Способ удаления фоторезистного покрытия

 

О П И C А Н И Е 352257

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Реслтблик

Зависимое от авт. свидетельства М

М, 1 л, 6 03с 1/68

Заявлено 11.Ч.1970 (Ko 1431874/23-4) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 21 1Х.1972. Бюллетень о 28

Дата опубликования описания 11.Х.1972

Комитет по делам изобретеиий H открьлий при Совета Министров

СССР

УДК, 776.19(088.8) Авторы изобретения

А. П. Мартыненко, Б. В. Стрижков и Н. В. Макаров

Заявитель

СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТНОГО ПОКРЫТИЯ

Изобретение относится к фотолитографии и может быть использовано в микрорадиоэлектронике, полиграфической и фотолитографической промышленности.

Известен способ удаления фоторезистного покрытия с подложки кипячением изделий в концентрированной серной кислоте, хромппке или органических растворителях. Недостатками такого способа являются вредность применяемых химических веществ, а также наличие на производстве дополнительных химических операций, в связи с чем возникает необходимость в специально оборудованных noireщениях.

Цель изобретения — упрощение технологии процесса (исключение вредных и опасных технологических операций).

Эта цель достигается тем, что полимерные покрытия из фоторезистов на основе, например, 1-нафтохинон-2-диазосульфохлорида, нанесенные па защищаемую поверхность фотолитографическим способом, полностью удаляют, подвергая подложку термической обработке при 300 С в потоке любого окислительного газа.

Нагревание целесообразно проводить при давлении не менее 0,1 ати.

При этом искажений свойств основного неорганического материала, на поверхность которого наносят защитное покрытие, не происходит.

В технологии производства полупроводниковых приборов во многи.: случаях процесс удаления полимерного защитного покрытия предлагаемым способом можно совместить с процессом термодпффузпи, осуществляемым

B проточных диффузионных печах (например, с процессом диффузии бора или фосфора в кремний, проводимым в окислительной атмосфере при 1100 C) .

10 Время, на которое снимается защитная пленка толщиной несколько микрон, уменьшается с увеличением температуры, производительности вакуум-насоса и скорости струи воздуха илп окислптельного газа.

15 Ограничений на высокие температуры способ не имеет.

До 300 С защитные покрытия устойчивы.

В интервале 300 — 500 С наблюдается деструкция полимерной пленки во всех средах (воз20 дух, вакуум, сухой гелий) с большой постоянной скоростью, причем в отличие от эндотермического эффекта в гелии в окислительной среде наблюдают выделение тепла.

Установлено, что в вакууме при Р(10 — з торр

25 процессы деструкции протекают как в гелии, а при P)10 — торр — как на воздухе.

Пример. Подложку кремния с нанесенным на нее фотолптографическим способом защитным покрытием из позитивного фото30 резиста на основе эфира 1-нафтохинон-2диазид-5-сульфохлорида нагревают в печи