Высокоомный резистивный материал

Авторы патента:

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

onweAsHE

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

326643

Сд}да Советски}(Социалистических

Республик

Зависимое от авт. Свидетельства Мо

Заявлено 08.Xll.1969 (№ 1382757/26-9) М. Кл. Н Olc 7/00

Комитет по делам иаадретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДЕ, 621.316.86(088.8) Опубликовано 19.1,1972. Ь!Оллетснь М 4

Дата опубликования описания б.IV.I!}72

A}3тор ы изобретения

Б. С. Гальперин и Д. П. Солдатова

Заявите,((ь

ВЫСОКООМНЫИ РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ дл!(наиоолее дисперсных саж, ITo позволяет получать тонкие нерви инде р nистивные композиции, а н}! 1}x oc(1013Lñ — Высокоомные 13TQP I (i(i (Ы Е КОМ П ОЗ И Ц И И, Опыт показывает, что таким путем величина предельного сопротивления может быть повышена примерно в 50 раз (нрн прочих равных условия: ), Перви шая композиция содержит 15 --25 объемных процентов аэросила, 80 — 40% с ажи (остальное — смола), смешиваемых обычными способами. K03(((oai((i(I(0 отверждак)т и измель шют и иснользуloT для создания втори шой композиции, добавляя свяжу!Он(ее (75 — 85% ио 00ъеh(3 В сухом Виде).

СВЯЗУIО(цаЯ смол 1 13 !1СРВИ 1110и н BT01)llчнои композициях может быть разлн шой, ITо расl1111J)}(cT И Редел ы Рс(3 .!}1!1)ОВа}н!Я llx сВОйсT13 (например, температурного коэффициента).

11спытания показали, ITo предельное соиротш ление вторичной композиции повышается также В десят) и 1)nn llo сраВие(I II(0 с 1 Омпозициями на обычшлх наиолнитслях.

l. Высокоомны!1 резистнвный материал, содержащий сажу, смолу н минеральный 1(аполнитель, OT, ãè÷øîùøññÿ тем, что, с целью полус присоединением заявки М

Приоритет

Изобретение относится к р;(диоэлект )Oil(I °

КЕ, (! Iliilc(IIIO К ИРОИ:3ВОДСТ!3У НСIIPO(30ЛОЧНЬ!Х резисторов.

При известных способах производства высокоомных непроволочных резисторов на основе лакосажевых композиций сажа вводится непосредственно в связу(ощую основу, поэтому предельная величина сопротивления ограничивается минимальным объемом сажи, при котором сохраняется однородность и воспро- 10 изводимость свойств композиций. С целью дальнейшего повышения сопротивления сажу вводят в связующую основу в виде предварительно измельченной композиции с лаком и наполнителем (первичной композиции), но и 15 в этом случае предел сопротивления устанавливается дисперсностью резистивного материала, особенно размерами частиц минерального наполннтеля (кварца, талька, слюды), которые на 1 — 2 порядка крупнее частиц 20 сажи.

Целью изобретения является получение выcoKooi3(l(((x резистивных KOмпоз!щий.

Поставленная цель достигается примене- 25 нием в качестве наиолнителя мслкодисиерсной двуокиси кремния (аэросил), получаемой методом гидролиза.

Удельная поверхность на полш}теля предлагаемого материала не отличается от таковой ЗО

Предмет изобретения

326643 соотно30 — 40

35 — 55

15 — 25.

Составитель И. Мишустии

Техред Л. Куклина Корректоры: Е, Ласточкина н Л. Корогод

Редактор В. Левятов

Заказ 449/12 Изд. М 111 Тираж 448 Подписное

IIHIIIIIM Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 чения высокоомных резистивных композиций, он содержит в качестве наполнителя химически осажденную двуокись, кремния с удельной поверхностью 100 †4 лР/".

2. Резнстивный материал по п. 1, отлича ои1ийся тем, что OH содержит исходные компоненты в следующих количественных шениях (в вес. %):

Сажа

Смола

Химически осажденная двуокись кремния

Высокоомный резистивный материал Высокоомный резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх