Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. Способ изготовления полупроводникового прибора включает процессы фотолитографии и осаждения полупроводникового слоя на основе германия толщиной 0,2-0,3 мкм, при давлении (1,3-2,7)⋅10-5 Па, со скоростью осаждения 30 А0/c, с последующим воздействием электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и проведением термообработки при температуре 300-400°C в течение 15-30 с. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, что повышает технологичность, позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их качество и надежность. 1 табл.

 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5316967 США, МКИ H01L 21/20] на основе эпитаксиальных структур, включающих слои GaAs и AlGaAs. На поверхности полупроводниковой подложки наращивают многослойную эпитаксиальную структуру с верхним AlGaAs слоем, далее формируют диэлектрическую пленку, через которую химическим травлением на AlGaAs- слое создают мезаструктуру с отрицательным углом наклона боковых граней и выращивают второй эпитаксиальный слой GaAs, толщина которого равна толщине ранее созданного слоя AlGaAs. Второй слой наращивают на всю поверхность полупроводника, включая наклонные боковые грани мезаструктуры. Затем травлением удаляют диэлектрическую маску и на поверхности образовавшейся планарной структуры выращивают последующие слои.

В таких структурах образуются механические напряжения, которые ухудшают параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США №5395481 МКИ H01L 21/306] на основе монокристаллического Si с использованием стеклянной подложки. Этот процесс реализуется путем осаждения тонкой пленки кремния на подложке с последующим формированием КВ-излучением эксимерного лазера и фотолитографии.

Недостатками способа являются:

- высокая плотность дефектов;

- низкая технологичность;

- высокие значения токов утечек.

Задача, решаемая изобретением: снижение плотности дефектов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличения процента выхода годных.

Задача решается формированием пленки германия на кремниевой подложке при давлении (1,3-2,7)⋅10-5 Па, со скоростью напыления 30 А0/с толщиной 0,2-0,3 мкм, с последующим воздействием электронного луча с энергией электронов 25 кэВ.

Технология способа состоит в следующем: на кремниевую подложку с ориентацией (100) и (111), при давлении (1,3-2,7)⋅10-5 Па наносили слой германия толщиной 0,2-0,3 мкм, со скоростью 30 А0/c. Затем структуры подвергали воздействию электронного луча с энергией 25 кэВ и проводили термообработку при температуре 300-400°C в течение 15-30 с в атмосфере азота. Далее формируют полупроводниковые приборы по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты исследований представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 12,7%.

Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования пленки германия на кремниевой пластине при давлении (1,3-2,7)⋅10-5 Па, со скоростью 30 А0/с, толщиной 0,2-0,3 мкм, с последующим воздействием электронного луча с энергией 25 кэВ и проведением термообработки при температуре 300-400°C в течение 15-30 с, позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их качество и надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы фотолитографии и осаждения полупроводникового слоя, отличающийся тем, что полупроводниковый слой формируют на основе германия, толщиной 0,2-0,3 мкм, при давлении (1,3-2,7)10-5 Па, со скоростью осаждения 30 А0/с, с последующим воздействием электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и проведением термообработки при температуре 300-400°С в течение 15-30 с.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологий оптического формирования на поверхностях подложек объемных микроструктур, используемых для создания приборов микромеханики, микрооптики и микроэлектроники.

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может быть использовано для создания высококачественных полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД) на основе гетероструктур соединений A3B5.

Изобретение относится к технологии создания сложных структур с помощью потока ускоренных частиц и может быть использовано в нанотехнологии, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания высококачественных мощных ДМОП транзисторов, КМОП интегральных схем, ПЗС-приборов.

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния тепловыми нейтронами, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности.

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в космических технологиях, авиастроении, автомобилестроении, станкостроении, технологиях создания строительных материалов и конструкций, в области трубопроводного транспорта и в технологии создания полупроводниковых приборов.

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур и может быть использовано в нанотехнологии. .

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых резисторов, имеющих высокую температурную стабильность сопротивления в широком интервале рабочих температур.

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока ускоренных частиц и может быть использовано в нанотехнологиях, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями токов утечек. В способе изготовления полупроводникового прибора, включающем формирование областей стока и истока, после формирования слоя карбида кремния полупроводниковые структуры подвергают обработке электронами с энергией 6 МэВ, дозой (1-3)⋅1018 эл/см2 с последующим отжигом при температуре 800-900°С в течение 30 мин в атмосфере водорода. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, повышение качества и процента выхода годных приборов. 1 табл.

Изобретение относится к технологии трансмутационного легирования полупроводниковых материалов, в частности к получению кремния с определенным изотопическим составом, который может быть использован для создания квантовых битов информации на ядерных спинах атомов фосфора, полученных трансмутацией отдельных атомов такого кремния. Для этого монокристалл кремния облучается тепловыми нейтронами. После облучения кремний будет состоять только из изотопов 28Si, 30Si и фосфора 31Р. Использование такого кремния позволит увеличить время релаксации спинов атомов фосфора с нескольких миллисекунд до нескольких часов при температуре 4К, или до 40 минут при комнатной температуре. Этого времени более чем достаточно для использования подобных квантовых битов для вычислений, при этом открывается возможность использования в лабораториях, не оборудованных охлаждающими установками.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. Способ изготовления полупроводникового прибора включает процессы фотолитографии и осаждения полупроводникового слоя на основе германия толщиной 0,2-0,3 мкм, при давлении ⋅10-5 Па, со скоростью осаждения 30 А0c, с последующим воздействием электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и проведением термообработки при температуре 300-400°C в течение 15-30 с. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, что повышает технологичность, позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их качество и надежность. 1 табл.

Наверх