Способ получения теплорассеивающего анизотропного конструкционного диэлектрического композиционного материала и теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал



Способ получения теплорассеивающего анизотропного конструкционного диэлектрического композиционного материала и теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал
Способ получения теплорассеивающего анизотропного конструкционного диэлектрического композиционного материала и теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал

Владельцы патента RU 2765849:

Акционерное Общество "Научно-исследовательский институт конструкционных материалов на основе графита "НИИГрафит" (RU)

Изобретение относится к теплорассеивающим диэлектрическим полимерным композиционным материалам для различных отраслей электроники (микроэлектроника, вакуумные приборы, плазменные и лазерные технологии). Соответствующие теплорассеивающие конструкционные материалы используются в том числе для изготовления радиаторов охлаждения и теплорассеивающих корпусов. Предлагаемое решение относится к технологичным низкозатратным способам получения теплорассеивающего анизотропного конструкционного диэлектрического композиционного материала, состоящего из гексагонального нитрида бора и термореактивной фенолформальдегидной смолы в качестве полимерной матрицы, полученного методом жидкофазного смешивания, в т.ч. с использованием высокоскоростного механического диспергирования, с последующим удалением растворителя и одноосным прессованием в металлическую матрицу при температуре 120-180°С, в течение 60-90 мин, при давлении 40-80 МПа, с последующим охлаждением до комнатной температуры и механической обработкой. Теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал имеет максимальную теплопроводность при измерении в направлении теплового потока, перпендикулярном оси приложения нагрузки при прессовании, 2,4-18,5 Вт/(м⋅К), минимальную теплопроводность при измерении в направлении теплового потока, параллельном оси приложения нагрузки при прессовании, 1,5-10,0 Вт/(м⋅К), причем анизотропия теплопроводности (соотношение максимального и минимального значений теплопроводности во взаимно перпендикулярных направлениях) при любом способе реализации изобретения составляет 1,45 и более. Материал является диэлектрическим, причем его удельное электросопротивление при постоянном токе составляет не менее 109 Ом⋅см, а диэлектрическая проницаемость при частоте 1 кГц - не более 10, является конструкционным с пределом прочности при сжатии не менее 20 МПа и модулем упругости не менее 4,5 ГПа и может механически обрабатываться в изделия всеми традиционными способами, обладает высокими термическими свойствами. Теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал имеет при содержании наполнителя BN 50 об.% модуль упругости не менее 12,5 ГПа и предел прочности при сжатии не менее 60 МПа, тем самым он является пригодным для изготовления высоконагруженных теплорассеивающих конструкций. При содержании наполнителя BN 85 об.% имеет массовые потери образца при нагревании до 250°С методом термогравиметрического анализа менее 0,2%, а долговременная температурная стабильность составляет 422°С, коэффициент термического расширения не более 25⋅10-6 K-1, тем самым он является пригодным для охлаждения высокотеплонагруженных электронных узлов в условиях значительных локальных перегревов. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к теплорассеивающим диэлектрическим полимерным композиционным материалам для различных отраслей электроники (микроэлектроника, вакуумные приборы, плазменные и лазерные технологии). Соответствующие теплорассеивающие конструкционные материалы используются в том числе для изготовления радиаторов охлаждения и теплорассеивающих корпусов.

Известен теплопроводящий материал (1) (Патент RU 2727401) на основе кремнийорганического каучука, разбавленного силиконовыми маслами, в качестве наполнителя используются частицы гексагонального нитрида бора и микроалмазов, композиция отверждалась при комнатной температуре при добавлении отвердителей, теплопроводность полученного материала достигла 2 Вт/(м⋅К).

Недостатком материала является низкая теплопроводность, ниже уровня, который требуется в радиаторах для эффективного теплоотвода, а также использование каучука и силиконовых масел, что не позволяет создавать изделия заданной, в т.ч. сложной, формы и обрабатывать материал с использованием большинства существующих методов механической обработки.

