Флюс для кристаллизации эпитаксиальных слоев флюорита и способ получения эпитаксиальных слоев флюорита



Y10T117/1032 -
Y10T117/1032 -
Y10S117/902 -
Y10S117/902 -

Владельцы патента RU 2785132:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук" (ИОФ РАН) (RU)

Группа изобретений относится к области оптического материаловедения для использования в фотонике, оптоэлектронике, лазерных системах. Флюс для кристаллизации эпитаксиальных слоев флюорита как чистого, так и легированного редкоземельными ионами методом жидкофазной эпитаксии представляет смесь NaF и KF при следующем соотношении компонентов, мол. %: NaF - 0,58-0,84, KF - 0,16-0,42. Способ получения эпитаксиальных слоев флюорита как чистого, так и легированного редкоземельными ионами методом жидкофазной эпитаксии включает нагрев раствора-расплава с последующей его кристаллизацией на затравку флюорита в условиях снижения температуры раствора-расплава или в условиях градиента температуры раствора-расплава в зоне кристаллизации, при этом нагрев в первом случае осуществляют до температуры 850-950°С, во втором - до 750-800°С, а кристаллизацию осуществляют из раствора-расплава состава CaF2-NaF-KF с использованием вышеуказанного флюса в условиях снижения температуры раствора-расплава со скоростью 1°С/мин или при градиенте температуры раствора-расплава в зоне кристаллизации, равном 2°С/см. Предлагаемый флюс не вызывает коррозию контейнерных материалов (платиновых тиглей), мало летуч, легко отмывается водой. В результате повышается срок службы платиновых тиглей, а процесс получения эпитаксиальных слоев является менее токсичным и более безопасным. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл., 7 пр.

 

Изобретение относится к области оптического материаловедения, а именно к способам создания оптических покрытий. Области применения изобретения - фотоника, оптоэлектроника, лазерные системы. Эпитаксиальные слои фторида кальция (CaF2, флюорита), как чистые, так и легированные редкоземельными элементами, используются для создания просветляющих оптических покрытий, оптических волноводов, диэлектрических покрытий, создания лазерных систем дисковой топологии. В лазерных системах дисковой геометрии толщина активного слоя составляет от 200 нм до нескольких мкм при диаметре до 100 мм при высоком кристаллическом совершенстве наносимых слоев, а также переходных границ покрытие - подложка.

Известны различные варианты создания покрытий из неорганических фторидов.

Известен способ создания фтор-проводящей пленки La0.9Ba0.1F2.9 толщиной до 5 мкм методом spin-coating (Le Zhang, et al J. Alloys Comp. 684 (2016) 733). Недостатком является поликристаллический характер покрытия, исключающий использование в оптических целях. Метод spin-coating характеризуется плохой воспроизводимостью экспериментов и не технологичен.

Известен способ получения эпитаксиальных пленок фторидов щелочноземельных металлов методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МВБ). Недостатками способа являются высокая стоимость и малая производительность процесса, он используется для получения очень тонких пленок (Vergentev Т., et. al., Sci. Techn. Advanced Mat. 17 (2016) 799).

Известен способ получения пленок фторидов золь-гель методом, который используется для получения просветляющих покрытий. Недостатком является поликристаллический характер получающихся пленок (Krahl Т. Journal of Materials Chemistry С 4 (2016) 1454; Murata T. et. al. Appl. Optics 45 (2006) 1465).

Известен способ получения эпитаксиальных пленок фторидов щелочноземельных металлов из газовой фазы (MOCVD). Эффективная комбинация прекурсоров позволяет получать пленки без примеси кислорода. Недостатком является поликристаллический характер получающихся пленок (Бледнов А.В. Дисс. канд. хим. наук. М. 2010; Бледнов А.В. Докл. РАН. 428 (2009) 194).

Известен способ получения эпитаксиальных пленок фторидов методом жидкофазной эпитаксии при использовании различных расплавленных солей (флюсов).

Известен флюс CaCl2 (А. Pena et. al. Yb:CaF2 grown by liquid phase epitaxy, Optical Materials 33 (2011) 1616), на основе которого получены эпитаксиальные слои флюорита, легированного ионами иттербия CaF2:Yb, лазерного качества. Недостатки: высокая летучесть, узкий температурный интервал кристаллизации, паразитная кристаллизация фазы CaClF.

