Способ получения монокристаллических пленок на аморфной подложке
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) 3 31.10.66 (2!)1109935 26-25 (51) М.КЛ. с присоединением заявки Йо (23) Приоритет
С 30 В 23/00! асуда!тствеиный комитет
СССР яо делам изобретеиий и открытий
f 53) УДК 621. 382:
:532.692
i088.8) Опубликовано 07.11.82.Бюллетень М 41
Дата опубликования описания 29.12.82 р2) Автор изобретения
Р. Н. Шефталь 71) Заявитель
Институт радиотехники и электроники AH СССР
1 (54 ) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МО НО КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ
ПЛЕНОК НА АМОРФНОЙ ПОДЛОЖКЕ. Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и квантовой электронике.
Известны способы получения монокристаллических пленок на аморфном материале, например стекле, или на поликристаллическом материале, например стекле или металлах (вольфрам и др.), с использованием методов рекристаллизации или двумерной зонной плавкой поликристаллических слоев.
Рекристаллизация.двуслойной системы: пленок приводит к диффузии вещества в слоях, и резкая граница между ними нарушается.
Двумерная плавка также не дает желаемых результатов. Характерная для рекристаллизации диффузия еще в большей степени присуща методу двумерной эонной плавки. К тому же при проведении последней предъявляются жесткие требования к материа-» лу подложки: так как подложка смачивается расплавом наносимого вещества, то материал ее должен только слабо растворяться в наносимом веществе, а коэффициенты термического расширения материала подложки и наносимого вещества должны быть очень близкими.
Предложенный способ отличается от известных тем, что подслой наносят на часть поверхности подложки, а .монокристаллическую пленку осаждают на подслой с переходом на подложку.
Это.позволяет получить беэдислокационные пленки с заданной кристаллографической ориентацией.
Получение монокристаллической пленки описываемым способом осуществляют в два этапа.
1 этап. Вещество напыляется на, свежие сколы растворимых кристаллов, например КаС!, KBr и др., в результате получаются тонкие 400-1000 Ао монокристаллические слои этого вещества. Затем слои легко отделяются от водорастворимой подложки и наносятся на стекло простым подхватыванием с води. Сце!тление такой пленки со стеклом достаточно хорошее.
11 этап. Стекло с механически нанесенной на него монокристаллической пленкой помещается в вакуумную установку, например УВР-2. Через узкую 10-30 мк щель начинается напыление новой пленки. Испаряемое вещество, осаждаясь сперва на механи2;70076
Формула изобретения
5, Техред Ж.Кастелевич Корректор A. Лэятко
Редактор О. Филиппова
Заказ 10455/2 Тираж 371 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул.Проектная, 4 чески нанесенной тонкой монокристал- личеекой затравке, по законам ориентированного нарастания образует монокристаллический осадок. Во время напыления стеклянная подложка с затравкой пропучивается над узкой щелью со скоростью от 120 мк/сек, н зависимости от толщины и материала получаемой пленки. При переходе распущенной пленки с монокристаллического падения на стекло из-за очень малой толщины подслоя не происходит разрыва пленки, и она вследствие малой скорости передвижения продолжает на стекле свой монокристаллический рост.
Способ получения монокристаллнческих пленок на аморфной подложке нанесением на зту подложку монокристаллического подслоя и протягиванием подложки над узкой щелью, через которую производят осаждение моно« кристаллической пленки, о т л и ч а— ю шийся тем, что, с целью получения бездислокационных пленок с заданной кристаллографической ориентацией, подслой наносят на часть поверхности подложки, а монокристаллическую пленку осаждают на подслой с переходом на подложку.