Известен теплопроводящий материал на основе кремнийорганического каучука или эпоксидной смолы и смеси нановолокон и частиц оксида алюминия (2) (Патент RU 2614334). Теплопроводность полученных композитов изменялась в диапазоне от 0,8 Вт/(м⋅К) до 42 Вт/(м⋅К). Наполнитель помещали в жидкую матрицу, затем при комнатной температуре в присутствии отвердителя смесь выдерживали, что приводило к сшивке и получению материала. Массовое содержание наполнителя достигало 80%.

Недостатком материала являются низкие механические свойства, что делает невозможным их обработку большинством известных методов, помимо этого минусом является отсутствие данных об анизотропии теплопроводящих свойств материала. Из уровня техники известно, что использованная технология не позволяет получать материалы с высокой анизотропией свойств, что желательно для создания оптимальной структуры тепловых потоков при работе теплорассеивающих изделий.

Известен высокотеплопроводящий композит на основе эпоксидной смолы и графита и графена в различных соотношениях (3) (Патент US 10125298). Получены композиты с относительно невысоким содержанием от 7 до 35% масс, теплопроводность которых изменялась в диапазоне от 5 до 40 Вт/(м⋅К). Сначала производилось диспергирование частиц наполнителя в ацетоне в течение 4 часов. Далее добавляли отвердитель и осуществляли формование образцов при комнатной температуре в течение 12 часов и при 90°С в течение 6 часов.

Недостатком данного материала является использование частиц графита и графена в качестве наполнителя с точки зрения проводимости электричества. Композиционные материалы на основе углерода, в отличие от нитрида бора, проводят электрический ток, что может приводить к электрическим замыканиям в процессорах и электронных компонентах. Несмотря на высокие значения теплопроводности даже при низких массовых содержаниях, отсутствие диэлектрических свойств является существенным минусом, не позволяющим применять его в ряде изделий.

Известен диэлектрический теплопроводящий материал на основе нитрида бора и смолы, в том числе полиамидной смолы и поликарбоната (4) (Международная заявка WO 2014047249). Получали материал путем экструзионного формования, массовые содержания варьировались до 45% масс. наполнителя. Полученные значения теплопроводности достигли 5,4 Вт/(м⋅К).

Недостатком данного материала является низкое значение теплопроводности получаемых изделий, это связано с выбором матрицы, которая не позволяет получать высоконаполненные композиты, в которых значения теплопроводности достигают приемлемых значений.

Известен диэлектрический теплопроводящий материал (5) (Заявка на патент США US 20140020933), который используется в качестве печатной теплопроводящей платы. В качестве матрицы использовалась термопластичная полиимидная смола, в качестве наполнителя h-BN. Метод получения образцов - экструзионное формование в двухшнековом экструдере. Максимальное значение теплопроводности достигает 15 Вт/(м⋅К) при массовом содержании BN 80%.

Недостатком данного материала является сложность технологии его производства, а также ограничения возможностей механической обработки изделий из-за выбранного материала матрицы.

Известен диэлектрический композит с высокой теплопроводностью, полученный на основе эпоксидной смолы, в качестве наполнителя использовались различные соотношения гексагонального нитрида бора, аморфного нитрида бора, нитрида алюминия, а также кремнезем (6). Затем эти смеси соединяли с эпоксидной смолой, с последующей сушкой при температуре 70°С в течение 3 часов, далее смесь обрабатывали в течение 3 часов при температуре 150°С в машине горячего прессования при давлении 30 МПа. В результате были получены материалы с массовым содержанием наполнителя от 40 до 90%, теплопроводность изменялась в диапазоне от 0,28 до 12,3 Вт/(м⋅К).

Недостатком данного материала является использование эпоксидной смолы, так как ее температурная стойкость составляет 150°С, в критических значениях температуры во время работы процессора, температура достигает более высоких значений, это приводит к необратимым изменениям в структуре материала.

