Патент ссср 302856

Авторы патента:

В. А. Григорьев, Н. Ф. Карантиров, А. Б. Невский , И. Д. Зайцева

H05K3/06 - удаление токопроводящего материала химическим или электролитическим способом, например фототравлением

G03F7/26 - обработка светочувствительных материалов; устройства для этой цели (G03F 7/12-G03F 7/24 имеют преимущество)

О П

ИЗОБРЕТЕНИЯ

302856

Саюа Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства Ке

Заявлено 20.11.1970 (№ 1405979, 26-9) с присоединением заявки гче

Приоритет

Опубликовано 28.IV.1971. Бюллетень М 15

Дата опубликования описания 1Л П.1371

МПК Н 05k 3/00

Комитет по делам иаобретепкй и открытий при Совете Мпиистров

СССР

УДК 621.3.049.75 (088.8) Лвторы изооретения В. A. Григорьев, H. Ф. Карантирсв, А. Б. Невский и И. Д. Зайцева

Заявитель

ФОТО ШЛЬАО Н

Предмет из о бр етения

10,Известен фотошаблон, выполненный в виде прозрачной стеклянной подложки с нанесенным на ее поверхность маскирующим непрозрачным слоем по заданному рисунку схемы.

Цель .изобретения вЂ” увеличение срока службы фотошаблонов.

Для этого в качестве материала маскирующего слоя, использована пленка борида металла, например циркония с равномерно распределенными по толщине слоя микрогранулами циркония и бора, 11рименение борида металла определяет высокую адгезию максирующего слоя к подложке, а гранулы чистого металла и бора служат

KBK бы армирующим звеном, снимающим внутренние напряжения и предотвращающим лоявление микротрещин при тепловых ударах.

Существенную роль играют размеры гранул, определяющие разрезашающую способность фотошаблона. Это особенно важно в микроэлектронике, где размеры отдельных элементов весьма малы. Наилучшее разрешение может быть получено при размерах гранул вещества пленки, близких к молекулярным.

Фотошаблон, выполненный в виде прозрачной стеклянной подложки с нанесенным на ее поверхность маскирующим непрозрачным слоем по заданному рисунку схемы, отличаюитийся тем, что, с целью повышения срока службы фотошаолонов, в качестве материала маскирующего слоя использована пленка борида металла, например, циркония с равномерно распределенными,по толщине слоя микрогранулами цирконня и бора.

Похожие патенты:

Способ создания зазоров // 298086

Способ изготовления печатных плат // 293312

Способ изготовления печатных схем // 290494

Способ изготовления фотош.лблонов для многослойных печатных пленочных плат // 280594

Способ нанесения рисунка печатной схемы // 277897

Способ изготовления печатных схем // 273867

Способ изготовления трафаретов // 272407

Патент 271599 // 271599

Патент 271598 // 271598

Способ изготовления многослойной печатной обмотки электрических машин // 254634

Способ изготовления офсетных печатных форм для печати документации // 201029

Способ изготовления рельефной формы // 127266

Способ изготовления автотипных цинковых клише без ручной корректуры // 82372

Способ печатания с форм с увлажняемыми пробелами // 69018

Способ определения глубины залегания модифицированного приповерхностного слоя в полимерной пленке // 2148853

Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках

Способ контроля процесса экспонирования пленки фоторезиста // 2148854

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов

Алкилфенилбисацилфосфиноксиды, их смеси, фотополимеризуемая композиция, содержащая их, способ фотополимеризации и субстрат, покрытый этой композицией // 2180667

Способ травления слоя фоторезиста // 2318231

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления

Способ удаления резистивной маски // 2318267

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций

Способ допроявления фоторезиста, нанесенного на пьезоэлектрическую подложку // 2401321

Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы)

Устройство для быстрого прототипирования и способ быстрого прототипирования // 2402796

Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2)