Известен флюс CaF2-CaCl2 (P. Loiko et. al. Ytterbium calcium fluoride waveguide laser, Optics Express 27 (2019) 12647). Получены эпитаксиальные слои CaF2:Yb лазерного качества. Недостаток: узкий температурный интервал кристаллизации.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению (прототипом) является выращивание эпитаксиальных слоев флюорита на затравку с использованием в качестве растворителя смесь хлорида и фторида натрия в соотношении 0.6NaCl-0.4NaF. Выращивание эпитаксиальных пленок проводится как методом снижения температуры, так и в условиях градиента температур. (В.А. Маслов, Е.В. Чернова, П.П. Федоров. Поиск раствор-расплавных сред для кристаллизации эпитаксиальных слоев флюорита // Кристаллография, 2020, т. 65, №4. С. 660-666). Недостатком прототипа является наблюдаемая коррозия стандартных контейнерных материалов - платины Pt и сплава Pt/Rh.

Задачей изобретения, представляющего группу объектов - материала и способа его получения, является разработка растворителя (флюса) и способа получения эпитаксиальных пленок флюорита CaF2 методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава.

Предлагается новый флюс для кристаллизации эпитаксиальных слоев флюорита, который в отличие от прототипа, представляет собой фторид натрия NaF в смеси с фторидом калия KF. Соотношение компонентов в мольных долях: 0,58-0,84 NaF и 0,16-0,42 KF. Выбор интервала концентрации обусловлен со стороны NaF - повышением температуры плавления, а со стороны KF - образованием и кристаллизацией новой фазы - KCaF3.

Новый флюс отличается от материала-прототипа тем, что не содержит хлоридной составляющей, вызывающей коррозию контейнерных материалов (платина и сплавы на ее основе). Предлагаемый флюс мало летуч, легко отмывается водой.

Растворимость фторида кальция в расплаве предлагаемого флюса близка к растворимости фторида кальция в расплаве растворителя прототипа (около 18 мол. % при 950°С, около 10 мол. % при 900°С). Данные по растворимости CaF2 в предлагаемых флюсах представлены в Таблице 1.

Наклон прямой температурной растворимости (наклон кривой растворимости CaF2 в зависимости от температуры) изменяется от 0,026 масс. %/град для флюса состава 0,58 NaF - 0,42 KF до 0,021 масс. %/град для флюса состава 0,84 NaF - 0,16 KF.

Растворимость легированных композиций CaF2:Nd, CaF2:Yb незначительно отличается от растворимости чистого флюорита CaF2.

Способ получения эпитаксиальных слоев флюорита заключается в кристаллизации на затравку флюорита в системе CaF2-NaF-KF. Как величины растворимости фторида кальция, так и наклон прямой графика растворимости позволяют проводить кристаллизацию эпитаксиальных пленок CaF2 как в условиях градиента температуры, так и в режиме снижения температуры.

В режиме снижения температуры процесс кристаллизации проводят в условиях равномерного снижения температуры раствора-расплава CaF2-NaF-KF при рабочей температуре 850-950°С со скоростью охлаждения 1°С /мин. При этом наблюдается эпитаксиальный рост пленки CaF2 на затравке из монокристаллического CaF2. Методом оптической микроскопии фиксируется послойный рост пленки.

Альтернативным способом эпитаксиального роста является получение пленки CaF2 методом перепада температуры. В этом случае температура кристаллизации поддерживается постоянной в диапазоне 750-800°С, а рабочий градиент температуры расплава в зоне кристаллизации составляет величину 2 град/см.

Способ отличается от способа-прототипа исходными компонентами материала.

Техническим результатом изобретения является возможность использования флюса для получения эпитаксиальных пленок флюорита, как чистого, так и легированного редкоземельными элементами (РЗЭ), что подтверждается ниже приведенными примерами. Дополнительным техническим результатом заявленного изобретения является удешевление процессов изготовления материала в результате повышения срока службы платиновых тиглей и проведение процесса менее токсичным, более безопасным способом синтеза.

В Таблице 2 приведены составы и характеристики предлагаемого флюса.

Изобретение проиллюстрировано следующими чертежами.

На Фиг. 1 представлена схема двухзонной печи для проведения эпитаксии CaF2, где 1 - нагреватели из фехраля; 2 - термопары марки ТПР; 3 - стакан платиновый; 4 - раствор-расплав; 5 - держатель затравки; 6 - затравка флюорита; 7 - корпус, 8 - теплоизоляция, 9 - крышка платиновая, 10 - подставка керамическая, 11 - крышка керамическая, 12 - прокладка платиновая.

На Фиг. 2 представлена температурная зависимость растворимости флюорита CaF2 в расплавах 0,58 NaF - 0,42 KF (непрерывная линия «а») и 0,84 NaF - 0,16 KF (пунктирная линия «б»).

Примеры конкретной реализации способа.

Пример №1. Затравку 6 из CaF2 (Фиг. 1) размером 5×7 мм2 изготавливали из монокристалла флюорита высокой чистоты производства «ООО Фторидные монокристаллы», С-Петербург, путем раскалывания кристалла по спайности (кристаллографическая ориентация (111)) и прикрепляли платиновой проволокой к держателю затравки 5 (Фиг. 1). Реактивы NaF, KF марки «хч», CaF2 марки «осч» прокаливали на воздухе при температуре 400°С для удаления адсорбированной влаги. Порошки шихтовали для получения состава 0,58 NaF - 0,42 KF (мол %). Добавляли 10 масс. % CaF2. Смесь помещали в платиновый стакан 3 диаметром 50 мм (Фиг. 1). Тигель с шихтой помещали в печь и нагревали до температуры 910°С. Выдерживали при этой температуре 2 часа для плавления флюса, растворения флюорита (линия а Фиг. 2) и гомогенизации расплава. Горизонтально расположенную затравку флюорита 6 опускали в печь до контакта с поверхностью расплава 4. Момент касания затравки 6 и поверхности раствора-расплава 4 определяется с помощью электрического контактера, состоящего из двух электродов из платиновой проволоки диаметром 0,5 мм, один из которых закреплялся на платиновом стакане 3, второй - на платиновой пластине керамического держателя 5, обеспечивая замыкание электрической цепи при соприкосновении затравки 6 с электропроводящим при используемых температурах растворе-расплаве 4.

Выдерживали систему 2 час. для тепловой гомогенизации. Включали режим охлаждения со скоростью 1°С /мин, охлаждали до 870°С. Поднимали шток с затравкой, охлаждали систему. Теплой водой отмывали остатки флюса от затравки. На поверхности затравки образовалась эпитаксиальная пленка толщиной 0,05 мм. Методом оптической микроскопии зафиксирована послойная кристаллизация флюорита на затравке. Коррозия платинового тигля не зафиксирована.

Пример №2. Кристаллизация эпитаксиальной пленки CaF2:Nd в режиме охлаждения из флюса состава 0,58 NaF - 0,42 KF. Все операции соответствуют примеру №1, за исключением добавки в шихту 1 масс/ % NdF3 и температурного режима кристаллизации, составившего 900-850°С. Толщина полученной эпитаксиальной пленки 0,06 мм.

Пример №3. Кристаллизация эпитаксиальной пленки CaF2 в режиме охлаждения из флюса состава 0,70 NaF - 0,30 KF. Все операции соответствуют примеру №1. Толщина полученной эпитаксиальной пленки 0,08 мм.

Пример №4. Кристаллизация эпитаксиальной пленки CaF2 в режиме охлаждения из флюса состава 0,70 NaF - 0,30 KF. Все операции соответствуют примеру №1, за исключением того, что затравка была выколота из природного кристалла флюорита. Толщина полученной эпитаксиальной пленки 0,10 мм.

Пример №5. Кристаллизация эпитаксиальной пленки CaF2 в режиме охлаждения из флюса состава 0,84 NaF - 0,16 KF. Все операции соответствуют примеру №1, за исключением температурного режима кристаллизации, составившего 900-860°С. Толщина полученной эпитаксиальной пленки 0,06 мм.

Пример №6. Кристаллизация эпитаксиальной пленки CaF2 в режиме градиента температур из флюса состава 0,70 NaF - 0,30 KF методом перепада температуры. На дно платинового стакана помещали шихту флюорита фракцией 3-4 мм3. Сверху засыпали смесь прокаленных реактивов NaF и KF, соответствующих составу флюса. Нагревали двузонную печь, температура в верхней (холодной) зоне составляла 780°С, градиент температуры составлял 2 град/см в приповерхностной зоне. Приводили монокристаллическую затравку в контакт с расплавом. Выдерживали систему при постоянной температуре на протяжении 15 час. Извлекали затравку с наросшей эпитаксиальной пленкой, охлаждали систему. Толщина полученной эпитаксиальной пленки 0,04 мм.

Пример №7. Кристаллизация эпитаксиальной пленки CaF2 в режиме градиента температур из флюса состава 0,80 NaF - 0,20 KF. Все операции соответствуют примеру №6 за исключением температуры кристаллизации, составившей 768°С. Толщина полученной эпитаксиальной пленки 0,03 мм.

1. Флюс для кристаллизации эпитаксиальных слоев флюорита как чистого, так и легированного редкоземельными ионами методом жидкофазной эпитаксии, отличающийся тем, что представляет смесь NaF и KF при следующем соотношении компонентов, мол. %:

NaF - 0,58-0,84,

KF - 0,16-0,42.

2. Способ получения эпитаксиальных слоев флюорита как чистого, так и легированного редкоземельными ионами методом жидкофазной эпитаксии с использованием флюса, включающий нагрев раствора-расплава с последующей его кристаллизацией на затравку флюорита в условиях снижения температуры раствора-расплава или в условиях градиента температуры раствора-расплава в зоне кристаллизации, отличающийся тем, что нагрев в первом случае осуществляют до температуры 850-950°С, во втором - до 750-800°С, а кристаллизацию осуществляют из раствора-расплава состава CaF2-NaF-KF с использованием флюса по п. 1 в условиях снижения температуры раствора-расплава со скоростью 1°С/мин или при градиенте температуры раствора-расплава в зоне кристаллизации, равном 2°С/см.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при изготовлении светодиодов белого света. Кристаллический материал представляет собой люминофор на основе фторидобората с «антицеолитной» структурой общей формулы Ba12(BO3)6[BO3][LiF4], в каркасе [Ba12(BO3)6]6+ которого ионы бария изоморфно замещены ионами редкоземельных элементов: европия, тербия и церия.

Изобретение относится к фотографическим материалам с люминесцентной визуализацией скрытого изображения и может быть использовано при изготовлении оптических носителей информации, художественной сувенирной и демонстрационной продукции, а также в научных исследованиях о механизмах взаимодействия света и вещества.

Изобретение относится к оборудованию, используемому в технологии выращивания кристаллов фторидных соединений с низкой летучестью исходных компонентов из расплава методами вертикальной направленной кристаллизации. Тепловой узел установки для выращивания фторидных кристаллов с близкими температурами плавления методами вертикальной направленной кристаллизации содержит несколько тиглей 1, 2, 3 с ростовыми ячейками внутри ростовой камеры, тигли 1, 2, 3 внутри ростовой камеры расположены осесимметрично по вертикали в соответствии с температурой плавления шихты, обеспечивая условия возрастания температуры плавления шихты от нижнего тигля 1 к верхнему 3, и жестко скреплены между собой посредством резьбового соединения или плотной посадки буртика верхнего тигля в проточку в нижнем тигле.

Изобретение относится к технологи получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита, допированного ионами кадмия CsСdxPb1-xBr3, (0<x<1), которые могут быть использованы как компоненты оптоэлектронных приборов, работающих в синем диапазоне длин волн света. Способ получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита включает добавление октадецена к порошку безводного карбоната цезия Cs2CO3, выдерживание полученной смеси при температуре 100°C в течение 30 мин, добавление олеиновой кислоты и нагревание до 180°C с образованием олеата цезия, охлаждение полученного раствора до 25°C за 30 мин, введение октадецена в бромид свинца PbBr2, создание вакуума с последующим перемешиванием при 100°C в течение 30 мин, введение в эту смесь олеиламина и олеиновой кислоты и ее нагрев до 180°C, смешивание полученных растворов олеата цезия и бромида свинца с образованием коллоидного раствора нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита в октадецене, его охлаждение до 15°C на ледяной бане, очистку от октадецена центрифугированием, редиспергирование осадка нанокристаллов, повторное центрифугирование коллоидного раствора и удаление надосадочного раствора, редиспергирование осадка нанокристаллов в толуоле с образованием коллоидного раствора нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита в толуоле, который прокапывают на предварительно очищенную кремниевую подложку с образованием сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита при испарении толуола, при этом перед очисткой в коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPbBr3 в октадецене дополнительно добавляют октадецен, центрифугирование во время очистки осуществляют с ускорением 1000g в течение 5-10 мин, далее удаляют надосадочный раствор, редиспергирование осадка нанокристаллов проводят в октадецене, к нему добавляют заранее приготовленную смесь, полученную перемешиванием четырехводного бромида кадмия CdBr2•4H2O с октадеценом при температуре 130°C со скоростью 1000 об/мин в перчаточном боксе, заполненном атмосферой азота 99,999%, в течение 40 мин и добавлением олеиламина и олеиновой кислоты с нагревом до 180°C и охлаждением до 25°C за 30 мин, полученный состав вакуумируют и перемешивают со скоростью 1000 об/мин при комнатной температуре в течение 10 мин, нагревают до 150°C и выдерживают в течение 10 мин, охлаждают до 25°C за 30 с, в результате чего получают коллоидный раствор нанокристаллов состава CsСdxPb1-xBr3, (0<x<1) в октадецене, повторное центрифугирование проводят с ускорением 1000g в течение 5 мин, а после удаления надосадочного раствора в результате редиспергирования осадка нанокристаллов в толуоле получают концентрированный коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsСdxPb1-xBr3 в толуоле, раствор после редиспергирования вновь центрифугируют в толуоле с ускорением 1000g в течение 5 мин и отбирают надосадочный коллоидный раствор нанокристаллов состава CsСdxPb1-xBr3 в толуоле, который прокапывают на упомянутую кремниевую подложку, предварительно очищенную в атмосфере кислородной плазмы под давлением 0,3-0,4 Мбар с мощностью генератора 50-100 Вт в течение 1 мин.

Изобретение относится к технологии выращивания фторидных кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации (метод Бриджмена) при наличии температурного градиента в зоне кристаллизации и устройству для его осуществления. Способ формирования температурного градиента в тепловом узле печи для выращивания фторидных кристаллов заключается в том, что берут устройство в виде медной трубы 3, с одного конца охлаждаемое водой с помощью напаянной на нее водоохлаждаемой медной трубки 4, а с другого конца покрытой теплоизоляционным материалом 5, и устанавливают его внутрь нагревателя 1 с нижнего торца таким образом, чтобы конец медной трубы 3 с теплоизоляционным материалом 5 вошел в нижнюю часть нагревателя 1; затем включают охлаждающую воду, которую направляют через водоохлаждаемую медную трубку 4, для охлаждения сначала конца медной трубы 3, а затем всей медной трубы 3 за счет теплопроводности ее материала; при этом с одной стороны теплоизоляционным материалом 5 предотвращают тепловой обмен между медной трубой 3 и нагревателем 1, с другой стороны – осуществляют охлаждение при помощи водоохлаждаемой медной трубки 4, в результате чего создают температурный градиент величиной 110-130°C/см на переходе из нагревателя 1 в медную трубу 3, далее измеряют температуру по высоте внутри нагревателя 1 с введенным в него упомянутым устройством в виде медной трубы 3 с помощью термопары, установленной на дне тигля с расплавом, перемещаемого по высоте нагревателя 1 из горячей зоны в охлажденную медную трубу 3, и по результатам измерений определяют температурный градиент в зоне роста для дальнейшего процесса выращивания кристалла.

Предлагаемый способ относится к получению галогенидных оптических материалов, обладающих эффективными многофункциональными свойствами, конкретно к получению высокопрозрачной в диапазоне от 1,0 до 67,0 мкм кристаллической керамики на основе двух фаз твердых растворов системы AgBr - TlI. Способ получения высокопрозрачной кристаллической керамики на основе двух твердых растворов системы AgBr - TlI характеризуется тем, что соли AgBr и TlI чистотой 99,9999 мас.

Изобретение относится к технологии выращивания сцинтилляционных монокристаллов на основе бромида церия с общей формулой CeBr3 со 100 %-ным содержанием сцинтиллирующего иона Се3+ методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) и может быть использовано при изготовлении элементов детекторов и спектрометров, чувствительных к гамма-, рентгеновскому излучению и другим видам ионизирующего излучения.

Изобретение относится к химической технологии приготовления шихты для выращивания монокристаллов фторидов. Способ включает смешивание исходных компонентов MeF2-RF3-PbF2, где Me – Са, или Ва, или Sr, R - РЗЭ, a PbF2 является поглотителем кислорода, их нагрев и выдержку, при этом в качестве R используют Еu3+, или Се3+, или Tm3+, или Nd3+, компоненты берут в стехиометрическом соотношении Me - 93%, R - 2%, PbF2 - 5%, или Me - 96%, R - 2%, PbF2 - 2%, или Me - 97%, R - 1%, PbF2 - 2%, с последующей их укладкой в графитовый тигель в форме «лодочки» с крышкой из того же материала, далее осуществляют установку тигля с компонентами в высокотемпературную вакуумную печь с графитовым тепловым узлом и нагрев в ней до температуры 200-250°С в вакууме с последующей выдержкой в течение 3-4 ч, затем нагрев тигля с компонентами в высокотемпературной отжиговой вакуумной печи до температуры 700-750°С в атмосфере вакуума с последующей выдержкой в течение 3-4 ч, нагрев тигля с компонентами в высокотемпературной отжиговой вакуумной печи до температуры 1000-1300°С в избыточной атмосфере вакуума и выдержкой 6 ч и последующей выдержкой в избыточной атмосфере фтороводорода HF или тетрафторметана CF4 в течение 6-8 ч и инерционное охлаждение полученного спека до комнатной температуры, при этом используют печь и тигель, не содержащие в составе своего материала молекул кислорода.

Изобретение относится к технологии выращивания фторидных кристаллов, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Одним из вариантов является способ выращивания кристаллов флюоритовых твердых растворов М1-xM'xF2, где М=Са, Sr, Ва; М'=Pb, Cd, где 0<х<1 и является мольной долей летучего компонента М'F2, включающий вертикальную направленную кристаллизацию компонентов во фторирующей атмосфере, при этом предварительно переплавляют во фторирующей атмосфере компоненты MF2 и М'F2, размалывают названные компоненты, затем количество (1-х) компонента MF2, определяемое стехиометрией выращиваемого твердого раствора M1-xM'xF2, помещают в тигель 3 в корпус 1 ростовой печи, содержащей тепловой узел 2, а необходимое количество компонента М'F2, определяемое его мольной долей х, помещают в виде гранул в дозирующее устройство 5, которое вакуумноплотно устанавливают на верхний фланец ростовой камеры печи, далее печь вакуумируют до уровня остаточного давления 5⋅10-4-10-5 мм рт.ст., заполняют печь смесью газов Не и CF4 в количестве 5-10 об.

Изобретение относится к технологии получения перовскитных структур для тонкопленочных оптоэлектронных устройств в технологических процессах производства светодиодов, солнечных элементов и фотодетекторов со спектральным диапазоном от 400 до 780 нм, запрещенной зоной от 3,1 до 1,57 эВ. Способ химического осаждения сплошных пленок со структурой перовскита со структурной формулой АРbХ3 для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов, где А является катионом в виде СН3NН3+, или (NH2)2CH+, или С(NН2)3+, или Cs+, или их смеси, X является анионом в виде Сl-, или Вr-, или I-, или их смеси, из газовой фазы, заключается в размоле компонентов синтеза АХ и РbХ2 в молярном соотношении в диапазоне от 1:4 до 1:1 в шаровой мельнице в режиме 12 циклов по 5 мин при 400 об/мин до образования стехиометрического соединения, последующей загрузке продуктов размола в зоне нагрева и испарения компонентов синтеза, размещении плоской подложки в зоне нагрева и осаждении продуктов синтеза, обеспечении давления 10 Па в реакционном объеме и потока транспортировочного газа в направлении от зоны нагрева компонентов реакции к зоне осаждения продуктов реакции, увеличении температуры в зоне нагрева до испарения компонентов синтеза, увеличении температуры в зоне осаждения продуктов реакции, формировании фотоактивного перовскитного фотолюминесцентного слоя путем химического осаждения из газовой фазы на подложке в зоне осаждения продуктов синтеза при температуре, повышенной до 305°С и поддерживаемой до завершения процесса.

Изобретение относится к области сенсорики и сверхвысокочастотной (СВЧ) техники, в частности к созданию управляемых сенсоров магнитных полей, фильтров, модуляторов и маршрутизаторов СВЧ-излучения, оптически управляемых логических элементов, преобразователей сигналов, рабочим материалом которых являются эпитаксиальные пленки феррит-гранатов с перестраиваемыми свойствами за счет управления магнитоупругой связью в монокристалле с помощью когерентного оптического (лазерного) излучения.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2022-01-26 2022-12-05T09:20:23
Наверх