Наиболее близким техническим решением является диэлектрический анизотропнотеплопроводящий композит на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ) высокой плотности и гексагонального нитрида бора (7) (Патент RU 2643985). Способ получения композитов включает в себя вакууммирование при температуре 100°С, последующее диспергирование нитрида бора в присутствии н-гептана, алюмоорганических соединений и хлорирующего агента, при комнатной температуре получают частицы нитрида бора с соотношением l/d=20, затем смешивая с этиленом, получают методом каталитической объемной полимеризации под давлением композиты с массовым содержанием h-BN от 40 до 95%, при давлении 4-30 МПа, температуре 40-100°С, получены изделия с теплопроводностью λ не менее 6,0 Вт/(м⋅К), λ не менее 3,4 Вт/(м⋅К). Предел прочности при сжатии полученного материала изменялся в диапазоне 35 до 52 МПа, модуль упругости от 0,33 до 0,75 ГПа.

Недостатками данного способа является низкое предельное значение рабочей температуры получаемого материала - допустимые предельные значения температуры эксплуатации не превышают температуры получения матрицы (100°С), так как используется термопласт СВМПЭ; при превышении этой температуры происходят необратимые изменения в структуре материалов и течение изделий, что делает их непригодными для использования в качестве термоинтерфейсных материалов в электронике, так как требуемые рабочие температуры достигают значения 150-200°С. Сложность изготовления является серьезным недостатком, так как используется технология, предусматривающая наличие летучих растворителей, смешивание под давлением, использование дорогостоящих катализаторов. Помимо этого, деформационно-прочностные свойства являются недостаточными для использования данного материала в условиях значительных перегрузок.

Данное техническое решение было применено в качестве прототипа для получения теплорассеивающего анизотропного конструкционного диэлектрического композиционного материала состоящего из гексагонального нитрида бора (h-BN) и фенолформальдегидной смолы (ФФС). Эти материалы используются для изготовления радиаторов охлаждения и теплорассеивающих корпусов.

Задачей предлагаемого технического решения является получение теплопроводящего материала с ярко выраженной анизотропией, с высокими деформационно-прочностными свойствами, способного сохранять кратковременную работоспособность при высоких (до 200°С и выше) температурах. Помимо этого, требуется создание относительно простого метода получения материала из веществ с низкой стоимостью.

Предлагаемое решение относится к технологичным низкозатратным способам получения теплорассеивающего анизотропного конструкционного диэлектрического композиционного материала, состоящего из гексагонального нитрида бора и термореактивной фенолформальдегидной смолы в качестве полимерной матрицы, полученного методом жидкофазного смешивания, в т.ч. с использованием высокоскоростного механического диспергирования, с последующим удалением растворителя и одноосным прессованием в металлическую матрицу при температуре 120-180°С, в течение 60-90 мин, при давлении 40-80 МПа, с последующим охлаждением до комнатной температуры и механической обработкой.

Поставленная задача решается следующим образом: теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал, состоящий из h-BN и ФФС получают методом жидкофазного смешивания компонентов, в т.ч. в совокупности с высокоскоростным механическим диспергированием, благодаря чему достигается равномерное распределение частиц наполнителя в объеме матрицы в конечном изделии. Использование термореактопласта, ФФС, в качестве матрицы позволяет получить материал с высоким значением предельной рабочей температуры (более 250°С), что дает возможность использовать данный материал в качестве радиаторов и теплорассеивающих корпусов; помимо этого полученный материал обладает высокими деформационно-прочностными свойствами (имеет предел прочности более 20 МПа), его можно обрабатывать всеми существующими способами, а также он может применяться в экстремальных условиях повышенных температур. Выбор наполнителя обусловлен задачей получения анизотропии теплопроводности и получения композита с высокими диэлектрическими и теплопроводящими свойствами. h-BN отличается сочетанием высоких диэлектрических свойств и теплопроводности; слоистая структура материала обеспечивает возможность получения композиций с анизотропией теплопроводности на его основе. Содержание порошка h-BN изменяется в диапазоне от 50 до 84% (об.) и более, т.к. при меньших содержаниях теплопроводность материала заметно ниже. На фигуре 1. приведена зависимость усредненной (эффективной) теплопроводности от объемного содержания наполнителя.

