Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения (варианты)



Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения (варианты)
Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения (варианты)

 


Владельцы патента RU 2627573:

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Группа изобретений относится к материалам, используемым в сцинтилляционной технике. Сущность группы изобретений заключается в том, что сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения представляет собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Li(Y1-x Lux)F4 при х=0,01-0,8, образующийся в бинарной системе LiYF4 - LiLuF4. Также сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения представляет собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Ba(Y1-x Ybx)2F8 при х=0,01-0,9, образующийся в бинарной системе BaY2F8 - BaYb2F8. Технический результат – получение сцинтилляционных материалов, в том числе крупногабаритных, с возможностью направленного управления чувствительностью данных материалов к ионизирующим излучениям с максимальной чувствительностью к излучению γ-квантов. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относится к материалам, используемым в сцинтилляционной технике, прежде всего в быстродействующих, эффективных сцинтилляционных детекторах, предназначенных для регистрации различных видов ионизирующих излучений: нейтронного, рентгеновского и γ-излучения, и может быть применено в медицине, промышленности, космической технике, научных исследованиях.

Требования, предъявляемые к сцинтилляторам (СЦ), содержат не менее десятка пунктов, основные из которых: быстродействие, то есть малые времена высвечивания (τ); высокая конверсионная эффективность (световой выход, L); высокая радиационная стойкость; малое послесвечение и хорошие механические свойства; важен также спектральный состав излучения для сочетания с используемым фотоприемником. Высокое быстродействие и большая конверсионная эффективность сцинтилляторов крайне необходимы для создания высокочувствительных детекторов с высокой скоростью счета событий.

Известен ряд патентов, в которых предложены различные сцинтилляционные материалы.

Патент РФ №2056638, опубл. 20.03.1996, СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ (ВАРИАНТЫ)

Сущность изобретения: предложены высокоплотные (ρ=6,12 г/см3) и радиационностойкие (109 рад) материалы, которые можно применять в качестве сцинтилляторов в системах регистрации ионизирующих излучений, в частности в электромагнитных калориметрах. Монокристаллические ρ материалы представляют собой твердый раствор на основе CdF2 с добавкой фторида RF3, где R - церий, лантан или их смесь, соответствующий эмпирическим формулам Cd1-xCexF2+x, Cd0,99La0,01F2,01, Cd0,98La0,01Ce0,01F2,01. Другой материал представляет собой твердый раствор на основе монокристаллического фторида церия с добавкой фторида кадмия, соответствующей эмпирической формуле Ce0,995Cd0,005F2,995. Монокристаллы выращены методом Бриджмена-Стокбаргера в графитовых тиглях во фторирующей атмосфере. Изобретение направлено на увеличение радиационной стойкости синтезируемого кристалла за счет различного соотношения в нем 2-х компонентов.

В патенте №2436123 от 10.12.2011 предложен сцинтилляционный материал, представляющий собой кристаллическую основу из фторида бария и содержащий легирующую добавку в виде фторида скандия, отличающийся тем, что он представлен в виде монокристалла BaF2-ScF3 с концентрацией легирующей добавки ScF3 - 0,05-2,0 мол. %. При использовании заявленного материала в устройстве сцинтиллятора в качестве рабочего тела достигаются следующие значения основных характеристик работы устройства сцинтиллятора: эффект подавления длительного компонента свечения не менее чем в 1,7 раза при повышении не менее 3,6 раза интенсивности сверхбыстрого компонента; сверхкороткое (субнаносекудное) время высвечивания составляет 0,4-0,8 нс. Изобретение направлено на уменьшение времени высвечивания основного кристалла фторида бария за счет добавки фторида скандия.

