Полупроводниковая матрица
О П И C А Н И Е пп 320225
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Семз Советских
Социалистических
Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 28.06.68 (21) 1253763/26-25 с присоединением заявки М (32) Приоритет
Опубликовано 25,02.75. Б|оллстень No 7
Дата опубликования описания 18.07.75 (51) М. Кл. Н 01l 3/00
Государственный комитет
Совета Министров СССР ло делам изобретений (53) УДК 621.382(088.8) и открытий (72) Авторы изобретения
Е. Н. Хренов, С. А. Гаряинов, В. Г. Рж",íîâ и E. К. Ц1ергольд (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МАТ
Изобретение относится к вычислительной технике и может использоваться в дешифраторах и в элементах постоянной памяти вычислительных машин.
Известна кремниевая диодная матрица на сапфировой подложке. Однако эта матрица имеет большой разброс параметров диодов, как следствие невозможности получения воспроизводимой по всей площади сапфировой подложки пленки монокристаллического кремния, большие рассеиваемые мощности, значительные паразитные емкости в местах пересечения токоведущих дорожек, ухудшающие быстродействие матрицы, низкую надежность из-за большого числа сварок при коммутации диодов в требуемую схему и сложна в изготовлении.
Цель изобретения — повысить быстродействие и надежность матрицы.
Это достигается тем, что приборы коммутируются через низкоомный слой, расположенный на диэлектрической подложке и части полупроводника, из которого эти приборы изготовлены.
В диэлектрическую подложку матрицы утоплены полости монокристаллического кремния заподлицо с верхней плоскостью подложки. Диодные структуры образованы в полосках монокристаллического кремния, предварительно покрытых пленкой диэлектрика. Это позволяет выполнить L е межсоединепия (разводку) без паяных или сварных соединений и, таким образом, повысить надежность диодных матриц. Создание диодных структур в полос5 .ках монокристаллического кремния с малой плотностью дислокаций позволяет получить хорошую воспроизводимость параметров диодов в матрице. Низкоомный слой снижает рассеиваемые мощности, а уменьшение значений паразитных емкостей увеличивает быстродействие матрицы.
На чертеже изображена предлагаемая матрица в разрезе, Матрица состоиг из диэлектрической под15 ложки 1, например, из стекла, имеющей углубления, например полоски, заполненные монокристаллическим полупроводником 2, в частности кремнием. При этом стекло и кремний имеют близкие коэффициенты термического
20 расширения. Лицевая сторона подложки и полоски монокристаллического кремния покрыты диэлектрической пленкой 3, например двуокисью кремния. В полосках кремния (строках) образованы диоды 4, которые связаны
25 металлическими шинами 5. Диоды в строке соединяются по толщине полосок кремния, имеющих по краям контактные площадки 6. Для уменьшения сопротивления толщи полоски кремния отделены от подложки низкоомным
30 слоем 7, например металлом, 320225
Составитель А. Кот
Техред О. Гуменюк
Редактор В. Дибобес
Корректор Н. Стельмах
Заказ 1622/1 Изд. № 651 Тираж 833 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Плотность компонОВки диОдОВ в предлагаемой матрице составляет 800 — 1 000 000 диодов в 1 смз.
Принцип работы предлагаемой матрицы не отличается от известной.
Предмет изобретения
Полупроводниковая матрица, содержащая диэлектрическую подложку с выполненными в ней полупроводниковыми приборами, о тл11ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности матрицы, коммутация приборов осуществлена через низкоомный слой, расположенный на диэлектрической подложке и части полупроводника, из которого эти приборы изготовлены.
