Способ пайки полупроводниковых приборов

 

289680

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскмх

Социалистических

Республик

Зависимое от а вт. овлдетельства М—

Заявлено 17.1Ч.1968 (№ 1233893/25-27) с присоединением заявки М—

Приоритет—

Опубликовано 06.1.1971. Бюллетень Хо 4

Дата опубликования описания 23.III.1971.ЧПК В 23k 3/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистрое

СССР

УДК 621.791.361.6 (088,8) Авторы изобретения

А. А. Рассошинский, В. А. Лебига, В. М, Кислицын, Е. А. Альперович и В. В. Корнилов

Заявитель

СПОСОБ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Известен способ изготовления полупроводниковых:приборов, при котором элементы прибора собирают в пряспособлении, нагревают и подвергают сжатию, Предлагаемый способ пайки отличается от известного тем, что, с целью повышения качества паяного соединения, элементы прибора сначала нагревают до TBMIIIBpaTvpbl на 40—

70 С ниже температуры плавления припоя и выдерживают при этой температуре, воздействуя на паяемое соединение ультразвуковыми колебаниями, затем температуру повышают до температуры плавления припоя, производя нагрев постоянным электричеоким током, и выдерживают п ри этой температуре, подвергая соединение повторному воздействию ультразвуковых колебаний.

Использование ультразвуковой оораоотк в сочетании с обычным нагревом деталей путем теплопроводности от нагревателя и дополнительным нагревом модулированного выпрямленного электрического тока в прямом направлении относительно р-и-перехода пластин полупроводника позволяет снизить градиенты температуры по сечению всех элементов прибора и в особенности самого чувствительного элемента пластин полупроводника.

Способ поясняется чертежом.

Описываемый способ позволяет,получать одновременное присоединение нескольких плоских металлических проводниковых выводов к полупроводниковым кристаллам германия, кремния, карбида, арсенида галлия ti др.

Предварительно собранные в приспособлении 1 в необходимой последовательности элементы прибора 2 нагреваются со скоростью нагрева 10 С,.ттин до температуры на 40 — 70 С ниже температуры плавления припоя или образования (плавления) эвтектической прослойки на отдельном нагревателе 3 или струей горячего газа (I ста дня), затем все элементы прибора сжимают с определенным усилием Р, например, электродом наконечникох! тльтразвуковой головки 4 (II стадия) и собранные эле1о менты 1 подвергают воздействию механических колебаний ультразвуковой частоты (III стадия). При этом происходит увеличение фактического контакта между соединяемыми элементами прибора, выравнивание темпера20 туры между отдельными элементами. Затем через все соединяемые элементы пропускают выпрямленный электрическии ток в прямом направлении относительно р-и-перехода полупроводника. Передний фронт огибающей им25 пульса электрического тока модулируют таКим образом, чтобы нарастание температуры пластины полу проводника, вызванное прохождением электрического тока достаточной величины, не превышало 50 С/.ттин (IV стадия).

Beë è÷èíà тока выдерживается с таким рас289680 ч етом, чтобы тем пер атур а и а и 1ои- сварки эл ементов приоора поддерживалась в течение времени, необходимого для равномерного нагрева всех элементов. вышения качества паяного соединения, элементы прибора сначала нагревают до температуры на 40 — 70 С,ниже температуры плавления припоя и выдерживают при этой температуре, воздействуя на паяемое соединение ультразвуковыми колебаниями, затем температуру повышают до температуры, плавления припоя, .производя нагрев постоя|иным электрическим током, и выдерживают при этой температуре, подвергая соединение повторному воздействи о ультразвуковых колебаний.

Способ пайки полупроводниковых приборов, прои котором элементы прибора собирают в приспособлении, нагревают и подвергают сжатию, отличающийся тем, что, с целью поЕЛ

Я Х F

Составитель Л. Абросимова

Редактор Г. К. Гончарова Тек ред Л. В. Куклина

Заказ 47 296 Тираж 473

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий

Чосква К-35, Раушская наб., Тип. Харьк. фил. пред. «Патент: >

Предмет изобретения

Корректор Н. Л. Бронская

Поди иснос при Совете Министров СССР д. 4/5