Особый интерес представляют собой монокристаллические сцинтилляторы на основе неорганических фторсодержащих соединений. По сравнению с кислородсодержащими материалами для фторидов характерна преимущественная возможность для детектирования частиц высоких энергий, т.к. при этом в кристаллах фторидов генерируется большее количество электрон-дырочных пар, что дает больший световыход. Более высокие энергии ионизации, чем у оксидов, дают возможность большего выбора кристаллических матриц, например, для такого широко используемого в сцинтилляторах люминесцентного иона, как Се3+, у которого имеется склонность к восстановлению (Се3+-->Се2+). Так кристаллы LaF3 и YF3, легированные ионами Се3+, имеют эффективную люминесценцию, тогда как у La2O3 и Y2O3 люминесценция церия тушится за счет электронного перехода из возбужденного 5d состояния в зону проводимости. Что касается сравнения с другими галогенидами, то фториды имеют высокую химическую стойкость. Кроме того, они дополнительно характеризуются:

1) отсутствием токсичности (по сравнения с йодатами натрия или цезия активированных таллием);

2) достаточной твердостью (по сравнению с хлоридами, бромидами, йодатами);

3) отсутствием гигроскопичности (по сравнению с соединениями по п. 2);

4) высокой устойчивостью к химически агрессивным средам, включая пары плавиковой кислоты.

Однако к главным требованиям при выборе СЦ для детектирования ионизирующего γ-излучения дополнительно к основным, перечисленным выше, относится необходимость иметь материалы с максимальными значениями эффективного атомного номера (Z) и плотности (ρ) матрицы. От величины именно этих параметров зависит способность кристаллической матрицы задерживать рентгеновские или γ-лучи, т.е. чувствительность сцинтиллятора к детектированию последних. В первом приближении [А. Йосикава, Т. Суяма, К. Фукуда и др. "Сцинтиллятор для детектирования нейтронов и нейтронный детектор", Патент РФ №2494416] эта способность является функцией ~ ρ Z4 (где Z=(Σ wi zi4)1/4, здесь wi и zi - означают массовую долю и атомный номер i-го элемента среди элементов, составляющих матрицу). Фториды «тяжелых» металлов (Y, La, Се, Gd, Yb, Lu, Pb, Zr, Hf), имеющих большие величины плотностей (например, ρ(YF3)=5,06 г/см3, ρ(LuF3)=8,3 г/см3) и эффективных атомных номеров Z>50, проявляют чувствительность к рентгеновскому и гамма-излучению и их условно принято считать "тяжелыми" сцинтилляторами, а монокристаллы, состоящие из фторидов «легких» металлов (например, ρ(LiF)=2,64 г/см3, ρ(CaF2)=3,18 г/см3) с Z<50, чувствительны к нейтронному излучению и они считаются "легкими" сцинтилляторами.

Наиболее близкими аналогами, по совпадению химических формул кристаллических соединений, но отличными по сути от характерных признаков и результатов настоящего изобретения являются результаты, опубликованные в патенте РФ №2367731, в котором описывается способ получения кристаллов твердых растворов LiY1-xLuxF4, активированных ионами Се3+ и Nd3+ для альтернативного использования в качестве лазерных сред с целью увеличения концентрации ионов церия и неодима за счет разупорядочения (разрыхления) кристаллической структуры матрицы, а также в патенте РФ №2369670, где также исключительно только в качестве лазерного вещества УФ-диапазона рассматриваются кристаллы BaY2F8:Ce3+ соактивированные ионами Yb3+ и Lu3+, которые позволяют увеличить эффективность работы лазера на 5d-4f переходе ионов церия в данном материале. Кристаллы получены методом Бриджмена-Стокбаргера.

Задачей изобретения является получение сцинтилляционных материалов, в том числе, крупногабаритных, с возможностью направленного управления чувствительностью данных материалов к ионизирующим излучениям с максимальной чувствительностью к излучению γ-квантов.

Для решения этой задачи предложен сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения, представляющий собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Li(Y1-xLux)F4 при х=0,01-0,8, образующийся в бинарной системе LiYF4 - LiLuF4.

При этом:

- для регистрации нейтронного излучения х=0,01,

- для регистрации рентгеновского и γ-излучения х=0,5-0,7,

- материал активирован ионами Се3+ или Pr3+ в количестве 0,5-1,5 мол.%,

- материал получен методом горизонтальной направленной кристаллизации,

- материал представляет собой монокристалл в виде пластины с размерами не менее 50×80×20 мм.

