Приставка многократно нарушенного полного

 

О Л -Н И Е

И ЗОБ РЕТЕ Н И Я

Союз Советскиа

Социалистическим

Республик

3I7962

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 29.XII.1969 (№ 1390120/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приор итетв

Опубликовано 19.Х.1971. Бюллетень № 31

МПК G Oln 21/48

G 01j 3/42 йомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 535.243.25 (088.8) Дата опубликования описания 14.1.1972

Авторы изобретения

В, М. Золотарев, Ю. Д. Пушкин и И. В. Пейсахсон

Заявитель

ПРИСТАВКА МНОГОКРАТНО НАРУШЕННОГО ПОЛНОГО

ВНУТРЕННЕГО ОТРАЖЕНИЯ

ДЛЯ СПЕКТРОФОТОМЕТРОВ ое чой окся ачся го ки тия го

Предмет изобретения

20 го ля нт яыИзобретение относится к оптическому приборостроению и предназначено для получения спектров многократно нарушенного полного внутреннего отражения (МНПВО) на серийных спектрофотометрах моделей ИКС-14, ИКС-16, ИКС-22 и др.

Известные приставки МНПВО с фиксированным углом падения содержат,внеосевые эллипсоиды или большое число сферических зеркал с наклонным .падением лучей, что приводит к большому астигматизму и снижению светопропускания.

В предложенной приставке с целью увеличения светопропускания перед элементом

МНПВО по ходу светового луча установлено цилиндрическое выпуклое зеркало, а за элементом МНПВΠ— тороидальное вогнутое зеркало.

На чертеже представлена оптическая схема приставки.

Приставка устанавливается в кюветном отделении спектрофотометра. Сходящийся пучок из осветителя попадает на плоское зеркало 1 приставки, а затем на выпуклое цилиндрическое зеркало 2, которое формирует промежуточное изображение источника в меридиональной плоскости (параллельно щели спектрометра) на выходной грани элемента 3

МНПВО, а в сагитальной плоскости — на входной грани. После прохождения элемента

МНПВО свет с помощью плоского зеркал попадает на тороидальное зеркало 5, кото формирует промежуточное изображен ие ист ника, локализованное на входной и выход гранях элемента МНПВО, в плоскости фо метрического клина б.

Для согласования приставки и ИК-сп трометра все зеркала могут поворачиват вокруг вертикальной оси, кроме того, зер

l0 ло 5 может смещаться поперек светового и ка. Элемент МНПВО может поворачиват вокруг оси, проходящей через плоскость выходной грани. Светопропускание приста по сравнению со светопропусканием изве ных приставок, имеющих тот же угол паде на элемент МНПВО, то же количество от жений в элементе и элемент МНПВО из т же материала, увеличено вдвое.

Приставка многократно нарушенн полного внутреннего отражения спектрофотометров, содержащая элем

25 МНПВО и два плоских зеркала, отличающ ся тем, что, с целью увеличения светопроп кания, перед элементом МНПВО по ходу с тового луча установлено цилиндрическое пуклое зеркало, а за элементом МНПВО 0 тороидальное вогнутое зеркало.

317962

Составитель Л. Гойхман

1скред Л. Богданова

Редактор Т. Орловская

Корректор 3. Тарасова

Областная типография 1(остромского управления по печати

Заказ 7638 Изд. J¹ 1397 Тираж 473 П одписное !!,11ÈÈÏÈ 1(омнтета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Приставка многократно нарушенного полного Приставка многократно нарушенного полного 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области физической органической химии, к разделу спектрофотометрии растворов, находящихся при повышенном давлении, и используется для научных исследований

Изобретение относится к измерительному устройству (14), содержащему датчик (16) для определения, по меньшей мере, одного компонента и/или, по меньшей мере, одного из свойств материала (4), причем датчик (16) содержит, по меньшей мере, один источник (18) освещения, который направляет, по меньшей мере, один световой луч (20) на подлежащий исследованию материал (4), а измерительное устройство (14) содержит, по меньшей мере, один эталонный объект (34, 32, 33) для калибровки измерительного устройства (14), при этом часть светового луча (20) источника (18) освещения отклоняется на эталонный объект (34, 32, 33) так, что устраняется необходимость в попеременном переходе с исследуемого материала на эталонный объект

 // 347516
Наверх