Температуру прессования выбирали исходя из условий, при которых должна произойти полная сшивка полимера, время прессования выбирали исходя из теплопроводности матрицы, для того чтобы произошло равномерное нагревание образца и полная сшивка материала. Давление выбиралось экспериментально, для получения плотности, приближенной к теоретической, пористость материала составила не более 5%. Например, для образца с 75% (об.) h-BN при давлении 60 МПа получен образец с плотностью 1,78 г/см3, при давлении 80 МПа с плотностью 1,88 г/см3. Для образца с 50% (об.) h-BN при давлении 40 МПа плотность составила 1,43 г/см3, при давлении 60 МПа плотность составила 1,66 г/см3. Дальнейшее увеличение давления не приводит к повышению плотности композита.

Предел прочности и модуль упругости при сжатии измерялись статическим методом по ГОСТ 4651 на испытательной машине Zwick/ Roell Z250, значение предела прочности более 20 МПа и модуля упругости более 4 ГПа позволяет проводить механическую обработку материалов в изделия сложной формы большинством известных методов и изготавливать из них силовые конструкции, что известно из уровня техники. Электросопротивление измерялось двухконтактным методом по ГОСТ 23776 на прецизионном омметре Hioki 3542, значения составили не менее 109 Ом⋅см, что превышает типичные требования к диэлектрическим материалам, работающим при постоянном токе (не менее 109 Ом⋅см). Диэлектрическая проницаемость измерялась по ГОСТ 22372 с помощью LCR-измерителя тип Е7-12. Коэффициент теплопроводности определяли методом стационарного теплового потока (МИ 00200851-125-2007), что дает оценку минимального значения теплопроводности материала. Долговременная температурная стабильность важна с точки зрения стойкости материала к работе электронных компонентов в условиях наличия долговременных локальных перегревов; параметр определялся методом термогравиметрии по потере 2% массы в условиях изотермического квазистационарного нагрева на воздухе. Допустимая предельная долговременная температура эксплуатации современных электронных компонентов составляет 160-200°С, с учетом тенденции к повышению удельной теплонагруженности устройств, она составит 240-250°С в течение ближайших 5-7 лет, приблизившись к физическому пределу современной кремниевой полупроводниковой техники.

Полученный материал имеет максимальную теплопроводность λ при измерении в направлении теплового потока, перпендикулярном оси приложения нагрузки при прессовании, ее значения изменялись от 2,4 до 18,5 Вт/(м⋅К) и более, минимальную теплопроводность λ при измерении в направлении теплового потока, параллельном оси приложения нагрузки при прессовании от 1,5 до 10,0 Вт/(м⋅К) и более, причем анизотропия теплопроводности (соотношение максимального и минимального значений теплопроводности во взаимно перпендикулярных направлениях) при любом способе реализации изобретения составляет от 1,45 до 2,05 и более, что благоприятно сказывается на структуре тепловых потоков теплорассеивающего изделия. Удельное электросопротивление материала при постоянном токе составляет не менее 109 Ом⋅см, а диэлектрическая проницаемость на постоянном токе - не более 10. Материал может механически обрабатываться в изделия всеми традиционными способами, а долговременная температурная стабильность составляет более 250°С.

Примеры конкретного исполнения:

Пример 1. Для получения материала использовали h-BN ТУ 2155-313-05808008-00, средний размер частиц 5-7 мкм, ФФС марки СФ-012А ГОСТ 18694-2017, органический растворитель - пропанол-2, СН3СН(ОН)СН3, 99,5%, ч, ТУ 2632-009-002077870.

ФФС (18,29 г) смешивали с пропанолом-2 (54 мл) и диспергировали с помощью высокоскоростного механического диспергатора (IKA Ultra Turrax) с окружной скоростью 10 000 об/мин в течение 20-40 минут при температуре 25-45°С. Далее прибавляли h-BN (50 г). После этого частицы h-BN были равномерно распределены по объему связующего с помощью высокоскоростного механического диспергирования. Далее в течение 3-6 часов производили сушку образцов в термошкафе при температуре 60-90°С. Полученную смесь измельчали в течение 30-60 с в вибрационном истирателе ИВЧ-3 для получения однородного пресс-порошка. Материал получали методом горячего прессования в металлической матрице при температуре 120-180°С, одноосное прессование проводили в течение 60-90 мин, при давлении 50-70 МПа, с последующим охлаждением до комнатной температуры. Содержание h-BN в материале 65% об., максимальная теплопроводность λ при измерении в направлении теплового потока, перпендикулярном оси приложения нагрузки при прессовании, 11,9 Вт/(м⋅К), минимальная теплопроводность λ при измерении в направлении теплового потока, параллельном оси приложения нагрузки при прессовании, 5,8 Вт/(м⋅К), анизотропия теплопроводности (соотношение максимального и минимального значений теплопроводности во взаимно перпендикулярных направлениях) 2,052.

Пример 2. Изготовлен материал по примеру 1, отличающийся тем, что содержание h-BN 50% об., органический растворитель ацетон, давление прессования 30-50 МПа. Предел прочности при сжатии составил 60 МПа, модуль упругости 12,5 ГПа.

Пример 3. Изготовлен материал по примеру 1, отличающийся тем, что содержание h-BN 60% об., давление прессования 40-60 МПа. Долговременная температурная стабильность, оцененная методом термогравиметрического анализа (потеря массы не более 2% в условиях изотермического нагрева на воздухе), составила 407 С. Модуль упругости 4,5 ГПа.

Пример 4. Изготовлен материал по примеру 1, отличающийся тем, что содержание h-BN 75% об., органический растворитель этанол, давление прессования 60-80 МПа, долговременная температурная стабильность составила 293 С. Предел прочности при сжатии составил 32 МПа, модуль упругости 4,5 ГПа.

Пример 5. Изготовлен материал по примеру 1, отличающийся тем, что содержание h-BN 85% об., давление прессования 70-90 МПа, долговременная температурная стабильность составила 429°С. Предел прочности при сжатии составил 37 МПа, модуль упругости 18 ГПа.

Свойства материалов по примерам 1-5 приведены в таблице 1.

Источники информации:

1. Патент RU 2727401, оп. 21.07.2020 года C09K 5/00.

2. Патент RU 2614334, оп. 24.03.2017 года C09K 5/00.

3. Патент US 10125298 оп. 13.11.2018 года C09K 5/14.

4. Международная заявка WO 2014047249 от 27.03.2014 C08K 3/40.

5. Заявка на патент US 20140020933 от 23.01.2014 H05K 1/0201.

6. Yang Н., Chen Q., Wang X., Chi М. Dielectric and Thermal Conductivity Characteristics of Epoxy Resin-Impregnated H-BN // CNF-Modified Insulating Paper. Polymers. 2020. Vol.12(9). P. 2078-2080.

7. Патент RU 2643985, оп. 16.01.2017 года C09K 5/00.

Получаемый теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал обладает пределом прочности при сжатии, достигающим 60 МПа, модулем упругости до 18 ГПа электросопротивлением не менее 109 Ом⋅см, теплопроводность достигает не менее 18,5 Вт/(м⋅К).

1. Способ получения теплорассеивающего анизотропного конструкционного диэлектрического композиционного материала, включающий смешение частиц наполнителя гексагонального нитрида бора и полимерного связующего, отличающийся тем, что наполнитель в количестве 50-85 об.%, смешивают методом жидкофазного смешивания с термореактивной фенолформальдегидной смолой с органическим растворителем, в качестве связующего, с последующим удалением растворителя, измельчением полученной смеси до получения однородного пресс-порошка и одноосным прессованием при температуре 120-180°С, в течение 60-90 мин, при давлении 40-80 МПа, с последующим охлаждением до комнатной температуры и извлечением отвержденного изделия из матрицы.

2. Способ получения теплорассеивающего анизотропного конструкционного диэлектрического композиционного материала по п. 1, отличающийся тем, что при жидкофазном смешивании компонентов используют высокоскоростное механическое диспергирование, измельчение полученной смеси до получения однородного пресс-порошка проводят в вибрационном истирателе.

3. Теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал, полученный по пп. 1, 2, отличающийся тем, что имеет максимальную теплопроводность при измерении в направлении теплового потока, перпендикулярном оси приложения нагрузки при прессовании, 2,4-18,5 Вт/(м⋅К), минимальную теплопроводность при измерении в направлении теплового потока, параллельном оси приложения нагрузки при прессовании, 1,5-10,0 Вт/(м⋅К), причем анизотропия теплопроводности (соотношение максимального и минимального значений теплопроводности во взаимно перпендикулярных направлениях) при любом способе реализации изобретения составляет 1,45 и более.

4. Теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал, полученный по п. 3, отличающийся тем, что является диэлектрическим, причем его удельное электросопротивление при постоянном токе составляет не менее 109 Ом⋅см, а диэлектрическая проницаемость при частоте 1 кГц - не более 10.

5. Теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал, полученный по пп. 3, 4, отличающийся тем, что является конструкционным с пределом прочности при сжатии не менее 20 МПа и модулем упругости не менее 4,5 ГПа и может механически обрабатываться в изделия всеми традиционными способами.

6. Теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал, полученный по пп. 3-5, отличающийся тем, что обладает высокими термическими свойствами, причем его долговременная температурная стабильность, определенная методом термогравиметрии по потере 2% массы в условиях изотермического квазистационарного нагрева на воздухе, составляет более 250°С, а линейный коэффициент термического расширения 40⋅10-6 K-1, не более.

7. Теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал, полученный по пп. 3-6, отличающийся тем, что при содержании наполнителя 50 об.% модуль упругости составляет не менее 12,5 ГПа, а предел прочности при сжатии - не менее 60 МПа.

8. Теплорассеивающий анизотропный конструкционный диэлектрический композиционный материал, полученный по пп. 3-5, отличающийся тем, что при содержании наполнителя 85 об.% массовые потери образца при нагревании до 250°С методом термогравиметрического анализа составляет менее 0,2%, а долговременная температурная стабильность, определенная методом термогравиметрии по потере 2% массы в условиях изотермического квазистационарного нагрева на воздухе, составляет 422°С, коэффициент термического расширения - не более 25⋅10-6 K-1.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии производства материала высокой теплопроводности путем постростовой обработки монокристаллов алмаза. Способ характеризуется тем, что предварительно искусственно синтезируют алмаз типа Ib, или Ib+Ia, или Ia+Ib методом высоких давлений и высоких температур (НРНТ) c начальной концентрацией в кристаллической решетке одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения (дефектов С) в диапазоне от 1,76·1018 см-3 до 1,4·1020 см-3, а затем подвергают его облучению электронами с энергией от 1 до 5 МэВ и дозой облучения от 1·1018 до 1·1019 см-2, чем вызывают перезарядку части образовавшихся одиночных изолированных вакансий из нейтрального в отрицательное зарядовое состояние и обеспечивают повышение теплопроводности алмаза при температурах в диапазоне 300-340 К.

Изобретение относится к области электронной техники. Конструкция гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы с топологическим рисунком проводников металлизации на одной из сторон каждого диэлектрического слоя и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя, с навесными компонентами, коаксиальным диэлектрическим резонатором.

Радиатор для интегральной микросхемы, содержащий пластину основания и множество ребер, соединенных с пластиной основания, при этом пластина основания содержит первый сегмент, второй сегмент и третий сегмент, соединенные последовательно; причем первый сегмент и третий сегмент простираются наклонно вверх относительно второго сегмента, при этом толщина второго сегмента пластины основания больше, чем толщина первого сегмента и третьего сегмента, и радиатор выполнен с возможностью прикрепления лишь к одной интегральной микросхеме посредством второго сегмента.

