Устройство для измерения характеристик переходов полупроводниковых приборов

 

Союз Советских

Социалисти". Вских

Республик (11) 130:4864 (61) Дополнительное к авт. свид-Ву

2 (51) М. Кл.

G 01 Я 31/26 (22) заявлено 19.06, —, 0 (21) 1440943!26-25

1 с присоединением заявки № (оЗ) Приоритет

Государатеееный кеми.ет

CoBBTG Мыанетрав СССР по делам:.я";ееретений и ОткрьГ,и (4З) )пУоликовано 05,08.76.Бюллетень Яе 29 (53) УД f(l621.382.333. ,34 (088.8) (45) Дата опубликования описания 28.10,76

Ю. Л. Нуров, A. Н., Пиорунский, Б, Е. Федоров и B. М. Иванов (72) Авторы иаобре åH Àí (71) Заявитель 54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ i ХАРАКТЕРИСТИК

ПЕРЕХОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

И зобретение относится к измерительной ,технике. Устройство может быть использова но для исследования. зависимостей т=ф), m-i(r), m- (), !

Известьы устройства для измерения харак; 5 ,теристик а-л переходов полупроводниковых !

I приборов, с держащие задающий генератор ., постоянного напряжения, два, калиброванных резистора, параллельно одному из которых,, включен прерыватель для задания тока пря- 1О моугольной формй с постоянной составляю щей через испытуемый р-тт переход, и измеритель колебаний напряжения на переходе.

Для известного устройства xap::-.;ñòåðиы:;Ь вЂ” невозможность непосредственного отсчета коэффициента отклонения реальной вольтам перной характеристики р-т перехода от (идеальной диффузионной характеристики (козф:- " фициенr г 1 ) при изменении в широких пре- 30 но в значениях коэффициента отклонения.

На чертеже изображена блок-схема устройj ства. ! Генератор 1 стабилизированного напряже-1

25, ния, делитель с резистороми 2 и 3,,комму: делах рабочего тока через переход; технические трудчости измерения коэффициента тт. в режиме микротоковя связан ные с необходимостью использования в качестве ток ..з,;даю-Них резисторов прецизионных резисторов с миогомегомными сопротивлениями;

- значительные погрешности измерения из-за неидентичности характеристик диодов в измен» фительном тракте.

Иель изобретения †.обеспечение непосред,отвенного втечете коеффннненте отклонения по шкале измерительного прибора в широком диапазоне рабочих токов и повышение точности измерений. Достигается она теь ., что в предлагаемом устройстве задающий генера тор выполнен. в виде операционного усилите! ля, на вход которого включены два калиброванных резистора, а испытуемь1й переход включен в цепь обратной связи другого оперЖ- пионного усилителя, к выходу которого через переходной кондейсатор подключены усилитель прямоугольного напряжения с калиброванным коэффициентом . усиления и измеритеььнапряжения, проградуированнькй непосрец

Ф о р м ч л а и.з е 6 p e Ã

Х 1

)„

ПНИИПИ Заказ 4970/438 Тираж 1029 !Од1„1:„с--:

Филиал ППП Патент „, г. У.кгород., ъл, !.1О. .:.Вк",-.;ВЯ. 4 тируемый электронным прерывателем 4, и операционный усилитель 5 с внешнимирезистороми 6 и 7 вырабатывают прямоугольнве напряжение, наложенное на постоянную составляющую, причем «отношение, амплитуды прямоугольного напряжения к постоянной сос тавляющей всегда одно и то же. Зго напряжение через резистор 8 подается на второй операционный усилитель 9, в цепи обратной связи которого имеются клеммы 1О для О включения испытуемого р-т1 перехода. Величина тока через испытуемый р-и переход определяется выходным напряжением Операционного усилителя 5 и сопротивлением резистора 8. Выходное напряжение операционного )5 усилителя 9 (л0 j предстввляет собои постоянную составляющую прямого падения .напряжения на испытуемом переходе, обуслов-. . ленную рабочим током. д и йалаженное йа йее прямоугольное напряжение, обусловленное1,Я

r приращением тока h,Ä; коэффициент Отклоне1 ния

aU

4 Рт ь1

Прямоугольное йапряжение 6 U через конден- б сатор 11 поступает на усилитель прямоугольного напряжения 12 с калиброванным коэффициентом усиления и измеритель напряжения

13, шкала которого проградуирована непосредственно В значения коэффициента отклонения 36 . При коэффициенте усиления усилителя

: К =40, отношении — = 0, 1 и температуре ьэ

О . - 1 окружающей среды 300 С К (Д., =25 мв -, Ф показание измер.1теля напряжения 13 (У„н) составляет: .. 85

Цщ - ц 1 т -1 ч 00 Ч1"1в) . т. е. Можно получить прямой отсчет коаурй= циента т11 В пиала,. не прямы. рез Q — A перехэд QT . 0 наноа1.,Я.- ." погрешность измерения коафф1.;- HBH:=. - т,;:: превышает 3%.

Применен..= Опис- -::де; Br-a —; с -О.серийном производстве:.;эволит :.: - e..:: надежность полупроводниковых .;р:. -..- В ;

Даот ВОЗМОжНОЕт -: -СЛЕ : >Ва"Ь З- = —— 14: 1 1 - 1 (Y (iY,=: ф, УстрОйстВО для изменения:.:-:ра! " — и:- "; р- 1 переходов аолупроводннковь:х аи,. например козффиииента откло:-:ения .=;:-.а -,.

Ь 7 вальтамперной харакгернстики- Вот идеальной диффузионной хар-.::..: содержждее задающий генератор напряжения„дв:.i 1 алиб Ованнь!х, :".:":; 1. =. параллельно од1 ему из которых:;:.Нк

1тронный!прерыватель, и измерител:- :.Ол-.::;.ний напряжения на р-"и переходе.„ ч а ю щ е е с я тем, .-.то, с целью Об:- ..—

f чения непосредственно:1О отсче.-.;-. коаоф;...=, — :"-TB Отклонения йо шкале измер :уе- ь:.::го " . 1 .

prB H широ .. м д BH!B:- э1:i= рабе . з

Вышения точнэсти "=1.1*=.рениГ, за, :ший р дтОр Выполпе1» В ":,.= = . HepBr ля„на Входе, КО:--:р;э-О ВН1ючепе1; резисторы;, а у 1илнтел.в . ueì жения и измеритель папржкення .Одклю;е1-.-, через переходной конденсатор к выходу дру-гого операционного усидителя, цепь Обрат-:.: —.й

СВязи которогО нмее !. !. леммы дГ .. д,:,;!YHк! ния испытуемогэ р-,-1 11ерехода,.

Устройство для измерения характеристик переходов полупроводниковых приборов Устройство для измерения характеристик переходов полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Тиристор // 252482

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх