Параэлектрический резонатор свч
ОП ИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВйДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Ресл/олик фс с
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. Н Olp 7/06
Заявлено 13.VII.1970 (№ 1467661/26-9) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 14.VI.1972. Бюллетень № 19
Дата опубликования описания 29.VI.1972
Комитет ло делам изобретений и открытий лри Совете Министров
СССР
УДК 621 372.41,3 (088.8) ИТВВФ-Тс. ЦДт, т в еФека Мбф
Авторы изобретения
В. М. Петров и Е. Ф. Назаревская
Московский ордена Трудового Красного Знамени институт стали и сплавов
Заявитель
ПАРАЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР СВЧ
Изобретение относ ится к радиотехнике СВЧ.
Известен лараэлектрический резонатор
СВЧ.
Цель изобретения — повьвшение пробивсиого на пряжен ия устройства. Достигается она тем, что предлагаемый резонатор выполнен и вмде стакана с диаметром от 1,2 до 1,8 / )/е, где Х вЂ” длина napaювцей волны; е — диэлектрическая проницаемость пар авлектри ка, причем переход от дна к стенкам стакана выпсолнен плачевно, по контуру Роговского.
Предлагаемый резонатор изображен на чертеже.
Объем 1 резонатора выполнен из параэлектр ика, на который нанесены металлические электроды 2 и 8. Высота дна h устройства oinределяется у правляао щим напряжением и величиной электрического поля в материале, необходи мого для изменения диэлектр1ической проницаемости naacp аэлектрика и получения резона нса в резонаторе. Высота стенок Н устройства должна быть достаточной для получсния необходим ого запаса электрической прочности и п редотвра щения пробоя по поверхности параэлектрика. Наиболее высокое пробойное на пряжение реализуется в случае
ndIaIBnoII перехода от дна к стеньке устройства, выполненного в форме контура Роговского, iB диа пазо не сверх высоиих частот линейные размеры параэлектрического резонатора из-за большой диэлектрической проницаемости становятся значительно меньше дл ины волны и он этови валентен сосредоточенному элементу, BIKJIBW8HHoiMó в тра кт.
Если диэлектрическая проницаемость и размеры резонатор а удовлетворяют условию, пун
"C которо м Х = — ф е D, где D — диаметр
10 Л устройства — принимает значения 2,4; 5,5; 8,65, при неболыших потерях,параэлетктричесского материала, то для него выполняются условия резонанса. При этом входное сопротивление
15 параэлеитрического Резонатора ст антхвится не больши м и чисто активным.
Изсменяя,диэлектрическую проницаемость, можно добиться условия, при котором значе20 ния Х будут равенны 3,83; 7,02; 10,17 и т. д.
В этом случае усдовлетворяется условие антирезонанса, .п ри котором входное сопроти вле н ие резонатора становится в тысячи раз большим, но остается чисто BKTHIBHbIIM, 23 Целесообразно,работать вблизи первого антирезонанса при Х = 3,83, перестраивая резонатор на ближайший резонанс при Х=2,405 или 5,52. Электрические поля, прои которых происходит подобная перестройка, для пара30 элоктр IPKoв составляют 20 — 30 кв/см.
i342254
Пр едем ет изобретения
Составитель А. Горбачев
Текред T. Ускова
Редактор В. фельдман
Корректор О. Тюрина
Заказ 2010/14 Изд. № 834 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, )K-35, Раушская наб, д. 4у5
Типография, пр. Сапунова, 2
Параэлектр ический резонатор С ВЧ, отлииаюи4ийся тем, что, с целью повышения пробивного на пряжения, îí BbIlnолнен в форме стакана с диамет1ром от 1,3:до 1,8>/ре, пде Х вЂ” длина падающей волны; е —,диэлектрическая прони цае мость параэлектрика, причем переход от дна к стенкам старикана BbI5 полнен плавно, по контуру Роговского.