Также предложен сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения, представляющий собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Ba(Y1-xYbx)2F8 при х=0,01-0,9 образующийся в бинарной системе BaY2F8 - BaYb2F8.

При этом:

- для регистрации рентгеновского и γ-излучения х=0,5-0,7.

- материал активирован ионами Се3+ или Pr3+ в количестве 0,5-1,5 мол. %.

- материал получен методом горизонтальной направленной кристаллизации

- материал представляет собой монокристалл в виде пластины с размерами не менее 50×80×20 мм.

Решение задачи изобретения реализовано на примере материалов бинарных систем, образующих непрерывный ряд твердых растворов, синтез которых открывает возможность направленного управления чувствительностью данных материалов к ионизирующим излучениям различного вида в пределах одной системы и позволяет определить диапазон химического состава материала с максимальной чувствительностью к излучению γ-квантов.

Это осуществляется путем синтеза внутри бинарных систем высокоплотных (ρ не менее 7,8 г/см3) с большими значениями параметра Z (не менее 90) материалов на основе фторидов тяжелых металлов, которые можно с большой эффективностью применять в качестве «тяжелых» сцинтилляторов в системах регистрации γ-ионизирующих излучений, в частности в электромагнитных калориметрах.

Для реализации вышеуказанной задачи рассматриваются две бинарные системы с существующими в них рядами непрерывных кристаллических твердых растворов. Первой является бинарная система LiYF4 - LiLuF4; второй - система BaY2F8 - BaYb2F8. В этих бинарных системах, соответственно образуются ряды кристаллических твердых растворов с эмпирическими формулами Li(Y1-xLux)F4 и Ba(Y1-xYbx)2F8 в интервале мольных долей «х» от 0,01 до 0,9. Высокие значения интегрального световыхода обеспечиваются путем активирования монокристаллов ионами Се3+ или Pr+3.

Монокристаллы выращиваются методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) в графитовых контейнерах-«лодочках» во фторирующей атмосфере аргона. Имеющаяся установка позволяет выращивать монокристаллы размером до 400×500×40 мм и создавать высокоапертурные сцинтиблоки больших объемов для электромагнитных каллориметров (ЭМК). Такие крупногабаритные элементы (в отличие от малоразмерных в несколько кубических сантиметров, обычно получаемых методом Бриджмена-Стокбаргера) представляют особый интерес для современных исследований в области физики высоких энергий тем, что они чувствительны к слабым электромагнитным полям и могут полностью поглощать фотоны γ-излучения с энергией до 1 Мэв.

В настоящем изобретении используется явление разупорядочения кристаллической структуры неорганических фторидных соединений твердых растворов бинарных систем LiYF4-LiLuF4 и BaY2F8-BaYb2F8 для управления физическими параметрами сцинтилляционных кристаллических материалов, такими как эффективный атомный номер (Z) и плотность (ρ), определяющих эффективность использования этих материалов в детекторах γ-излучения. В отличие от простых кристаллов со строго стехиометрическим составом (LiYF4, LiLuF4, BaY2F8, BaYb2F8), имеющих фиксированные характеристические значения вышеупомянутых параметров, в составах кристаллических твердых растворов с эмпирическими формулами Li(Y1-xLux)F4 и Ba(Y1-xYbx)2F8 можно монотонно изменять эффективные атомные номера Z в широком интервале мольных долей «х», в сторону больших или меньших значений в зависимости от того, для какого детектора ионизирующего излучения нейтронного или γ требуется получить сцинтиллятор.