Настоящее изобретение относится к отверждаемой системе, включающей в свой состав бензоксазин и бензотиазол-сульфенамидный катализатор, бензотиазол-сульфенамидный катализатор содержится в отверждаемой системе в количестве от 2 частей по массе до 8 частей по массе на 100 частей по массе бензоксазина. Отверждаемая система, которая может быть катализирована при температурах, обычно используемых для отверждения многофункциональных эпоксидных смол, еще проявляет улучшенные жизнеспособность и технологические периоды времени и обеспечивает отвержденное изделие, которое демонстрирует приемлемые термомеханические свойства.

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых приборов и микросхем, предназначенных для сборки в корпус с использованием эвтектической пайки и может быть использована для широкого круга изделий электронной техники. Техническим результатом изобретения является расширение области использования при покрытии посадочного места серебром, повышение производительности труда при сборке и повышение качества пайки.

Изобретение относится к системе (S) защиты для обнаружения физического проникновения. Техническим результатом является предотвращение несанкционированного доступа к конфиденциальной информации.

Использование: для изготовления инерциальных измерительных модулей для регистрации первичной инерциальной и магнитной информации. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления инерциального измерительного модуля включает изготовление несущего основания в форме многогранника, закрепление на нем комбинированных датчиков угловой скорости, линейного ускорения и магнитного поля путем поверхностного монтажа и контроль работоспособности полученного инерциального измерительного модуля, изготовление несущего основания осуществляют из диэлектрической керамики путем формования керамической массы в пресс-форме с последующим обжигом в печи, формированием на боковых гранях несущего основания токопроводящего рисунка с контактными площадками, при этом формирование токопроводящего рисунка на боковых гранях несущего основания обеспечивает возможность непосредственной установки на них комбинированных датчиков угловой скорости, линейного ускорения и магнитного поля.

Группа изобретений относится к светодиодным отображающим и осветительным устройствам, выполненным в виде гибкой тонкопленочной конструкции. Экранное устройство содержит по меньшей мере один модуль.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к области СВЧ микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение адгезионной прочности монтажных соединений в коммутационной плате и технологичности коммутационной СВЧ-платы.

Изобретение относится к теплообменному устройству на основе пульсационной тепловой трубы и системе охлаждения. Система охлаждения, содержащая множество блоков, которые механически соединены друг с другом, причем каждый блок содержит теплообменное устройство на основе пульсационной тепловой трубы; и устройство коммутации, причем устройство коммутации находится в физическом контакте с упомянутым, теплообменным устройством для переноса тепловой нагрузки из устройства коммутации в теплообменное устройство, и между двумя соседними блоками обеспечен электроизолирующий элемент, при этом теплообменное устройство содержит множество трубок для обеспечения путей протекания текучей среды между первым и вторым элементами распределения текучей среды теплообменного устройства, причем каждая трубка содержит группу каналов, при этом как первый, так и второй элементы распределения текучей среды содержат, пластину первого типа, причем каждая пластина первого типа имеет отверстия для обеспечения выравнивания множества трубок, пластины первого типа имеют одинаковую толщину, первый элемент распределения текучей среды содержит пластину второго типа, пластина второго типа имеет отверстия для обеспечения путей протекания текучей среды между трубками из множества трубок, и пластина второго типа расположена с противоположной стороны пластины первого типа из пластин первого элемента распределения текучей среды относительно второго элемента распределения текучей среды.

Радиатор для интегральной микросхемы, содержащий пластину основания и множество ребер, соединенных с пластиной основания, при этом пластина основания содержит первый сегмент, второй сегмент и третий сегмент, соединенные последовательно; причем первый сегмент и третий сегмент простираются наклонно вверх относительно второго сегмента, при этом толщина второго сегмента пластины основания больше, чем толщина первого сегмента и третьего сегмента, и радиатор выполнен с возможностью прикрепления лишь к одной интегральной микросхеме посредством второго сегмента.
Наверх