Инающая ячейка на сплошной сверхпроводящей пленке

 

О П И С А Н И Е 356693

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сава Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М—

М. Кл. 6 11с 11/44

Заявлено ЗО.Х1 1970 (№ 1602557i18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 23.Х 1972. Бюллетень ¹ 32

Дата опубликования описания 30.Х1.1972

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Микистоов

СССР

УДК 681.327(088.8) Авторы изобретения

В. Н. Алфеев, Б. Н. Формозов и B. П. Яроцкий

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЯЧЕЙКА

НА СПЛОШНОЙ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ПЛЕНКЕ

Предложенная ячейка от-IoclfTic» к области вычислительной техники и может быть ис пользована при построении устройств хранения дискретной информации.

Известны запоминающие ячейки на сплош|ной аверхпроводяпцей пленке, содер жащие пленки управления, пленку- считывания и расположенную между ними за поминающую пленку.

Основными недостатками известных запоминающих ячеек являются конструктивная сложность и малые допуски на величину рабочих то ков.

Цель изо бретения — расширение допусков на ра бочие токи и повышение надежно сти,pBI00Tbi запоминающей ячейки.

Указанная цель достигается путем того, что одна из пленок управления выполнена биметаллнчеокой и состоит из двух плено к, изготовленных из сверхпрово дников с различными значениями критической температуры и имеющих различную ширину, причем указанные плен ки имеют между собой сверхпрсхводя щий контакт, и пленка, изготовленная из сверхпроводника с меньшим значением критической температуры и имеющая ббльшую ш ирину, расположена между пленкой, изготовленной из сверхпроводнижа с большим значением ксрнтичеокой температуры, и другой, пленкой управления.

Предлагасмая запоминающая ячейка отличается также тем, что биметаллнческа» пленка управления может быть .выполнена нз свинца и индия.

Конструкция предложенной ячейки поясняется чертежом,,где: 1 —,диэлектрическая подложка; 2 — свинцовый экран; 8— плевака считывания; 4 — запоминающая пленка; 5 — биметаллическая пленка Хуправления,,состоящая из узкой, пленки 6 из свинца и широкой пленки 7 нз индия, имеющих между собой сверхп роводящпй контакт;

8-пленка У-управления.

В связи с тем, что критическая темпера тура индия Т, =3,407 К ниже, чем критическая температура олова Т, = 3,722 К, ра бачан температура выбирается равной 3,3 К.

Поэтому небольшое магнитное поле тока уп равления достаточно для перевода в нор20 мальное состояние индиевой .пленки 7. B отсутствие тока У-управления ток 1„. равномерно раапределяется по всему сеченшо пленки 5.

Предложенная ячейка работает следующим схбразом.

Для записи информации подаются импульсы токов соответствующей полярности в пленки управления 5 и 8. При полувыборке величина тока недостаточна для разру ше.ния оверьпроводимостн оловянсной запомп356693

Предмет изобретения

«

/««l.

«ю rk

1 т «I Ю Ю

Составитель Ю. Розенталь

Текред Е. Борисова Корректор E. Миронова

Редактор Б. Нанкина

Заказ о25/2007 Изд.;С 1555 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Мпнистров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред, «Патент» нающей пленки 4. При наличии тока I,. сверхпро водимость индия разрушается, так что весь ток I переключается в пленку б. Оче видно, что;напряженность магнитного поля тока 1в в W7/× 6 (И" ; — .ши ри на соответст дующей пленки) больше напряженности магнитного поля тока I7. Она оказывается достаточной для разрушения сверкпроводимости оловянной запоминающей пленки 4. По окончании импульсов токов 1в = I,. и 1 восстанавливается сверлпроводимость запоминакицей пленки, а в месте пересечения пленок упра вления 5 и 8 захватывается маг ный поток, соответствующий г;ранению «1» или «0» в зависимости от его,направления.

При считывании»а пленке 3 появляется импульс напряжения лишь в том случае, ковда в ячейке записана «1».

Преимуществом предложенной ячейки по сравнению с известными является возможность подбором соответствующей шири вы индиевой и свинцовой пленок получать практичеоки любые значения допуоков на рабочие токи, что, в свою очередь, значительно повы жает надежность работы запоминающей ячейки при ее достаточной конструктивной простоте и маlIblx габаритак.

1. Запоминающая ячейка на сплошной сверхпроводя щей пленке, содержащая пленки управления, пленку считывания и расположенную между ними запоминающую пленку, отличающаяся тем, что, с целью расширения допуаков на рабочие токи и повышения надежности работы ячейки, о дна из пленок управления выполнена биметаллической и состоит из двук пленок, изготовленны.; нз сверх проводников с различными значениями критической температуры и имеющик различную ширину, причем указанные пленки имеют между собой сверг;проводящий конта кт, и плен ка, изготовленная из сверкпроводника с меньшим значением .критической температуры и имеющая ббльшую ширину, расположена между плен кой, изготовленной из оверг;проводника с ббльшим значением критической температуры, и д ругой пленкой управления.

2. Запоминающая ячейка по п. 1, oTëèчаюи1аяся тем, что биметаллическая пленка у правле|вия выполнена из свинца и индия.

Инающая ячейка на сплошной сверхпроводящей пленке Инающая ячейка на сплошной сверхпроводящей пленке 

 

Похожие патенты:

Квантрон // 991509
Наверх