и, таким образом, не требуется какой-либо дополнительный этап совмещения в ходе процесса. Кроме того, толщина оксидного слоя может регулироваться.

Эти и другие объекты изобретения будут очевидны на основе вариантов (варианта) осуществления изобретения, описанных ниже.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 - вид одного варианта выполнения органического светоизлучающего устройства согласно настоящему изобретению.

Фиг.2a - вид сверху части органического светоизлучающего устройства согласно изобретению.

Фиг.2b - вид сверху части органического светоизлучающего устройства, соответствующего обычным светоизлучающим устройствам с использованием резистов в качестве электроизолирующих материалов.

Фиг.3 - вид светоизлучающего устройства, содержащего два металлических шунта, представляющего альтернативный вариант осуществления настоящего изобретения.

Фиг.4 - вид сверху цветного элемента изображения с анодированным металлом.

Фиг.5a - этап процесса изготовления металлического шунта для использования в светоизлучающем устройстве согласно изобретению.

Фиг.5b - вид металлического шунта, содержащего несколько металлических слоев, которые структурированы с использованием диэлектрического оксидного слоя в качестве маски для травления.

Фиг.6 - вид альтернативного варианта выполнения светоизлучающего устройства согласно настоящему изобретению.

Подробное описание вариантов осуществления изобретения

Согласно одному объекту настоящая заявка касается светоизлучающего устройства, и согласно другому объекту она касается способа изготовления такого устройства.

Один вариант осуществления изобретения светоизлучающего устройства 100 согласно настоящему изобретению показан на фиг.1 и содержит подложку 101, первый электропроводный слой 102, светоизлучающий слой 103 и второй электропроводный слой 104. Светоизлучающее устройство также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт 105, который находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем 102.

Металлический шунт 105 изолирован от второго электропроводного слоя 104, по меньшей мере, при помощи диэлектрического оксидного слоя 106.

Когда прилагается напряжение, через устройство 100 начинает проходить ток. Ток проходит от первого электропроводного слоя 102 ко второму электропроводному слою 104. Соответственно, отрицательно заряженные электроны движутся от второго электропроводного слоя 104 в светоизлучающий слой 103. В этот момент положительные заряды, обычно называемые дырками, движутся от первого электропроводного слоя 102 в светоизлучающий слой 103. Когда положительные и отрицательные заряды встречаются, они повторно рекомбинируются и производят фотоны (свет).

Подложка 101 и первый электропроводный слой 102 прозрачны для произведенных фотонов, и свет будет испускаться от органического светоизлучающего устройства через подложку 101, которая может содержать, например, стекло.

В этом варианте осуществления изобретения первый электропроводный слой 102 служит анодным слоем, и второй электропроводный слой 104 служит катодным слоем. В альтернативных вариантах осуществления изобретения первый электропроводный слой служит катодом, и второй электропроводный слой служит анодом.

По меньшей мере, один из первого и второго электропроводных слоев 102 и 104 является тонкой пленкой с ограниченной электрической проводимостью. Вследствие этого они не способны проводить сильный ток без существенной потери энергии. Эта проблема дополнительно усиливается, когда один из электропроводных слоев также должен быть оптически прозрачен для прохождения света.

Металлический шунт (шунты) 105 компенсирует потерю энергии и служит средством для направления и ускорения распространения разряда для устройства отображения. Другая цель металлического шунта (шунтов) 105 состоит в уменьшении сопротивления в линии первого электропроводного слоя 102 и/или второго электропроводного слоя 104.

Используемый здесь термин "металлический шунт" относится к структурированному металлическому слою или структурированному пакету из нескольких металлических слоев, служащих низкоомным соединением между двумя точками в электрической цепи. Металлические шунты формируют альтернативный путь для части тока.

Металлический шунт 105 содержит первый металлический слой 107, который покрыт диэлектрическим оксидным слоем 106.

Предпочтительно, диэлектрический оксидный слой 106 сформирован первым металлическим слоем 107. Формирование диэлектрического оксидного слоя 106, предпочтительно, осуществляется посредством анодирования первого металлического слоя 107 таким образом, что получают самосовмещенный однородный оксидный слой 106, проходящий по всей поверхности первого металлического слоя 107.

Так как диэлектрический оксидный слой 106 обладает очень высоким сопротивлением току, он будет изолировать металлический шунт 105 от второго электропроводного слоя 104, таким образом предотвращая короткое замыкание в пределах устройства 100.

На фиг.2a показан вид сверху органического светоизлучающего устройства 200, согласно изобретению, который иллюстрирует преимущества использования диэлектрического оксидного слоя, сформированного посредством анодирования первого металлического слоя металлического шунта 201. Как можно видеть, сформирована большая площадь элемента 202 изображения по сравнению с обычными органическими светоизлучающими устройствами с использованием резистов (показаны пунктирными линиями), как электроизолирующих материалов (фиг.2b).

Первый металлический слой металлического шунта должен содержать металл, пригодный для анодирования. Примерами таких металлов являются алюминий, цирконий, титан и галлий. Эти металлы имеют хорошую электропроводность и поддерживают устойчивые характеристики напряжения пробоя и электрического сопротивления. Предпочтительно, первый металлический слой металлического шунта содержит алюминий.

В предпочтительном варианте осуществления изобретения металлический шунт 105 содержит дополнительный металлический слой 108, предназначенный для улучшения электрического контакта между первым электропроводным слоем 102 и металлическим шунтом 105.

Примеры металлов, которые можно использовать в качестве дополнительного слоя (слоев) 108, имеют хорошую электрическую проводимость и могут быть отобраны, например, из молибдена, алюминия, хрома, нитрида титана, меди, серебра, золота, вольфрама, циркония, титана, гафния или их комбинаций или сплавов. Эти металлы электрохимически устойчивы и защищают первый электропроводный слой 102 от деградации при контакте с окисленным первым металлическим слоем 107, что могло бы иметь место, когда в шунте 105 используется только первый металлический слой 107.

Предпочтительно, металлический шунт 105 содержит первый металлический слой 107 из алюминия и дополнительный металлический слой 108 из олова. Другими предпочтительными металлами для слоя 108 являются молибден и хром, к которым может быть добавлена присадка других металлов, например, к молибдену может быть добавлен хром.

В альтернативных вариантах осуществления настоящего изобретения органическое светоизлучающее устройство содержит два металлических шунта.

Такой вариант осуществления изобретения показан на фиг.3, где первый металлический шунт 303 находится в электрическом контакте с первым электропроводным слоем 302, и второй металлический шунт 304 находится в электрическом контакте со вторым электропроводным слоем (не показан). Следовательно, первый металлический шунт 303 используется для шунтирования первого электропроводного слоя 302, и второй металлический шунт 304 используется для шунтирования второго электропроводного слоя.

Предпочтительно, второй металлический шунт 304 расположен поверх первого металлического шунта 303, и они отделены друг от друга вторым диэлектрическим слоем 305.

Второй диэлектрический слой 305 электрически изолирует металлические шунты 303 и 304 друг от друга, таким образом изолируя первый электропроводный слой 302 от второго электропроводного слоя.

Примеры материалов, которые могут использоваться в качестве второго диэлектрического слоя в этом варианте осуществления изобретения, могут быть отобраны, например, из SiO2, Si3N4 и Al2O3. Другие материалы для использования в качестве второго диэлектрического слоя известны специалистам в данной области техники.

Предпочтительно, в этом варианте осуществления изобретения только первый металлический шунт 303 содержит диэлектрический оксидный слой 308, сформированный посредством анодирования первого металлического слоя 306, так как второй металлический шунт 304 должен создавать электрический контакт со вторым электропроводным слоем. Предпочтительно, по меньшей мере, часть шунта 304 не накрыта светоизлучающим слоем.

В органическом светоизлучающем устройстве, соответствующем настоящему изобретению, первый электропроводный слой может быть анодным слоем или катодным слоем. Соответственно, второй электропроводный слой может быть или катодным слоем, или анодным слоем. Предпочтительно, первый электропроводный слой представляет собой анодный слой, и второй электропроводный слой представляет собой катодный слой.

В вариантах осуществления изобретения, таких как вариант, показанный на фиг.1, свет, испускаемый от органического светоизлучающего слоя 103, излучается перпендикулярно вниз, и, таким образом, первый электропроводный слой 102 должен быть прозрачным для произведенного света. Следовательно, первый электропроводный слой должен содержать материал с хорошим светопропусканием.

Такие материалы включают, например, оксид индия и олова, оксид олова (например, с добавкой флуоресцирующего агента или сурьмы), оксид цинка (например, с добавкой алюминия), полиэтилендиокситиофен, оксид индия и цинка, пакеты из нескольких электропроводных металлов. В первом электропроводном слое может использоваться множество материалов и комбинаций материалов, и они известны специалистам в данной области техники.

Предпочтительно, первый электропроводный слой содержит оксид индия и олова или полиэтилендиокситиофен.

Второй электропроводный слой 104, который служит катодным слоем в варианте осуществления изобретения, показанном фиг.1, может содержать металл с низкой работой выхода, например щелочной металл, щелочноземельный металл или их сплавы. Специалистам в данной области техники известны несколько материалов, которые могут использоваться во втором электропроводном слое.

Согласно настоящему изобретению светоизлучающий слой 103 содержит полимерный светоизлучающий состав и/или органический светоизлучающий состав низкого молекулярного веса. Специалистам в данной области техники известны пригодные светоизлучающие составы с малым молекулярным весом или полимерные светоизлучающие составы.

В целом, светоизлучающий слой 103 существует как многослойная структура, включающая слой переноса электронов, электролюминесцентный слой и слой дырочного перехода. При приложении электрического тока материал светоизлучающего слоя 103 будет излучать свет, произведенный рекомбинацией электронов и дырок в органическом материале.

В случае с полимерным светодиодом светоизлучающий слой 103 представляет собой главным образом двухслойный пакет, содержащий дырочный проводник и светоизлучающий полимер. Однако светоизлучающий слой может включать другие слои, такие как блокирующий дырки напыленный органический слой на светоизлучающем полимере.

В случае с органическим светоизлучающим диодом с малыми молекулами светоизлучающий слой более сложен и может содержать: слой инжекции дырок, слой дырочного перехода, излучающий слой, блокирующий дырки слой, слой переноса электронов. Он может также содержать дополнительные слои, например три различных излучающих слоя для генерирования излучения белого света.

В вариантах осуществления изобретения могут применяться дополнительные слои между подложкой 101 и первым электропроводным слоем 102, например, для защиты устройства от воды, ионов и т.д.

На фиг.4 показаны преимущества изобретения, когда оно используется в вариантах применения для отображения. В обычных пассивных матричных дисплеях требуется отдельный диэлектрический слой на краю элемента изображения для достижения хороших характеристик смачивания и предотвращения короткого замыкания в пределах устройства. Вариант осуществления настоящего изобретения с использованием анодированного металлического слоя 401 вместо обычных диэлектриков будет также действовать как средство предотвращения короткого замыкания, но имеет дополнительное преимущество сокращения сопротивления к элементу изображения, также увеличивая эффективную площадь элемента 402 изображения. Эффективная площадь элемента изображения увеличена, поскольку больше не требуется отдельный шунт. Резистные линии изоляции катода (встроенная теневая маска) обозначены ссылочной позицией 403, и гидрофобные барьерные линии обозначены ссылочной позицией 404. Конечно, изобретение может также использоваться для других типов дисплеев, например дисплеев на органических светоизлучающих диодах с активной матрицей.

Настоящее изобретение также относится к способу изготовления органического светоизлучающего устройства описанного выше типа. Этот способ содержит этапы:

a) изготовления подложки 101;

b) расположения первого электропроводного слоя 102 на подложке 101;

c) расположения первого металлического слоя 107 на подложке 101 или на первом электропроводном слое 102;

d) структурирования первого металлического слоя 107 для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта 105;

e) формирования диэлектрического оксидного слоя 106 на первом металлическом слое 107 указанного металлического шунта 105;

f) расположения светоизлучающего слоя 103 на первом электропроводном слое 102; и

g) расположения второго электропроводного слоя 104 на светоизлучающем слое 103.

В вариантах осуществления настоящего изобретения способ выполняют в порядке этапов a-b-c-d-e-f-g.

Этапы a-c) и f-g) способа, соответствующего изобретению, неограничены определенным техническим приемом, но могут быть выполнены при помощи любого пригодного технического приема, который известен специалистам в данной области техники.

Например, светоизлучающий слой 103 может быть расположен на первом электропроводном слое 102 при помощи вакуумного или мокрого осаждения. Второй электропроводный слой 104 может быть расположен на светоизлучающем слое 103, например, при помощи вакуумного процесса или напыления.

Обращаясь снова к фиг.2, которая показывает вид сверху органического светоизлучающего устройства, можно видеть предпочтительную структуру металлических шунтов. Металлический слой (слои), предпочтительно, структурирован таким образом, что шунты проходят по поверхности подложки или первого электропроводного слоя, таким образом определяя структуру элемента изображения устройства. Способы структурирования металлического слоя (слоев) известны специалистам в данной области техники, например, могут использоваться широко известные способы напыления и травления.

В альтернативных вариантах осуществления изобретения способ выполняют в порядке этапов a-c-d-e-b-f-g.

В предпочтительных вариантах осуществления изобретения способ содержит дополнительный этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя 108 на подложке 101 или на первом электропроводном слое 102 перед этапом c). Это делают для улучшения электрического контакта между металлическим шунтом 105 и первым электропроводным слоем 102. Устройство такого металлического слоя (слоев) известно специалистам в данной области техники.

Дополнительный металлический слой (слои) 108 может быть сформирован с использованием диэлектрического оксидного слоя 106, сформированного на этапе e), как маска для травления дополнительного металлического слоя (слоев) 108. На фиг.5a показан этап способа, на котором первый металлический слой 507 был структурирован обычными способами, например, посредством травления с использованием фотографической маски. Дополнительный слой (слои) 508 еще не структурирован, но существует как металлический слой, проходящий по поверхности первого электропроводного слоя 502.

Благодаря использованию диэлектрического оксидного слоя 506 в качестве маски, может быть вытравлен дополнительный слой (слои) 508 с получением металлического шунта 505 в соответствии с настоящим изобретением (фиг.5b).

Согласно способу, соответствующему настоящему изобретению, диэлектрический оксидный слой 106, сформированный в ходе указанного этапа c), сформирован посредством анодирования первого металлического слоя 107 металлического шунта 105.

Анодирование является хорошо известной техникой, используемой для покрытия поверхности металла оксидным слоем. Первый металлический слой 107 металлического шунта 105 анодирован посредством пропускания тока через раствор серной кислоты, при этом первый металлический слой служит анодом. Ток выделяет водород на катоде и окисляет поверхность анода, что приводит к наращиванию окисла металла. Преимущество использования анодирования при создании диэлектрического оксидного слоя 106 состоит в том, что этот процесс самосовмещающий и не требует дополнительного этапа совмещения, который часто имеет место, когда используют, например, резисты. Таким образом, диэлектрический оксидный слой однородно располагается по всей поверхности первого металлического слоя 107.

Анодирование также выгодно, поскольку оно увеличивает сопротивление коррозии и износостойкость устройства, допускает окрашивание и готовит поверхность для других обработок и покрытий.

Сформированный оксидный слой 106 является диэлектрическим и служит электрически изолирующим слоем, который предотвращает возникновение короткого замыкания в светоизлучающих устройствах, содержащих металлические шунты.

Некоторые металлы, например алюминий, когда они открыты для атмосферы, формируют пассивный слой окисла металла, который обеспечивает умеренную защиту от коррозии. Однако такой пассивный оксидный слой недостаточно толст для функционирования в качестве диэлектрического слоя.

Толщина диэлектрического оксидного слоя может находиться в диапазоне от 2 миллимикронов до более 25 микрометров. Предпочтительно, толщина диэлектрического оксидного слоя составляет от 20 до 100 миллимикронов.

Вариант осуществления способа, выполняемого в порядке этапов a-c-d-e-b-f-g, описан в отношении фиг.6, на которой показано органическое светоизлучающее устройство 600, которое изготовлено в этом последнем порядке этапов. Светоизлучающий слой и второй электропроводный слой не показаны на этом чертеже.

В этом варианте осуществления изобретения первый металлический слой 607 и, если он применим, дополнительный металлический слой (слои) 608 расположен(ны) непосредственно на подложке 601, и первый электропроводный слой 602 расположен на подложке 601 после того, как первый металлический слой 607 и дополнительный слой 608 были структурированы, и слой 607 был анодирован.

Когда первый электропроводный слой 602 нанесен, он не должен прикрепляться к диэлектрическому оксидному слою 606, окружающему первый металлический слой 607 металлического шунта 605 в существенной степени. Для исключения "прилипания" первого электропроводного материала 602 к шунту 605 может быть нанесен гидрофобный органический высокотемпературный кипящий (100-200°C) растворитель, который заполняет поры, содержащиеся в диэлектрическом оксидном слое.

