Способ изготовления пленочных конденсаторов
О П И С А Н И Е 288153
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 14.!Х.1968 {№ 1270131/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано ОЗ.XII.1970. Бюллетень ¹ 36
Кл. 21g, 10/02
MHK H 01g 13/00
УДК 621.319.4 (088.8) Комитет по делам изосретвний и открытий при Сввете Министров
СССР
Дата опубликования описания 3.П.1971
Авторы изобретения И. Л. Гольдберг, Л. И. Чебоненко, И. И. Вайсберг и В. С. Зыков
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ
Изобретение относится к области изготовления пленочных конденсаторов постоянной емкости с многослойным диэлектриком.
Известны способы производства пленочных конденсаторов с комбинированным диэлектриком, полученным методом вакуумного напыления.
Однако используемые в качестве диэлектрика системы диэлектрических материалов не обеспечивают при удельной емкости
6000 пф/см и рабочем напряжении 13 — 15 в стабильные электрические характеристики.
По предлагаемому способу для повышения удельной емкости, рабочего напряжения и процента выхода годных конденсаторов в качестве многослойного диэлектрика конденсатора используют последовательно осажденные в вакууме слои моноокиси кремния и моноокиси германия.
Материалы осаждают на неподогретую подложку из ситалла при вакууме 2 5 ° 10 л1л рт. ст. Сначала напыляют нижнюю обкладку конденсатора из слоя титана и алюминия, затем осаждают моноокись кремния и моноокись германия. Температура испарения моноокиси кремния 1200 †13 С, моноокиси германия
5 не более 800 С. Суммарная толщина диэлектрика 1200 †15 А.
Верхнюю обкладку алюминия напыляют обычным методом.
Предмет изобретения
Способ изготовления пленочных конденсаторов постоянной емкости, содержащих мно15 гослойный диэлектрик в виде окислов, полученных методом вакуумного осаждения, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения удельной емкости, рабочего напряжения и процента выхода годных конденсаторов, в качестве
20 упомянутых окислов используют последовательно осажденные слои моноокиси кремния и моноокиси германия.
