Бсесоюзнам inatehtho-texkjisechahlби5
30470I
ОПИСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №, I\HK, Н 03k 1924
Заявлено 25.11.1970 (№ 1408294/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 25.V.1971. Б10г!г!стен!> № 17
Дата опубликования описания 07.3 I I.! 971
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
У ),К 621.374.335.2(088.8) ьсяСООЗН я
ИАТЕНТНО-ТЕХ!; "- Е"К4,;!
БЦ1 .ГЯ,() = ЦД
Авторы изобретения
В. И. Старосельский и А. Н. Сапельников
Московски и инженерно-физически и институт
Заявитель
СХЕМА СОВПАДЕНИЙ НА ДИОДАХ ГАННА входные диоды подаются запускающие импульсы.
Запускающие импульсы возбуждают во входных диодах домены сильного тока, которые образуются вблизи катода и движутся по направлешпо к аноду. Прп этом ток через дн0g I13. l1L lI II CTC H T
При одновременном поступлении запускающих импульсов нг оба входа уменьшение тока
10 входных диодов во время прохождения доменов мимо участка с диэлектрическим покрытием вызывает увеличение тока в выхо 1ном диоде, достаточное для возбуждения в нем домена. Прп прохождении домена мимо дп15 электрического покрыт!!я форма тока сооТветствует участку аб на кривой Б. По чертежу видно, что отношение """ опрсделя!Ощее
Iяин
«еличпну области работоспособности, может
20 быть значительно увеличено. Разрешающее время нредлагасмон схемы совпадешш приблизительно равно времени прохождения д0мсна мимО уч!Iстк!1 с днэ. !ектрн Iескпм нокр1>1тпем и может быть сведено к мглой величине.
Схема совпадешш на диодах Ганна, содержащая соединенные параллельно и нагру30 женные на общий резистор один выходной и
Устройство предназначено для использования в быстродействующей цифровой вычислительной технике.
Схемы совпадений на диодаv Ганна, содержащие соединенные параллельно и нагрухкенные на общий резистор один выходной и два или более входных диодов, известны.
К недостаткам известных схем совпадений относится малая величина области работоспособности, жесткие требования к допускам на параметры диодов и малое быстродействие.
Предложенная схема совпадений отличается от известных те»1, что часть поверхности входных диодов покрыта диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью, например Ва TIO3.
Это увеличивает область работоспособности и быстродействия схемы и позволяет ослабить требования к допускам на параметры диодов.
На фиг. 1 приведена схема совпадений на диодах Ганна; на фиг. 2 показана форма тока в обычном диоде Ганна (А) и в диоде с участком диэлектрического покрытия (Б).
Схема совпадений состоит из трех или более одинаковых диодов Ганна, из которых один является выходным 1, а остальные 2 и
3 — входными. Входные диоды имеют участки с диэлектрическим покрытием 4 и 5, например Ba Tio>. Диоды соединены параллельно и нагружены на общий резистор 6. На
Предмет изобретения
304701 т-иг l тмин мин
Составитель Д. А. I"ðå÷èíñêèé
Корректор Л. Б. Бадылама
Рсдактор b. С. Нанкина
Тскрсд Л. Л. Евдонов
Заказ 1831 Я И зд. ¹ 752 Тираж 473 Г1одlIIIснос
ЦГ1ИИПИ Комптста но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4, 5
Типография, пр. Сапунова, 2 два или более в однь13 диодов, отлива)ощаяс.l тем, что, с цельlo увеличения области работоспособности, ослабления требований к допускам на параметры диодов и повышения быстродействия, диодов покрыта .-. лектрической
Б и Т10з. часть поверхности вкодпык диэлектриком с высокой дипроницаемостью, например