Следовательно, первый электропроводный слой 602 заполняет области между несколькими металлическими шунтами, но не будет существенно приставать к диэлектрическому слою 606 металлического шунта 605.

Для удаления органического растворителя с диэлектрического оксидного слоя 606 так же, как и воды с первого электропроводного слоя 602, устройство 600 может быть спечено при температуре приблизительно 200°C.

Последующие этапы расположения светоизлучающего слоя и второго электропроводного слоя выполняют, как описано выше.

В вариантах осуществления настоящего изобретения способ также содержит этап структурирования первого электропроводного слоя или после этапа b), d) или e). Используемый здесь термин "структурирование первого электропроводного слоя" относится к структурированию посредством, например, травления, лазерной абляции, осаждения через теневую маску, печати и т.д.

Хотя изобретение было показано и описано подробно на чертежах и в предшествующем описании, такое иллюстрирование и описание следует рассматривать как иллюстративное или образцовое и не вносящее ограничений; изобретение не ограничено раскрытыми вариантами его осуществления.

Другие варианты раскрытых вариантов осуществления изобретения могут быть поняты и выполнены специалистами в данной области техники при осуществлении заявленного изобретения при изучении чертежей, описания и прилагаемой формулы изобретения. Например, настоящее изобретение не ограничено определенной техникой выполнения этапов a-c) и f-g) данного способа изготовления, соответствующего изобретению, но может использоваться любой технический прием. Хотя анодирование является предпочтительным способом для формирования диэлектрического оксидного слоя, настоящее изобретение им не ограничено. Могут применяться несколько других способов для формирования такого диэлектрического оксидного слоя. Даже при том, что светоизлучающее устройство, соответствующее настоящему изобретению, предпочтительно, представляет собой органическое светоизлучающее устройство, оно не ограничено им. Светоизлучающее устройство, соответствующее настоящему изобретению, также может быть неорганическим. Когда устройство, соответствующее изобретению, является органическим, оно не ограничено определенным органическим или полимерным светоизлучающим составом; но вместо этого могут использоваться несколько возможных составов.

1. Органическое светоизлучающее устройство (100), содержащее подложку (101), первый электропроводный слой (102), светоизлучающий слой (103) и второй электропроводный слой (104), причем указанное светоизлучающее устройство (100) также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт (105), который находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (102), отличающееся тем, что указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) изолирован от указанного второго электропроводного слоя (104), по меньшей мере, посредством диэлектрического оксидного слоя (106); указанное устройство содержит первый металлический шунт (303) и второй металлический шунт (304), причем указанный первый металлический шунт (303) находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (302), и указанный второй металлический шунт (304) находится в электрическом контакте с указанным вторым электропроводным слоем (104).

2. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) содержит первый металлический слой (107), покрытый указанным диэлектрическим оксидным слоем (106).

3. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1 или 2, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) представляет собой оксидный слой, сформированный из указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).

4. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) сформирован посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).

5. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический слой (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105) отобран из группы, состоящей из алюминия, циркония, титана и галлия.

6. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) также содержит, по меньшей мере, один дополнительный металлический слой (108), нанесенный для улучшения электрического контакта между указанным первым электропроводным слоем (102) и указанным, по меньшей мере, одним металлическим шунтом (105), причем указанный дополнительный металлический слой (слои) (108) может быть отобран из группы, состоящей из молибдена, алюминия, хрома, нитрида титана, меди, серебра, золота, вольфрама, циркония, титана, гафния или их комбинаций или сплавов.

7. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный второй металлический шунт (304) расположен поверх указанного первого металлического шунта (303).

8. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический шунт (303) отделен от указанного второго металлического шунта (304) вторым диэлектрическим слоем (305).

9. Органическое светоизлучающее устройство (300) по п.8, в котором указанный второй диэлектрический слой (305) отобран из группы, состоящей из SiO2, Si3N4 и Аl2О3.

10. Способ изготовления органического светоизлучающего устройства (100) по п.1, содержащий:
a) обеспечение подложки (101);
b) расположение первого электропроводного слоя (102) на указанной подложке (101);
c) расположение первого металлического слоя (107) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102);
d) структурирование указанного первого металлического слоя (107) для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта (105);
e) формирование диэлектрического оксидного слоя (106) на указанном первом металлическом слое (107) указанного металлического шунта (105);
расположение светоизлучающего слоя (103) на указанном первом электропроводном слое (102); и
f) расположение второго электропроводного слоя (104) на указанном светоизлучающем слое (103); указанный способ также содержит этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя (108) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102) до этапа с) и также содержит этап структурирования указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107) с использованием диэлектрического оксидного слоя (108), сформированного на этапе е) в качестве маски для травления указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107).

