Матрица запоминающего устройства

 

ОПNCАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

329576

Со вз Советсник

Социалисти !ескик республик

М АЫОРСХОММ СВИДЕТИЛЬСТВу

? а Bncll о!Ос От ilaт. Спиде с.! ь!. !!Iа

1 1;!!!в!сио 28.Ъ .1970 (¹ 1434390118-24) с присоединением заявки %в

Приоритет

Опубликовано 09.1!.1972. Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 3.13 .1972. 31. Кл. 6 11с 11114

Комитет по делам иасбр-ie,„",è и открытий гри Свите Иииистрав

СССР

УДК 681.327.66(08."-.8) Автор изобретения

О. В. Кириллов

Заявитель

МАТРИЦА ЗАГ1ОИИНАЮ1ЦЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к запоопшающим устроиствам, в частности на цил шдричсских тонких магнитных пленках, Известны матрицы запоминающих устройств на цилиндрических пленках., обмотки возбужения которых разделены магнитным III) Hòoì или кипером, выполненным в виде anлетаемых магнитных проводов или коробчатой конструкции.

Б первом случае затруднительно получить ьысокую плотность раза!Сщсиия заиом!Ниающих элементов и знач,.тельно снизить упраьляющие токи из-за замыкания маги»тиого потока возбуждения только в отдельных запоминающих элементах.

В0 втором случае конструкция шуита требует индивидуальной намотки и сборки числовых обмоток, процесс изготовления шупта п матриц трудоемок, а автоматизация изготовления матриц практически исключена.

Цель изобретения — повышение технологичности изготовления матриц с использованием станочного (автоматизированного) группового плетения обмоток возбуждения, дополнительное снижение управляющих токов возбуждения и пОВышсние плотности упакОВI" и запохlинающих элементов.

Эта цель достигается путем совмещения защитных крышек матрицы и магнитопроводов шунта. Шунт выполняется интегрально сразу для всех обмоток возбуждения нанесен исм ферромагнитного слоя на всю внутреннюю поверхность крышек. Магнитопровод шунта полностью охватывает обмотки благодаря íà l! I5 чпю в крышках гребенчатых перегородок, разде.11110ЩИХ OOihIOTI H.

На фиг. 1 упрощенно показана матри ьа за!

03! !! и аlощсго TOTp0!!c Г!3а; н а фиг. 2 — 0 i!,! ! l сечений матрицы.

10 Матрица запоминающего уcTpOilclaa cocToиг

Ila цил!шдрических тонких магнитных 1!ленок 1, которые 13ста13лсны 13 каналы ll;!00p;! чис loabn обмоток возбуждения 2, заключсииых (Il вклеенных) в сомкнутые с двуx còîðî,!

15 крышки ? . На внутреннюю поверхность крышек нанесен ферромагнитный слой 1.

При станочном плетен!ш обмоток возбуждения 2 на техно.югических струнах (заменяющих прп изготов..1ении матриц цилиндри20 ческие пленки 1) изготовляется сразу весь на0ор обмоток возбуждения, расставленных с требуемым шагом. Защитные крышки 8, изготовленные из пластмассы или другol Î материала и покрытые с внутренней стороны сплош25 ным среррох!агнитныв! cëîåì (например, пермаллоем, Hanecc»nbl» напылением или гальва11пческ!!м путем), входят своими гребенчатым. перегородками между обмоток. Послc

Вl, icl!вания В крышки Оомоток Возоу?кден1!я

30 технологические струны вынимаются и замеIIHIoòcH на цилиндрические пленки, явля1ощисcя интегральными запомщ<а1ощимп элементами. Таким образом, вокруг каждой обмотки в()збуждение создается состоящий из двух частей магнитопровод, обеспечивающий IcTID ю локализацию магнитного потока возбуждснпя

ТО. 1ы(0 В H) жпых зя по)11<на 101цих 3,10>E0ï !чl х, находящихся внутри данной обмотки возбужJoíHH. Действие ма IIHTHol поля пя зяпомппающпс элементы в соседних обмотках резко снижается, что позволяет располагать обмотки возбуждения, на малом расстоя 1ш друг от друга. Резкое снижен "ie полей рассеивания позволяет получать необходимую напряженность магнитного поля при з!епьп) пх токах управления (возбуждения), Возможность получения ферромагнптпо: о слоя очень малой толщины позволяет практисски исключить влияние вихревых токов в магннтопроводе, что положительно сказывастся на быстродействии устройства н i!pill!op!IT к 10по EHHTcльнОму снпжспню ТоКоН упря»L!си ия.

Прсдлягясмяя конст})укlнlя х!»трины с ин.;(п1а. и пым способом выполнения кипсра даег

«начпггсльiiblli экономя !сскн!1 эффект за счет возмо KHo(Tli широкой механизации почти всех процессов 1 .зготовления, а также улучшеEIiIc и:11100,(ее Важных характеристик запомни;пощпх устройств особенно в тех случаях, когд» трсоустся малогабаритность аппаратуры

П СС 311<. Ргетн I 3КОПОМНЧНОСТЬ. то

Предмст пзобрстенпя

Матр!Н(а запоминающего устройства на цил;шдрнчсск:1х магнитных пленках с магнитным шунтом между обмотками возбуждения, От.ги<<агиигПЯСЯ тСМ, ITO, С ЦЕЛЬЮ ПОВЫШЕНИЯ технологи шост:1 изготовления матриц и увеличения плотности размещения запоминающих элементов, обмотки возбу)кдения матрицы за20 K;IIO ICIII31 11C)K+) ДВ) )IH HHIIjHTHhi)IEI КРЫШКаг<1И с гребенчатыми псрегородкамп, а внутренняя поверхность крышек покрыта ферромагнитным

СЛОСМ.

Редактор В. Лева гов

Заказ 736,12 (:ос)и гите, и, Л. Усков

1екре,(1. Ускова Коррект<)p 3. тарасова

1Iз. <.. е 2 !В I llри<к !В 11о, <и»с<<ос

Матрица запоминающего устройства Матрица запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах
Наверх