Патент ссср 282758

 

282758

ОП И САНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Соя» Советски»

Социалистически»

Реслтбли»

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 28.XII.1967 (№ 1206827/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 28.IX.1970. Бюллетень ¹ 30

Кл. 42m<, 7/26

МПК G 06 7, 26

УДК 681,333(088.8) иомитет оо делаю иасбретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 14.XII.1970

Автор изобретения

l0. A. Виноградов

Заявитель

ПОТЕНЦИАЛЬНОЕ ЛОГИ IECKOE УСТРОЙСТВО

Изооретение относится к аналоговой вычислительной технике, Известное потенциальное логическое устройство, содержащее диодную сборку, не позволяет реализовать функцию (3 — макс (xI, х )).

Предлагаемое устройство отличается тем, что с целью реализации функции (3 — макс (xI, х )), оно дополнительно содержит двухступенчатые элементы и сумматор, причем входы диодиой сборки служат входами устройства, выход дподной сборки соединен со входами двухступенчатых элементов, выходы последних соединены со входами сумматора, выход которого служит выходом устройства, а выход одного двухступенчатого элемента дополнительно соединен со вторым входом др гого двухступенчатого элемента.

Потенциальное логическое устройство реализует фупкцгио (3 — макс (xl, х.,)) из P,,— числя перемещений из четырех посылок.

На фиг. 1 приведена блок-схема элемента, на которой — двухступенчатые элементы; макс — элемент, реализующий функцию макс(хь х ), но не имеющий ни единого устойчивого (в смысле — ((1) состояния; СМ—

Of дх сумматор, формирующий пя выходе сигнал, „ /Of существ IIIIA зависящий — — 0 и пи любых хг д. и наоборот от обоих поступающих на его входы сигналов.

На фиг. 2 представлена принципиальная схема элемента. Функции двухступенчатых элементов выполняют транзисторы Т, и Т,.

В качестве элемента «макс» взята диодная сборка. Смесителем является полусумматор, 10 выполненный на резисторах RI и R .

Рассмотрим функционирование элемента, пренебрегая некоторыми непринципиальными деталями (влиянием Р,, остаточным коллекторным напряжением, неидеальностью эмит15 терного повторителя и т. п.). Пусть UI(Uq, RI — — Рг))Р., тР,-,. Делители Рз и R;, для Т, и Roc R<» Рс для Т выбираются так, чтобы обеспечить следующие состояния элемента:

1. Макс (х, х,) =0. Транзисторы Т, и Т> за20 пер lsl II (вых, == (UI+ (2) °

2. Макс (x,, x ) =1. Транзистор Т, заперт, U

Т, открыт до насыщения, U,„,,:

3. Макс (х,,х,) =2. Транзистор Т, открыт, U,, Т заперт, U,ù<, 2

4. М lllc (хь lg) =3. ТРЯизис гоРы Г, и Т От30 кр и и», U8ûx„. = 0.

z8275i

Предмет изобретения

Фиа 7

Рык. х, к, (.оставитель Е. Тимохинй

Техред Л. Я. Левина

Корректор О. С. Заицева

Редактор Ю. Д. Полякова

Заказ 3578/15 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и о1крытнй при Совете Министров СССР

Москва, >К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Потенциальное логическое устройство, содержащее диодную сборку, отлыч o!qeecÿ тем, что, с целью реализации функции (3 — макс (хь х2)), оно дополнительно содержит двухступенчатые элементы и сумматор, причем входы дподной сборки служат входамп устройства, выход диодной сборки соединен со входамп дву: ступенчатых элементов, выходы последних соединены со входамп сумматора, выход которого служит выходом устройства, а выход одного двухступенчатого элемента дополнительно соединен со вторым входом другого двухступенчатого элемента.

Патент ссср 282758 Патент ссср 282758 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике, вычислительной технике и может использоваться в системах управления, а также при автоматической обработке текстовой и языковой информации

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для использования в логических устройствах на биполярных и комплементарных МДП-транзисторах, его целью является повышение быстродействия преобразователя уровня ЭСЛ-КМОП, которое достигается введением в устройство первого и второго элементов смещения 19, 20 и изменением связей компонентов, позволившим реализовать в устройстве метод форсированного управления активными p- и n-канальными МДП-транзисторами 13 - 116, при котором воздействие на транзисторы осуществляется одновременно по выходам истока и затвора

 // 296261

 // 320058
Наверх