На чертеже приведены расчетные данные Z в зависимости от мольных долей х для «тяжелых» Li(Y1-xLux)F4 - кривая 1 и еще более «тяжелых» сцинтилляторов Ba(Y1-xYbx)2F8 - кривая 2, которые можно синтезировать в ряду твердых растворов систем, указанных выше. Максимальные значения Z у этих соединений в интервале мольных долей 0,5<х<0,7 достигают 92 и 124 соответственно, что намного выше, чем у известного сцинтиллятора PbWO4 (Z=73), используемого в настоящее время в Большом Адронном Коллайдере (LHC) в CERN [M.S. Ippolitov et al., "Studies of lead tungstate crystals for the ALICE electromagnetic calorimeter PHOS" in Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 486 (2002), p. 121-125]. Таким образом, например, «легкий» сцинтиллятор LiYF4 (Z=40), известный в качестве детектора нейтронного излучения, путем небольшой добавки к нему при синтезе 5% LuF3 позволит превратить его в «тяжелый», увеличив его Z с 40 до 75 (чертеж), что сравнимо с PbWO4 (Z=73).

Таким образом, в ряду рассматриваемых твердых растворов в широком интервале мольных долей «х» можно, задавая параметр Z, направленно синтезировать нужный состав сцинтилляционного материала в зависимости от решаемой задачи детектирования необходимого вида излучения и наоборот, синтезировать кристаллический сцинтиллятор конкретного кристаллохимического состава с заданным параметром Z.

Кроме того, твердые растворы Li(Y1-x Lux)F4 (х=0,5-0,7) имеют большую изоморфную емкость по отношению к ионам цериевой подгруппы, чем простые кристаллы LiYF4 и LiLuF4. Это позволяет создавать яркие сцинтилляторы с высокими значениями интенсивности излучения Iизл. за счет возможности введения больших концентраций ионов Се3+(или Рr3+) в кристаллическую решетку твердых растворов. По характеристикам ρ, Z и Iизл рассматриваемые кристаллы твердых растворов различных смешанных составов с примесью Се3+ или Pr3+ (интегральный световыход может достигать до 27000 фотонов/Мэв) значительно превосходят известные сцинтилляторы PbWO4 (200 фотонов/Мэв) [M.S. Ippolitov, et al., "Studies of lead tungstate crystals for the ALICE electromagnetic calorimeter PHOS" in Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 486 (2002), p. 121-125], а по быстродействию τизл=10-15 нс практически не уступают последним.

Примеры получения сцинтилляционных материалов в виде монокристаллов соединений твердых растворов с общими формулами Li(Y1-xLux)F4 и Ba(Y1-xYbx)2F8, активированных ионами Се3+. (При введении другого активаторного иона - Pr3+ процесс синтеза будет аналогичным, т.к. эти ионы вводятся в виде небольших примесей не более 0,5-1,5 мол. % и не влияют на процесс выращивания).

Монокристаллические материалы представляют собой твердые растворы (смешанные кристаллы) с разупорядоченной структурой, кристаллизующиеся в бинарных системах простых соединений с упорядоченной структурой на основе LiYF4 - LiLuF4 (тетрагональные со структурой шеелита, пр. гр. С64h) и BaY2F8 - BaYb2F8 (моноклинные, пр. гр. C22h). Смешанные кристаллы соответствовали эмпирическим формулам Li(Y1-xLux)F4 и Ba(Y1-xYbx)2F8, с мольными долями «х» до 0,7.

Выращивание моноклинных кристаллов твердых растворов Ba(Y,Yb)2F8:Ln3+ (где Ln3+=Се3+ или Pr3+) осуществлялось методом ГНК в графитовых лодочках в ростовой установке с нагревателем сопротивления в графитовом тепловом узле. (Например, по патенту №2320789). Шихту состава из реактивов марки ОСЧ (мол. %): 36,2 BaF2; 53,7 YF3; 9,6 YbF3 и 0,5 CeF3 (или PrF3) помещали в графитовый тигель и сушили в камере ростовой установки в вакууме (0,005 торр) при температуре 250°С в течение 24 часов. Атмосферу для процесса выращивания кристаллов подготавливали путем сжигания тетрафторэтилена в газообразном аргоне с чистотой 99,99% при давлении 985 торр. Затем исходная смесь нагревалась до температуры плавления и выдерживалась при температуре около 1020°С в течение 6 часов. Рост кристалла на затравку произвольной ориентации осуществлялся со скоростью 1,5 мм/ч. Полученные кристаллические образцы имели вид объемных пластин с конусом в носовой части со средними размерами 50×80×20 мм. Кристаллы были прозрачными и хорошего оптического качества.

Аналогичная методика применялась для выращивания тетрагональных кристаллов твердых растворов соединений Li(Y, Lu)F4:Ln3+ Состав шихты из реактивов марки ОСЧ соответствовал (мол. %): 12 LiF; 24,5 YF3; 62 LuF3 и 1,5 CeF3 (столько же для PrF3). В отличие от первого случая рост кристаллов велся на ориентированные затравки вдоль и перпендикулярно оси 4-го порядка.

1. Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения, представляющий собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Li(Y1-xLux)F4 при х=0,01-0,8, образующийся в бинарной системе LiYF4-LiLuF4.

2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что для регистрации нейтронного излучения х=0,01.

3. Материал по п. 1, отличающийся тем, что для регистрации рентгеновского и γ-излучения х=0,5-0,7.

4. Материал по пп. 1-3, отличающийся тем, что он активирован ионами Се3+ или Pr3+ в количестве 0,5-1,5 мол.%.

5. Материал по п. 1, отличающийся тем, что он получен методом горизонтальной направленной кристаллизации.

6. Материал по п. 1, отличающийся тем, что он выполнен в виде монокристалла в виде пластин с размерами не менее 50×80×20 мм.

7. Сцинтилляционный материал для регистрации ионизирующего излучения, представляющий собой кристаллический твердый раствор с общей эмпирической формулой Ba(Y1-xYbx)2F8 при х=0,01-0,9, образующийся в бинарной системе BaY2F8-BaYb2F8.

8. Материал по п. 7, отличающийся тем, что для регистрации рентгеновского и γ-излучения х=0,5-0,7.

9. Материал по пп. 7-8, отличающийся тем, что он активирован ионами Се3+ или Pr3+ в количестве 0,5-1,5 мол.%.

10. Материал по п. 7, отличающийся тем, что он получен методом горизонтальной направленной кристаллизации.

11. Материал по п. 7, отличающийся тем, что он выполнен в виде монокристалла в виде пластин с размерами не менее 50×80×20 мм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ядерной физике и может быть использовано при измерении интенсивных потоков нейтронов. Радиохимический детектор плотности потока быстрых нейтронов включает ампулу с порошкообразным активным веществом, помещаемую в поток быстрых нейтронов, газовую систему, заполненную газом-носителем, и проточный счетчик, подключенный к системе регистрации и обработки информации.

Изобретение относится к борным покрытиям для детектирования нейтронов и особенно относится к нанесению борных покрытий для детектирования нейтронов с помощью электростатического напыления.

Изобретение относится к области космического приборостроения и может быть использовано для сбора данных о параметрах движения космических объектов - частиц космического мусора и микрометеороидов.

Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к исследованиям, созданию и эксплуатации ядерных установок и ускорителей. Способ измерения профиля нейтронного пучка (пучков) в плоскости, перпендикулярной выделенному его (их) направлению, заключается в том, что пучок (пучки) быстрых нейтронов направляют на детектирующую плоскость профилометра, перпендикулярно расположенную к его (их) направлению (направлениям), поверхность которой представляет собой совокупность параллельно расположенных изолированных стрипов, сигналы с каждого из стрипов, появившиеся в результате взаимодействия нейтрона с веществом стрипа, поступают на блок регистрирующей электроники, производящей прием и анализ зарегистрированных событий с использованием программного обеспечения для определения профиля нейтронного пучка (пучков), при этом в качестве детектирующей плоскости профилометра используют двусторонний стриповый кремниевый детектор, одна сторона которого представляет набор X-стрипов, а вторая - набор Y-стрипов, перпендикулярных к Х-стрипам, при этом регистрируют заряженные частицы, образующиеся в каждом конкретном стрипе в результате протекания реакций с эмиссией протонов и альфа-частиц при захвате нейтронов на ядрах кремния 28Si(n,p)28Al, 28Si(n,α)25Mg, при этом путем снятия электрических сигналов с соответствующих X- и Y-стрипов определяют координаты X и Y точек взаимодействия нейтронов с веществом данного стрипа профилометра, при этом на основании однозначной связи номеров одновременно сработавших X- и Y-стрипов, включенных на совпадения, при этом после набора событий по каждому из X- и Y-стрипов профилометра автоматически производится временной и амплитудный анализ зарегистрированных событий.

Автоматизированная система контроля нейтронно-физических параметров исследовательской ядерной установки (ИЯУ) может быть использована для создания систем контроля, управления и измерения в составе систем управления и защиты СУЗ ИЯУ, для обеспечения безопасности работы ИЯУ в импульсном, квазиимпульсном и статическом режимах.

Изобретение относится к области измерения излучений. Устройство для измерения потока нейтронов содержит первичный преобразователь в виде ионизационной двухсекционной трехэлектродной камеры, к общесекционному электроду которой подключен однополярный источник питания, а к разнополярным электродам, к положительному, входящему в состав нейтронной секции, и к отрицательному, входящему в состав компенсационной секции, - блоки измерения тока, которые связаны с блоком обработки выходных сигналов, при этом блоки измерения тока состоят из преобразователя ток-напряжение, выполненного на основе линейного усилителя с переключающимися пределами измерения или на основе логарифмического усилителя, выход которого подключен к входу аналого-цифрового преобразователя, управляемого микроконтроллером, выход которого через интерфейс связи подключен к интерфейсу связи блока обработки выходных сигналов, который имеет возможность подключения к вычислительному устройству более высокого уровня и включает в себя свой микроконтроллер, позволяющий автоматически корректировать с учетом сигнала, полученного от блока измерения тока по гамма-излучению, сигнал, полученный от блока измерения тока по нейтронной составляющей, и производить вычисление потока нейтронов, а однополярный источник питания включает в себя высоковольтный преобразователь напряжения, подключенный к своему микроконтроллеру, позволяющему осуществлять автоматический контроль и коррекцию выходного напряжения и подключенному через интерфейс связи к интерфейсу связи блока обработки выходных сигналов.

Изобретение относится к области технической физики. Устройство для спектрометрии нейтронов состоит из водородсодержащих замедлителей быстрых нейтронов цилиндрической формы, регистраторов тепловых и медленных нейтронов, расположенных вдоль центральной оси устройства, борного фильтра и цилиндрических углублений на торцевой поверхности замедлителя, обращенной к источнику излучений, при этом в качестве регистраторов нейтронов используют активационные детекторы в кадмиевом чехле и без чехла, которые размещены в контейнере попарно на расстояниях не более длины диффузии тепловых нейтронов в замедлителе, а цилиндрические углубления заполнены вставками, при этом контейнер и вставки выполнены из материала замедлителя.
Изобретение относится к области ядерной техники. Эмиссионный нейтронный детектор содержит коллектор и эмиттер, отделенные друг от друга изоляционным материалом, при этом эмиттер выполнен из порошка двуокиси гафния, заключенного в металлическую оболочку, при этом оболочка эмиттера выполнена толщиной от 0,14 мм до 0,20 мм, а масса двуокиси гафния на 1 м чувствительной части детектора выбрана в диапазоне от 6,4 г до 7,1 г.

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам для регистрации корпускулярных излучений, в частности к алмазным детекторам тепловых нейтронов. Алмазный детектор тепловых нейтронов состоит из алмазной пластины, двух контактных электродов, конвертора тепловых нейтронов и внешних выводов для подачи напряжения смещения и съема выходного сигнала, при этом один из контактных электродов выполнен в виде набора графитовых столбиков, расположенных в объеме алмазной пластины так, чтобы расстояние от торцов графитовых столбиков до второго контактного электрода не превышало 5-10 мкм, при этом основания графитовых столбиков параллельно подсоединены к выводу для подачи напряжения смещения, а конвертор тепловых нейтронов установлен над поверхностью другого контактного электрода.

Изобретение относится к области измерении плотности потока нейтронов с помощью различных типов детекторов, в частности пропорциональных и коронных счетчиков медленных нейтронов, импульсных камер деления.
Наверх