Способ определения теплового сопротивлениятиристоров

 

3I4I62

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16.Ч1.1969 (№ 1338323/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 07.1Х.1971. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 31.1.1972

МПК G 01г 31/26

Комитет по делам изобретений н открмтий при Совете Министров

СССР

УДЕ 621.317.799(088.8) Авторы изобретения

И. Г. Недолужко, В. Ю. Голиков и Д. Д. Бальмако

Московский ордена Ленина энергетический институт

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ТИРИСТОРОВ

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть применено при испытаниях и определении тепловых параметров тиристоров.

Известен способ определения теплового сопротивления тиристора с использованием температурной зависимости остаточного напряжения тиристора, состоящий в том, что тиристор помещают в термостат, предварительно снимают калибровочную кривую, т. е. зави- 10 симость остаточного напряжения от температуры, пропускают через испытуемый прибор калибровочный ток и ток нагрузки и по достижении установившегося режима периодически прекращают подачу тока нагрузки, после чего 1S измеряют величину остаточного напряжения.

Известный способ отличается недостаточной точностью и сложностью в связи с необходимостью измерить малые изменения напряжения на уровне большого остаточного напряже- 20 ния прибора, а также из-за несоответствия условий измерения рабочим условиям (замер производят при открытом тиристоре) .

Целью изобретения является повышение точности определения теплового сопротивления 25 тиристора и упрощение процесса измерения.

Указанная цель достигается тем, что после снятия тока нагрузки на анод открытого тиристора подают запирающее напряжение, за)lержанное относительно момента снятия тока 30 нагрузки на калиброванное время, изменяют его амплитуду до закрытия тпристора и фиксируют величину амплитуды запирающего напряжения, по которой судят о тепловом сопротивлении.

На чертеже представлена принципиальная схема, позволяющая реализовать предлагаемый способ.

Определение теплового сопротигления производится следующим образом. Испытуемый тиристор 1 предварительно помещают в термостат и задают калиоровочный ток от источника

2 с гомощью сопротивления 8. При этом, поскольку калибровочный ток больше тока удержания, по много меньше максимально допустимого тока, тиристор 1 практически не разогревается этим током и температура окружающей среды (корпуса) равна температуре кристалла. Температура корпуса тиристора 1 контролируется с помощью термопары.

При достижении установившегося теплового режима подают на анод тиристора запирающее напряжение, изменяют его амплитуду до закрытия тпристора и замеряют амплитуду напряжения при данной температуре. Таким образом сшгмают калибровочную зависимость.

Далее через тиристор 1, кроме калибровочного тока, подаваемого от источника 2 через сопротивление 8, пропускают также ток нагрузки, например, от источника 4 через со314162

Предмет изобретения

Составитель 3. Чели кона

Техред с.. Бор:: сова Корректор 8. Рождественская

Редактор Ю. Полякова

Заказ 383б/11 Изд. Я !489 Т;".раж 473 Подписное

Ц11ИИПИ Комитета по дев",M изобрете».й и о рытий при Совете Министров СССР

Москва, Я-35, Ра "пскап иаб.. д. 4 5

Типография, пр. Сапунова, 2 противление б и разделительный диод б (ток нагрузки контролируется амперметром 7). По достижении установившегося теплового режима отключают ток нагрузки при помощи замыкания ключа 8. Спустя некоторое время (примерно 200 — 250 лксек), которое необходимо для окончания электрических переходных процессов в тиристоре 1 и диоде б, но в течение которого температура кристалла практически не снизилась, подают на анод тиристора 1 запирающее напряжение от конденсатора 9 через тиристор 10. При помощи источника питания 11 через тиристор 12 заряжают конденсатор 9. Измеряют амплитуду запирающего напряжения до закрывания тиристора 1. 3амеряют амплитуду запирающего напряжения, соответствующую моменту запирания, например, с помощью лампового вольтметра И. По этому значению амплитуды запирающего напряжения с использованием предварительно снятой калибровочной кривой находят температуру кристалла и, зная мощность, рассеиваемую в тиристоре и температуру корпуса (по показанию термопары), определяют тепловое сопротивление.

Для следующего замера тиристор 1 открывают спустя некоторое время (не менее 50—

200 лксек), необходимое для установления электрических переходных процессов при вы5 ключении тиристоров.

Способ определения теплового сопротивле10 ния тиристоров путем суммирования калибровочного тока и тока нагрузки, протекающих через исследуемый тиристор, с последующим снятием тока нагрузки после установления теплового режима тиристора, с предваритель15 ным снятием калибровочной зависимости, отличаюшайся тем, что, с целью повышения точности и упрощения процесса измерения, после снятия тока нагрузки подают на анод открытого тиристора запирающее напряжение, за20 держанное относительно момента снятия тока нагрузки на калиброванное время, изменяют амплитуду до закрытия тиристора и фиксируют величину амплитуды запирающего напряжения, по которой судят о тепловом сопротив25 ленин.

Способ определения теплового сопротивлениятиристоров Способ определения теплового сопротивлениятиристоров 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх