Толстопленочная микросхема
О fl И С А Н И Е 362520
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. Н 05k 7/02
Заявлено 05.1!1.1971 (№ 1632259/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 13.Х11.1972. Бюллетень № 2 за 1973
Дата опубликования описания 9.11.1973
УДК 621.396.6.002.72 (088.8) Авторы изобретения
Н. К. Иванов-Есипович и Кан-Ван-Бэ
Заявитель
Ленинградский электротехнический институт связи имени проф, Бонч-Бруевича
ТОЛСТОПЛЕНОЧНАЯ МИКРОСХЕМА
Предлагаемое изобретение относится к области микроэлектроники.
Известны толстопленочные микросхемы, содержащие подложку с расположенными на ней пленочными резисторами, конденсаторами, активными элементами, контактными площадками и внутренними соединительными проводниками.
Однако известные микросхемы имеют недостаточно высокое качество изготовления микросхемы.
С целью повышения качества изготовления микросхемы подложка выполнена в виде металлического основания с нанесенными на обеих сторонах ее слоями стеклозмали, а контактные площадки, внутренние соединительные проводники, нижние обкладки конденсаторов и выводы от них выполнены в виде металлических шин, запрессованных в слои стеклоэмали.
На фиг. 1 приведена конструкция предлагаемой толстопленочной микросхемы; на фиг. 2 — пример интегрально-группового изготовления партии микросхем.
Сущность предлагаемого изобретения заключается в следующем.
Металлическую подложку покрывают стеклоэмалью 1 с обеих сторон. В качестве проводниковой части микросхемы применяют параллельные прямые полоски металлической фольги 2 (например, медной), запрессованные в слой стеклоэмали 1 так, что между ними образуются изоляционные промежутки, заполненные эмалью. На образованное коммутационное поле наносят резистивные пленки 3 или диэлектрические и проводниковые пленки 4 и 5 соответственно (для конденсаторов).
За конструктивную основу партии микро1р схемы (см. фиг. 2) берут три наложенные одна на другую ленты фольги. Крайние ленты имеют боковую перфорацию для их синхронной и точной подачи для совмещения и перфорацию по полю в виде узких щелей одинаковой ширины, параллельных короткой стороне подложки, т. е. направленных вдоль ленты.
Средняя лента перфораций не имеет, но в ней вырублены окна, приходящиеся на зону
2р выводов, в результате средняя лента представляет собой цепь металлических подложек, короткой стороной направленных вдоль ленты, отстоящих одна от другой несколько более, чем на удвоенную длину выводов
2g микросхемы (на ширину технологической перемычки), и связанных между собой боковыми перемычками, ширина которых равна ширине зоны боковой перфорации двух других лент. Боковые перемычки и зоны боковой
30 перфорации относятся к технологическому
362520 полю и отсекаются на завершающем этапе отделения готовых микросхем.
Ленту с окнами предварительно эмалируют с обеих сторон, кроме перемычек, а затем на нее сверху и снизу накладывают перфорированные ленты. Вид перфорации выбирают в соответствии с заданной электрической схемой. Одна из лент предназначена для резисторов и для размещения навесных элементов, другая имеет шаг щелей в соответствии 10 с номиналами и количеством конденсаторов в схеме.
Сложенные ленты поступают на горячую запрессовку таким образом, что поперечные технологические перемычки выводов совпа- 15 дают с осью симметрии окна средней ленты.
Запрессовку производят путем горячей прокатки предварительно нагретых лент, в результате чего полоски верхней и нижней лент вдавливаются заподлицо с размягченной 20 эмалью средней ленты. Эмалирование и прокатка производятся в условиях атмосферы помещения цеха.
При помощи двусторонней плоской шлифовки снимаются наплывы эмали, проступив- 25 шей в зазоры между полосками. В результате получаем. подложки из эмалированной фольги с готовыми наружными выводами и регулярным проводниковым первым слоем па обеих сторонах подложки. 30
Для проведения электрического контроля из ленты вырубают поперечные технологические перемычки, соединяющие выводы, затем выполняют подгонку в номинал, монтаж навесных элементов, формовку и сварку выводов, после чего производят вырубку микросхем из ленты по контуру.
Высокий уровень коммутационной гибкости полученного таким образом поля узловых точек электрической схемы, отсутствие принципиальных технологических ограничений размеров подложки, использование ее обеих сторон делают такие подложки особенно удобными для построения на них больших гибридных микросхем, резистивные элементы которых получают способами толстопленочной технологии, конденсаторы — тонкопленочной технологией, а навесные элементы свариваются и припаиваются.
Предмет изобретения
Толстопленочная микросхема, содержащая подложку с расположенными на ней пленочными резисторами, конденсаторами, активными элементами, контактными площадками и внутренними соединительными проводниками, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества изготовления микросхемы, подложка выполнена в виде металлического основания с нанесенными на обеих сторонах ее слоями стеклоэмали, а контактные площадки, внутренние соединительные проводники, нижние обкладки конденсаторов и выводы от них выполнены в виде металлических шин, запрессова|шых в слое стеклоэмали, 362520
Фиг. 2
Редактор Т. Морозова
Корректоры: Н. Стельмах и О. Тюрина
Заказ 240/16 Изд. № 1005 Тираж 404 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Составитель А. Туляков
Техред Е. Борисова
Ui2llI
