С. м. рыбкинирдена ленина физико-технический институт им. а. ф. иоффе

Авторы патента:

Н. А. Витовский, Г. А. Вихлий, Т. В. Машовец ,

H01L39/24 - способы и устройства для изготовления или обработки предусмотренных в H01L 39/00 приборов или их частей (не предназначенные специально для этой цели H01L 21/00; магнитное разделение сверхпроводящих материалов от других материалов, например с использованием эффекта Мейснера, B03C 1/00)[2]

ОПИСАНИЕ 348I48

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №.Ч. Кл. Н 01ч 11, 00

Заявлено 23М1.1971 (№ 16793 07, 26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.IV.1973. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 19Х11.1973

Комитет ло делом изебретений и открытий лри Совете Министров

СССР

УДК 621.315.55:53 7.312.6с (088.8) Авторы изобретения

H. A. Витовскнй, Г. A. Вихлий, T. В. Машовец и С. М. Рывкнп

Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе

Заяв пель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к способу получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводниковых материалов.

Известен способ получения сверхпроводящего материала на основе непромышленных полупроводниковых материалов, например беТе и SrTO .

Цель изобретения вЂ” создание способа получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводящих материалов типа А"тВт .

Цель достигается тем, что по предлагаемому способу полупроводниковый материал типа АгпВ, например антимонид индия, шлифуют при температуре не выше 200 К и охлаждают до критической температуры.

Операция шлифовки изменяет физические свойства приповерхностного слоя, а при дальнейшем охлаждешги образца до критической температуры в области объемного заряда возникают вырождения. в результате чего образуется сверхпроводящая структура на поверхности полупроводникового материала.

Предмет изобретения

Способ полу .ения сверхпроводящего мате10 риала пз полупроводникового материала путем его охлаждения до критической температуры, отличаюирася тем, что, с целью получения сверхпроводящего материала пз полупроводникового материала типа АгпВ, обра15 зец из полупроводникового материала типа

А" В охлаждают до температуры не выше

200 К, шлифуют и охлаждают до критической температуры.

С. м. рыбкинирдена ленина физико-технический институт им. а. ф. иоффе

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона // 2107358

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К

Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами // 2107973

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления // 2133525

Способ получения структуры металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник // 2156016

Способ бесконтактного определения эффективности центров пиннинга в сверхпроводниках // 2160485

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга

Способ повышения критического тока сверхпроводника // 2172043

Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе

Способ изготовления интегральных схем со сверхпроводящими компонентами // 2181222

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов

Способ получения высокотемпературных сверхпроводниковых соединений // 2182194

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники

Способ формирования многослойных структур из материала yвaсuо с двух сторон подложки // 2189090

Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS