Патент ссср 254869

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

254869

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 08.Ч11.1967 (№ 1170878/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17.Х.1969. Бюллетень ¹ 32

Дата опубликования описания 9.111.1970

Кл. 42!, 3/09

Комитет по цепам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК 6 01п

УДК 539.219.1.621.382 (088.8) s (;1 тт. -.=" т;» .., р

- г;"

Ш. М. Коган, Т. М. Лифшиц, Н. П. Лихтман, Ф. Я. Н щв,и "

В. И. Сидоров

Я1 Qg j 1»

Авторы изобретения

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВА И СОСТАВА

ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Предмет изобретения

Известны способы определения количества и состава примесей в полупроводниках с измерением величины фотопроводимости исследуемого объекта при облучении его светом.

Предложенный способ отличается от известных тем, что исследуемый объект облучают светом с энергией фотонов, меньшей энергии ионизации примесей, при этом количество примесей и их природу определяют по высоте и положению линий в спектре фототермической ионизации полупроводника.

При этом температура полупроводника подбирается такой, чтобы вероятность термической ионизации возбужденных уровней исследуемой примеси была значительной, а именно, чемпература в энергетических единицах должна быгь близка к /2 — /з разности энергий между энергией красной границы спектра примесной фотопроводимости и энергией, соответствующей данной линии в спектре фототермической ионизации.

При использовании этого способа, например, при исследовании германия, образцы помещают в гелиевый криостат, охлаждают до температуры, близкой к температуре жидкого гелия, и затем с помощью длинноволнового инфракрасного монохроматора и усилителя производится запись спектра.

Этот способ позволяет проводить раздельное количественное определение концентрации примесей разного сорта, при этом структура спектра фотопроводимости при уменьшении количества примесей не исчезает, а становится более четкой.

1. Способ определения количества и состава примесей в полупроводниках с измерением величины фотопроводимости исследуемого объекта при облучении его светом, отличающийся

15 тем, что, с целью повышения чувствительности, исследуемый объект облучают светом с энергией фотонов, меньшей энергии ионизации примесей, при этом количество примесей и их природу определяют по высоте и положению

20 линий в спектре фототермической ионизации полупроводника.

2. Способ по и. 1, отличаю цийся тем, что температуру полупроводника выбирают близкой к / — > разности энергий между энергией

25 красной границы спектра примесной фотопроводимости и энергией, соответствующей данной линии в спектре фототермической ионизации.