Установка для вытягивания из расплава слитков по способу чохральского

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН И Я

297389

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

МПК В 01j 17/18

Заявлено 30.1.1970 (№ 1401940/22-1) с присоединением заявки №

Комитет по делам

Приоритет

Опубликовано 11.111.1971. Б|оллетень ¹ 10

Дата опубликования описания 19.IV.1971 изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 669.054.002.5 (088.8) Авторы изобретения

Р, В. Иванова, С. Б. Звягин, А. А. Бельский и Н. А. Новиков

3 аявитель

Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометалл ической промышленности

УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ ИЗ РАСПЛАВА

СЛИТКОВ ПО СПОСОБУ ЧОХРАЛЬСКОГО

Изобретение может быть использовано преимущественно для получения слитков легкоплавких материалов высокой степени чистоты.

Известная установка для вытягивания из расплава слитков по способу Чохральского включает нижнюю камеру с установленным в ее полости тиглем и несколько верхних камер, снабженных тянущими штоками и отделенных от нижней камеры герметичными затворами. Верхние камеры подсоединяются к нижней камере поочередно, в связи с чем одновременно можно производить вытягивание только одного слитка.

В предложенной установке IIH>KI ÿÿ камера и тигель имеют форму кольца, по окружности которого неподвижно установлены верхние камеры, что позволяет повысить ее производительность.

На чертеже изображена предложенная установка в плане и разрезе.

Установка включает ни>кнюю кольцевую камеру 1 с тиглем 2 и несколько установленных неподвижно по окружности тигля верхних камер 3, снабженных тянущими штоками 4.

Камеры > отделены от нижней камеры герметичными затворами 5. Для перемешивания расплавленного материала установка сиабжена электромагнитным насосом б, смонтированным на тигле.

При использовании установки для получения слитков легкоплавких металлов, например галлия, нагрев расплава в тигле производится при помощи термостата. Тигель снабжец покрытием из фторопласта.

Установка работает следующим образом.

Собранную установку с установленными на

1О штоках затравками откачивают, заполняют кольцевой тигель расплавом, включают электромагнитный насос и производят последовательно затравление в каждой камере. Выраще|и|ый слиток поднимают в верхнюю ка15 меру, перекрывают затвор и производят выгрузку слитка.

Предмет изобретения

Установка для вытягивания из расплава

2О слитков по способу Чохральского, включающая нижшою камеру с тиглем и несколько верхних камер, снабженных тянущими штоками и отделенных от нижней камеры герметичными затворами, отличающаяся тем, что, 25 с целью повышения производительности, нижняя камера и тигель имеют форму кольца, по окружности которого неподвижно установлены верхние камеры.

297389

Составитель Т. Г. Фирсова

Редактор Г. Белобжеская Техред А. A. Камышиикова Корректор О. Б. Тюрина

Заказ 1034/9

Тираж 473 Подпи иое

Ц 1ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР одписиое

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Установка для вытягивания из расплава слитков по способу чохральского Установка для вытягивания из расплава слитков по способу чохральского 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано в конструкции плавильного устройства для выращивания кристаллов из расплава, преимущественно кремния

Изобретение относится к устройству для выращивания кристаллов и способу выращивания кристаллов

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции

Изобретение относится к технологии получения кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например кремния, для полупроводниковой промышленности методом Чохральского

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)
Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов

Изобретение относится к созданию резервуара для хранения расплавленного кремния и способа его изготовления

Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского

Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, преимущественно, при получении кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского
Наверх