11. Способ по п.10, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106), сформированный на указанном этапе е), формируют посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронной техники. .

Изобретение относится к конденсированному полициклическому соединению, представленному общей формулой (I): где радикалы R1-R18 , каждый независимо, выбирают из группы, состоящей из атома водорода, фенильной группы и фенильной группы, замещенной двумя трет-бутильными группами.

Изобретение относится к дибензо[c,g]флуореновому соединению, представленному одной из следующих формул: , Также изобретение относится к органическому светоизлучающему устройству, использующему указанные выше соединения.

Изобретение относится к световому устройству, которое содержит подложку, по меньшей мере, один фотоорганический слой и по меньшей мере два электродных слоя. .

Изобретение относится к органическому светоизлучающему устройству и прибору отображения. .

Изобретение относится к конденсированному циклическому ароматическому соединению, представленному нижеследующей общей формулой [2]: где каждый, R1, R2 , R3, R5-R8, R10-R 13, R15-R18, R20 представляют собой атом водорода, R4, R9, R14 , R19 представляют собой фенил, необязательно замещенный 2 заместителями, выбранными из третбутила.

Изобретение относится к органическому соединению, представленному общей формулой (1) где каждый из R1-R8, R10 и R13 представляет собой атом водорода; каждый из R9 и R14 представляет собой группу, выбранную из атома водорода, трет-бутильной группы, фенильной группы и нафтильной группы, причем фенильная группа содержит, по меньшей мере, один заместитель, выбранный из метальной группы, трет-бутильной группы и фенильной группы, или является незамещенной; один из R11 и R12 представляет собой атом водорода, а другой из R11 и R12 представляет собой группу, выбранную из нафтильной группы, фенантренильной группы, антраценильной группы, периленильной группы, хризенильной группы, бензо-с-фенантренильной группы, флуоренильной группы, флуорантенильной группы, бензофлуорантенильной группы и нафтофлуорантенильной группы, причем нафтильная группа содержит в качестве заместителя фенильную группу или является незамещенной, антраценильная группа содержит в качестве заместителя фенильную группу или является незамещенной, хризенильная группа содержит в качестве заместителя фенильную группу или является незамещенной, флуоренильная группа содержит в качестве заместителя метальную группу, флуорантенильная группа содержит, по меньшей мере, один заместитель, выбранный из трет-бутильной группы и фенильной группы, или является незамещенной, и бензофлуорантенильная группа содержит, по меньшей мере, один заместитель, выбранный из фенильной группы, фенильной группы, замещенной метальной группой, и фенильной группы, замещенной трет-бутильной группой, или является незамещенной

Изобретение относится к соединению циклометаллированного комплекса платины (II) - (2-фенилпиридинато-N,C2' )(1-фенил-3-метил-4-(5-бицикло[2.2.1]гепт-5-ен-2-ил)-5-пиразолонато-O,O)платине (II) формулы 1 Также предложены сополимеры на его основе и органический светоизлучающий диод

Изобретение относится к органическим светодиодным устройствам

Изобретение относится к области оптики, в частности к электролюминесцирующим наноструктурам, и может быть использовано при создании эффективных устройств для отображения алфавитно-цифровой и графической информации

Изобретение относится к производному бензоинденохризена, представленному общей формулой (1) гдекаждый из X1, Х2 , Х3, Х4, Х5, Х6, Х7, Х8, X9, Х10, Х11, X12, X13, Х14 , X15 и X16 выбран независимо друг от друга из атома водорода и группы заместителей, состоящей из атома галогена, цианогруппы, нитрогруппы, третбутильной группы, метоксигруппы, этинильной группы, ацетинильной группы, бензильной группы, фенильной группы, нафтильной группы, бифенильной группы, флуоренильной группы, антраценильной группы, флуорантенильной группы, пиренильной группы, бинафтильной группы, фенантренильной группы, бензофлуорантенильной группы, , фенантролинильной группы и феноксигруппы, и каждый заместитель может дополнительно содержать, по меньшей мере, одну метальную группу, третбутильную группу и фенильную группу
Наверх