Сегнетокерамический диэлектрический материал

Авторы патента:


 

ОПИСАНИГЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

313223

Сава Советских

Социалистическим

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 27.111.1970 (№ 1417631/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 31.VIII.1971. Бюллетень ¹ 26

Дата опубликования описания 28.Х.1971

МПК Н 01Ь 3j12

Комитет по делам иаобрвтений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 666.3,037.5(088.8) Авторы изобретения

Н. А. Андреева, В. И. Жуковский и А. A. Кутузова

Заявитель

СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

2 окись висмута В40 окись цинка ZnO

13 — 15

3 — 4

Предмет изобретения

Изобретение относится к технологии производства радиодеталей и может быть. использовано при изготовлении конденсаторов, работающих в условиях повышенных температур до 300 С.

Известен сегнетокерамический диэлектрический материал, содержащий углекислый стронций, двуокись титана, окись висмута и окись цинка.

Известный материал работоспособен до температур 200 †2 С, однако при дальнейшем увеличении температуры электрические свойства его резко ухудшаются.

С целью повышения рабочих температур изделий предлагаемый сегнетокерамический ма. териал содержит следующие компоненты, вес. %: углекислый барий 30 — 50, углекислый стронций 4 — 22, двуокись титана 27 — 32, окись висмута 13 — 15 и окись цинка 3 — 4.

Сегнетокерамический диэлектрический материал представляет собой твердый раствор системы Ва Ti03 — SI TiO — В1вО 3TiO с добавкой LnO. В качестве исходных компонентов используются следующие компоненты, вес. %: углекислый барий ВаСОв 30 — 50 углекислый стронций SrCO3 4 — 22 двуокись титана TiO> 27 — 32

Сегнетокерамический диэлектрический мате5 риал имеет величину диэлектрической проницаемости в при температурах 20 и 300 С, соответственно, а . = 1000 †14, е =500—

900, тангенс угла диэлектрических потерь, соответственно, 1дб, =0,002 вЂ,04, tg63

=0,002 вЂ,005, удельное объемное сопротивление при 300 С составляет 101О олт см.

Температура обжига материала равна

1160 С, а интервал температур спекания—

15 140 С.

go Сегнетокерамический диэлектрический материал, содержащий углекислый стронций, двуокись титана, окись висмута и окись цинка, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочих температур изделий, материал содер25 жит следующие компоненты, вес. %.. углекислый барий 30 — 50, углекислый стронций 4 — 22, двуокись титана 27 — 32, окись висмута 13 — 15 и окись цинка 3 — 4.

Сегнетокерамический диэлектрический материал 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к электротехнике, в частности к электрокерамике
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении газоразрядных индикаторных панелей (ГИП)

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу спекания с помощью СВЧ-нагрева, и может быть использовано для спекания компактированных керамических материалов микроволновым излучением

Изобретение относится к химическим соединениям оксидов ниобия, висмута и двухвалентных металлов - магния, цинка и никеля общей формулы (Bi2/3[ ] 1/3)2 (Me1/32+Nb2/3)2O6[]1, где [ ] - вакансии, Ме2+- Mg2+, Zn2+ или Ni2+, и может быть использовано для производства высокочастотных керамических конденсаторов
Наверх