Полупроводниковый прибор

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

И ПАТЕНТУ

360800

Со!оа Соеетсккк

Социаяистичоских

Республик

Заявлено 15.Х11.1966 (№ 1118225/26-25)

Приоритет 20.XII.1965, № 79059/65, Япония

М. Кл. Н Oll 3/12

Н 03b 7/06

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 28,Х1.1972. Бюллетень № 36

УДК 621.382.2 (088.8) Дата опубликования описания 18.1.1973

Авторы изобретения

Иностранцы

Хироюки Мизуно, Шиничи Накашима и Юкио (Япония) Иностранная фирма

«Мацушита Электроникс Корпорейшн» (Япония) Миай

Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИ КОВЫЙ ПРИБОР

Зависимый от патента №

Изобретение относится к полупроводниковым приборам.

Известны полупроводниковые приборы со структурой металл — выпрямляющий контакт — полупроводник. Однако ни один из них не может использоваться в качестве генератора колебаний сверхвысоких частот.

Для возбуждения колебаний в диапазоне сверхвысоких частот в приборах со структурой металл — выпрямляющий контакт — полупроводник предлагается в качестве базы использовать германиевую подложку с концентрацией примеси,в диапазоне 1К10то — 1)

; 101е 1/сма.

Эта концентрация примесей в области базы обеспечивает такую толщину запорного слоя, образованного на переходе между металлом и полупроводником, которая предотвращает тепловой пробой прибора.

На чертеже показан предлагаемый прибор в разрезе.

Прибор содержит полупроводниковую подложку 1 в качестве базы, металлический слой

2, предусмотренный для образования запорного слоя на переходе между металлом и полупроводником, металлический слой 3, образующий омический контакт с полупроводни5 ком, и тепловой радиатор 4.

Для образования металлического слоя 2 может быть применен любой из известных методов. Металлический слой 8 является промежуточным между структурой металл — за1О парный слой — полупроводник и тепловым радиатором, изготавливаемым из меди. Последний служит для эффективного теплоотвода и предотвращения теплового пробоя прибора.

Предмет изобретения

1 олу роводниковый прибор со структурой металл — выпрямляющий контакт — полупроводник, отличающийся тем, что, с целью полу20 чения генерации колебаний сверхвысоких частот, в качестве полупроводника использован германий с концентрацией примеси в диапазоне 1> 1016 — 1><10" 1/см .

360800

Составитель М. Меркулова

Техред А. Евдонов

Корректор О. Тюрина

Редактор И. Грузова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 4330/14 Изд. № 1810 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5