Полупроводниковый стабилитрон

 

""»"" 0- « айескд библиотека Mgp, Союз Советских

Социалистических

Республик 11> 546046

ОЛ ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 29.02.68 (21) 1222368/26-25 (51) М.Кл.-" H 01 Ь 29/36 с присоединением заявки— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.02.77. Бюллетень № 5 (45) Дата опубликования описания 23.03.77

Хосударственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.382..2.072.2 (088.8) оо делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

М. С. Сонин и В. П. Морозов (71) Заявитель

Институт автоматики и телемеханики (технической кибернетики) (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СТАБИЛИТРОН

Известен полупроводниковый стаоилизатор напряжения (стабилитрон), представлиющ ий собой пластину:полупроводника определенного THIIIB проводимости с омическим контактом, в которой создана сильнолетирова нная область lIIpотивоположного типа проводимости, также с омическим .контактом.

Для повышения качества стабилизации желательно, иметь возможно большие значения гасящвго сопротивления. Обычно его величина не превышает 5 — 10 ком, поскольку в л р отив ном случае резко воз р а ст ают IIOTGpH вне режима !пробоя.

С целью повышения стабильности .напряжения в данный стаб|илитрон введен дополнительный тонкий слаболепиро ванный слой с омическим контактом, электрически соединенный с сильиолетированной областью того же типа проводимости.

При определенных условиях сопротивление тонкого слаболепированного слоя полупроводника, гра ничащего с областью полупроводника противололожного типа проводимости, возрастает при увеличении тока, протекающего по этому слою. Это происходит из-за изменения толщины пространственного заряда при изменении напряжения на р — n nepeхо,де. .Конструкция предлагаемого стабилитрона представлена на чертеже.

Пластина полултроводника (например кремния) содержит обладающую электронной проводимостью область 1, сильнолегироваHную область 2 с дырочной проводимостью и

5 имеющий с областью 2 электрический контакт тоякий слаболегированный слой 8, также обладающий дырочной проводимостью.

Области 1 и 2, а также слой 8 снабжены соответствующими омическими контактами 4 — 6.

Конта:кты 4 и 6 присоединены соответственно к (положительному и отрицательному .полюсам источника .нестабилизированного напряжения (на чертеже не показан). Стабилизированное налряжение снимается с контактов 4 и 5.

Напряжение пробоя данной полупроводниковой структуры определяется .напряжением пробоя р — и .перехода между областями 1 и 2.

Когда входное напряжение, подаваемое между контактами 4 и 6, ниже на пряжения про20 боя р — n перехода между областями 1 и 2, по слою 8 протекает незначительный ток. Когда входное напряжение превышает напряжение пробоя р — n перехода между областями I и 2, ток, лротекающий по слою 8, резко возрас25 тает, что приводит:к повышению солротивления слоя. Возни кающее здесь в результатс этого дополн|ительное паде ие напряжения повышает качеспво стабилизации.

Напряжение стабилизации такого стаби30 литрона определяется параметрами р — n IIe546046

Составитель О. Федюкина

Техред Н. Сметанина

Корректор В. Гутман

Редактор Б. Федотов

Заказ 73/149 Изд. № 415 Тираж 1019 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» рехода, образованного сильнолегированной дырочной областью 2 и областью 1 с электронной проводимостью. Зависимость сопротивления слаоолегиро вапного дырочного слоя

3 от тока, а также величина максимального тока, протекающего по слою, определяются геометрией слоя и концентрацией примеси в нем.

Для изготовления стабилитрона могут быть использованы различные технологические методы, в частности, для создания сильнолегированной области — вплавление, диффузия, эпитаксиальное вытаращивание, для созда ния слаболвгированного слоя — диффузия, эпитаксиальное выращивание.

Стабилитрон может также содержать область 1 с дырочной,проводимостью, а область

2 и слой 8 — с электронной проводимостью.

В этом случае полярность входного напряжения должна быть,прютивоположной рассмотренному выше случаю, 5 Формула изобретения,Полупроводниковый стабилитрон в виде пластины полупроводн IKB с омическим контактом, в которой содержится снабженная

10 омическим контактом cèëüíoëeïèðoâàIIíàÿ область противоположного типа, проводимости, отл ич а ю щи и ся тем, что, с целью повышения стабильности требуемого уровня выходного напряжения, он со1держит снабженный .15 ом ичесиим контактом и электрически соединеный с сильнолегированной областью дополнительнь|й сла болегированный слой, тип проводимости IKQTорого совпадает с типом проводимости сильнолегированного слоя.