Патент ссср 349052

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. H Ols 3,/18

С 23с 7/00

Заявлено 06.Х.1966 (№ 1107094/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 23.VIII.1972. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 7.IX.1972

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.375.8(088.8)

621.793.14 (088.8) Авторы изобретения

В. П. Дураев, 3. В. Ильина и Л. А. Родченкова ::1.т,. т . ЗНЛЯ г" i "т;; i r qQICf%hig

Заявитель

СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к технологии изготовления лазерных диодов и других квантовых приборов.

Известны способы металлизации диэлектрических пластин, например кварцевых, заключающиеся в том, что металлические пленки наносят на диэлектрические подложки при

300 С и низком вакууме -10 — — 10 — мм рт. ст. для изготовления на их основе пленочных сопротивлений. В процессе нанесения пленок на подложки детали подвергаются термическому окислению, которое улучшает адгезию пленки с подложкой и увеличивает электрическое и тепловое сопротивление пленки. При изготовлении лазерных диодов после металлизации подложки из сапфира или алмаза необходимо получить максимальную теплопроводность и минимальное электрическое сопротивление металлизирующей пленки, поэтому термическое окисление исключается.

Предложен новый способ металлизацип диэлектрических пластин. Способ заключается в следующем. Диэлектрические пластины, например сапфировые, промывают в хромовой смеси 2 — 3 мин при комнатной температуре, затем в дистиллированной воде при 100 С в течение 3 — 5 мин, после промывки пластины сушат в термостате около 10 мин при температуре 120 — 150 С. Высушенные пластины загружают в вакуумную камеру и очищают в поле тлеющего разряда в течение 10 — 15 мин при вакууме 1 10 — 1 10 — ;,rë рт, ст. Затем камера откачпвается до 1-10 — — 1 10 — т мм рт. ст., пластины нагревают до температуры

5 не выше 800 С и напыляют хром толщиной не более 2 мк. Затем наносят пленку н11келя, »апример, в электрохимпческой ванне, толщиной не более 2 мк и отжпгают ее в вакууме при температуре 750"C. Потом пластины вновь ни10 келиру1ог и покрывают припоем. Описанный способ металлизацпи обеспечивает хорошую адгезшо металлической пленки с изолирующей

IIo31o I1IoÉ, сохраняет электропроводпость как. Пленки, TBK 11 под15 ложки, что очень важно при изготовлении лазерных диодов.

Описанный способ металлпзации изолируюIILIIx пласпш используется при изготовлении лазерных диодов, работающих как при темпе20 ратуре 77 — 300=К г, импульсном режиме, так и при комнатной температуре в непрерывном режиме.

Предм T изобретения

Способ металлпзгцпп диэлектрических пластин, например сапфировых, включающий в себя промывку пластин в хромовой смеси, очистку пластин в поле тлеющего разряда и

30 нанесение одним из извест ых способов ме349052

Составитель И. Старосельская

Редактор Т. Орловская Тек ред Е. Борисова Корректор Е. Мироиова

Заказ 2879/18 Изд. № 1194 Тираж 406 Подписи.е

1ЯНИ11ПИ Комитета ио делам изобретений и откргятии при Совете Мииистров СССР

Москва, Ж-зо, Раугиская иаб., д. 4 5

Типография, пр. Саиуиова, 2.ллизации пленок хрома и никеля на нагрею подложку, отличающийся тем, что, с .лью повышения теплопроводности покрытий, астину нагревают в вакууме при давлении не выше 1 10 — в мм рт. ст. до температуры не выше 800 С, и после нанесения на пластину никеля производят отжиг при температуре

700 — 800 С, затем вторично наносят никель.