Способ изготовления гонких слоем диэлектрика

 

Класс 21е, 2

М З441аОПИСННИЕ способа изготовления - тонких слоев диэлектрика, К -патенту ин-ной фирмы „Телефуннен, о-во беспроволочной телеграфни с огр. отв." (Telefunken Gesellschaft fUr:drahtlase Telegrephie m. b;,Н.), в г.Берлине, Германия, заявленному 2 июля 1929 года (заяв. свид. № 50340).

Действительный изобретатель А. Майснер (А. Nleissner).

Приоритет от 4 июля 1928 года на основании ст. б Советско-германского соглашения об охране промышленной собственности.

О выдаче патента опубликовано 31 января 1934 года.

Действие патента распространяется на 15 лет от 31 января 1934 года. (525) Опыты показали, что можно значительно улучшить качество изоляцион; ных материалов, если их, при переходе .из мягкого или жидкого состояния, в твердое, подвергнуть действию сильного электрического поля. Действие электрического поля может быть осу ществлено, например, таким образом, что к одной или обеим сторонам слоя, подлежащего обработке, прикладываются электроды, к которым, в зависимости от толщины диэлектрика, подводится напряжение от 1 до 10 киловольт. Если диэлектрик находится еще в жидком, мягком или не совершенно застывшем состоянии, то под влиянием

1 сильного поля у электродов возникают значительные силы, действующие на изоляционнь и материал. Под действием э1тектрическрго поля, вернее, под действием возн14кающей в диэлектрике неравномерности поля, диэлектрик с большой силой прижимается к электроду, а все пузыри воздуха и примеси в диэлектрике отталкиваются от электрода.

В результате подобной- обработки

- =i. диэлектрика слои, прилегающие к электродам, значительно уплотняются, а частицы диэлектрика более правильно группируются.

В случае тонких слоев достаточно установить электроды с одной стороны, в случае же более толстых слоев могут возникнуть при обработке известные затруднения в смысле достижения однородности материала.

Предлагаемое изобретение предста-вляет собой способ изготовления таких слоев и отличается тем, что в качестве электродов использованы - прокатные вальцы, к которым напряжение подается с одной или обеих сторон во время процесса вальцовки.

Если требуется использовать изготовленные таким образом тонкие слои для высоких напряжений, то целесообразно накладывать их один на дру: гой, или же можно также, по изготовлении одного слоя, порыть его металлической фольгой или металлизировать его и использовать этот слой в качестве электрода для нового слоя.

Предмет патента

Способ изготовления тонких слоев диэлектрика для целей высокого напряжения, в котором затвердевание изоля .ционного материала происходит под, действием электрического поля, отли- чающийся тем, что в качестве электродов использованы прокатные валы в процессе вальцовки диэлектрика.

Эксперт В. И. Волынкин

Редактор.И.,И. Давыдов

Ленпромпечатьсоюз. Тип. „Печ. Труд". Зак. Ззб1 — 400 . (

Способ изготовления гонких слоем диэлектрика Способ изготовления гонких слоем диэлектрика 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изделий радиоэлектронной техники, а именно к способам изготовления электроизоляционных покрытий многожильных кабелей

Изобретение относится к электротехнике, а точнее к полимерному изоляторостроению, и может быть использовано для изготовления полимерных стеклопластиковых изоляторов и покрышек для станций, подстанций, сетей и электрофицированных железных дорог, в том числе для контактной сети

Изобретение относится к области электроэнергетики

Изобретение относится к области электротехники и касается особенностей выполнения составного изолятора, составного соединительного звена, способа изготовления составного изолятора и выполнения изолятора

Изобретение относится к изоляционным материалам и способам их изготовления

Изобретение относится к способам получения высоковольтных полимерных изоляторов методом литья

Изобретение относится к высоковольтному аппаратостроению и может найти применение при изготовлении либо ревизии высоковольтных вводов

Изобретение относится к высоковольтному аппаратостроению и может найти применение при изготовлении либо ревизии высоковольтных вводов
Наверх