Устройство для автоматического измерения коэффициента амнлитудной модуляции

 

278778

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹"

Заявлено 10Х!.1969 (№ 1339480/26-9) Кл. 21а4, 14/02 с присоединением заявки №вЂ”

Комитет пс делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Приоритет

Опубликовано 21Х111 1970. Бюллетень ¹ 26

Дата опубликования описания 26.Х1.1970

МПК G 01г 29, 06

УДК 621.317.353(088.8) Автор изобретения

А. И. Данилушкин

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ

КОЭФФИЦИЕНТА АМПЛИТУДНОЙ МОДУЛЯЦИИ

Изобретение относится к области радиоизмерительной техники, в частности к устройствам контроля качества работы системы передатчик — антенна — антенна — приемник и контроля качества работы передатчиков.

Известны устройства для автоматического измерения коэффициента амплитудной модуляции, содержащие пассивный четырехполюсник на сопротивлениях и диодах, имеющий логарифмическую амплитудпук> характеристику.

При подаче на вход такого четырехполюсника сигнала E„„(1+ msin О), где Е „„— уровень несущей; т — коэффициент амплитудной модуляции высокочастотного сигнала, напря>кение на его выходе пропорционально log (1+

-1-тв1п М) +log E„,, Из выходного напря>кения выделяется сигнал, пропорциональныи глубине модуляции 1о (1+msin гЛ), .усиливается и индицируется.

Однако известное устройство имеет ряд недостатков, заключающихся в возмож контролировать только глубину модуляции»e свыше 10% и трудность регулировки.

С целью получения независимости показаний индикаторов от уровня несущей в предлагаемом устройстве между средней точкой делителя напряжения и соответствующими входами эмиттерных повторителей включены определенным образом транзисторы с общими эммитерами.

На чертеже изображена схема предлагаемого устройства для автоматического измерения коэффициента амплитудной модуляции. °

Устройство для автоматического измерения глубины амплитудной модуляции состоит из входного высокочастотного разъема 1, разделительного конденсатора 2, дросселя 3 цепи постоянной составляющей, диодов высокой частоты 4 и 5, конденсаторов б и 7 фильтра

10 высокой частоты, делителей 8 и 9 постоянной составляющей, делителей 10 и 11 постоянной составляющей, конденсаторов 12 и 13 фильтра низкой частоты, развязывающих конденсаторов 14 и 15 низкой частоты, германиевого транзистора и — p — а lб п 17, разделительны., конденсаторов 18 и 19, эмиттериых повторителей 20 и 21, пиковых детекторов низкой частоты 22 и 23, стрелочного индикатора 24 модуляции «впиз», стрелочного индикатора 25 мо20 дуляцпи «вверх», Устройство работает следующим образом.

С разъема сигнал высокой частоты подается на детекторы высокой частоты, состоящие из диода 4, конденсатора б, делителей 8 и 9, 25 диода 5, конденсатора 7 и делителей 10 и 11.

Для выделения постоянной составляющей часть нагрузок детекторов шунтируется электролитическими конденсаторами 12 и 13. Постоянное напряжение положительной полярноз0 сти, пропорциональное уровню несущей, по278778

->

Предмет изобретения

Составитсль С. Базарова

Текрсд Jl. Я, Левина Корректоры: Л. А, Царькова и Т. А. Джаманкулова

Редактор Т. И. Морозова наказ 3365,,11 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 дается на базу транзистора 17, а постоянное напряжение отрицательной полярности, пропорциональное уровню несущей, — на базу транзистора 1б. На коллекторы транзисторов

1б и 17 через конденсаторы 14 и 15 подается сигнал низкой частоты, пропорциональный огибающей входного высокочастотного сигнала. В случае, когда уровень несущей мал, угол отсечки низкочастотного напряжения на коллекторе транзистора близок к 90 (полпериода). С увеличением уровня несущей напряжение на переходе база — эмиттер транзистора повышается, что приводит к тому, что коллекторно-эмиттерный переход транзистора проводит большую часть периода низкочастотного сигнала.

Таким образом, на коллекторе транзистора в закрытом состоянии выделяется импульс, имеющий форму ограниченной с одной стороны синусоиды. На коллекторе транзистора 1б этот импульс имеет положительную полярность и соответствует по амплитуде модуляции «вверх», а на коллекторе транзистора 17— отрицательную полярность и соответствует по амплитуде модуляции «вниз».

При увеличении уровня несущей импульс снижается, а его амплитуда остается постоянной и пропорциональной глубине модуляции.

Через разделительные конденсаторы 18 и 19 этот импульс подается на эмиттерные повторители 20 и 21, а с них — на пиковые детекторы

22 и 28, с которых сигнал постоянного тока положительной полярности, соответствующий глубине модуляции «вверх», подается на стрелочный индикатор 24, а сигнал отрицательной полярности, соответствующий глубине модуляции «вниз»,— на стрелочный индикатор 25.

В данном устройстве могут работать только определенные типы транзисторов, имеющие достаточной протяженности веерообразный начальный участок выходной вольтамперной характеристики, например транзисторы типов

10 1Т308А и 2Т301Д.

Устройство для автоматического измерения

15 коэффициента амплитудной модуляции с двумя каналами измерения, каждый из которых содержит высокочастотный детектор сигнала противоположной полярности, делители напряжения, эмиттерные повторители, пиковые де20 текторы и индикаторы, отлача ои ееся тем, что, с целью получения независимости показаний индикаторов от уровня несущей, дополнительно в каждом канале между средней точкой делителя напряжения и в одом эмиттерпого Ilo25 вторителя включен транзистор с общим эмпттером, причем на базу его подано постоянное напряжение, пропорциональное несущей исследуемого сигнала, со средней точки делителя напряжения, а на коллектор этого транзистора

30 через конденсатор подан сигнал низкой частоты, пропорциональный огибающей исследуемого сигнала с выхода высокочастотного детектора.