Резистор объемного типа
3478I2
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союа Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства М
Заявлено 22ЛХ.1970 (л" 1476450/26-9) с присоединением заявки М 1476451/26-9
Приоритет
Опубликовано 10Л 111.1972. Бюллетень че 24
Дата опубликования описания 23 VI I I.1972
М. Кл. Н Olc 7/06
Комитет по делам иаобретений и открытий при Спеете Министров
СССР
УДК 621.396.692(088.8) Авторы изобретения Г. Г. Рудовол, В. Т. Павлов, Л. Г. Власов и А. В. Перевезенцев
Заявитель
ПЦЫЛь,О-, ..
БИБЛ14С г Ь
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА
Предмет изобретения
Изобретение относится к радиодеталесгроению и может быть использовано при производстве непроволочных резисторов.
Известные резисторы объемного типа на основе сложного карбида и связующего, например стекла, имеют низкую мощность расс яния, плохую термостойкость и высокий температурный коэффициент.
Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем,;то в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов V u Vl гру,ш периодической системы. B качестве металла Ч1 группы взят вольфрам, в качестве металла V группы — ниобий или ванадий. Компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес. %):
Ниобий (ванадий) 10 — 95
Вольфрам 0,5 — 70
Угл ер од о бщ. 4 — 20
Углерод своб. 0,1 — 2
Для расширения температурного интервала работы резистора до 200 — 250 С, увеличштия мощности рассеивания при уменьшении габаритов, повышения механической прочности и стабильности, а также для расширения диапазона номиналов в сторону низких значений в состав предлагаемого низкоомного объем гого резистора наряду со связующим материалом (например, алюмо-силикатно-борно-бариевого состава стекла) входит сложный карбид (преимущественно твердые растворы): (Nbi х%хС).
Такая тугоплавкая композиция способна при пропускании тока выдерживать высокие температуры и при этом не менять своих характеристик в течение длительного времени эксплуатации.
Для получения заданного низкого ТКС прп10 водится следующий примерный состав резистивного карбида (вес. ):
Ниобий 2 — 80
Вольфрам 5 — 90
Углерод общ. 4 — 20
15 Углерод своб. до 1,5
Резистор изготовлен в габаритах резистора
СПΠ— 0,5 вт методом горячего прессования при 900 С в слабо восстановительной среде.
20 Связующим материалом служит высокобариевое алюмо-силикатно-борно-бариевое стекло с добавками модифицирующих окислов для поддержания согласованности КТР резистивного карбида и связки.
1. Резистор объемного типа на основе сложного карбида и связующего, например стекла, З0 отличающийся тем, что, с целью повышения
347812
Составитель Ю. Еркин
Текред Т. Ускова Корректор Е. Исакова
Редактор Т. Иванова
Заказ 2596/10 Изд. М 1151 Тираж 406 Подписное
Цг1ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 термостойкости и мощности рассеяния, снижения температурного коэффициента сопротивления, в качестве токопроводящей фазы использован сложной карбид металлов V u VI групп периодической системы.
2. Резистор по п. 1, отличающийся тем,что в качестве металла VI группы взят вольфрам.
3. Резистор по пп. 1 и 2, отличающиися тем, что в качестве металла V группы взят ниобий.
4. Резистор по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что в качестве металла V группы взят ванадий.
5. Резистор по п. 1, отличающийся тем, что
5 его компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес. /о):
Ниобий (ванадий) 10 — 95
Вольфрам 0,5 — 70
Углерод общ. 4 — 20
10 Углерод своб. 0,1 — -2
