Способ очистки поверхности подложки

 

Союз Саввта>!и>

Социал>>атичва»и» рвапуолии

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 09.111.1971 (№ 1632431, 29-33) с присоедиие!Пнем заявки М—

П р нор>г!.е T—

Опублш;»и;l>1» 08,1.1973. 111». >. í l c»ь Лв 6

Дата опуоликоваиия описания 19.X 1.!973.

М.КЛ. С 03с 17/06

Комитет па делам иэаарвтв»и» и аткрв!тим при Саввтв 1>1иииатрав

СССР>

УГ(К 666 1 056(088 8) Авторы изобретени51

Ь. Н. Ильин и Л, К. Кривцов

Ивановский химико-технологи>1еский институт

Заявитель

СПОСОВ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОД,ЛОЖКИ!

11зос>ретеиие относится к способу очистки

lI0.l5c,pxI10cTи подложки,,па кото>рую наносят пленку металла конденсацией его паров в высoком,вакууме.

Известны способы очистк;1 поверхност>и подложки обработкой тлеющим разрядом в атмосфере остаточны.; газов или инертпого газа.

ИЗВестиа та1,же Оч!Пстка ПОпной oolloapдирОВкой В газовом разряде.

Цель изобретеавия — улучшить очистку и

I1c>Ðý ь> си 1 ь !IдГсзи10 >мета ° Iл 1 и подло. к ке.

Достигается это тем, что оч>истку иоверх—

IIOCTII ИОДЛОЖК>И ПРОИЗВОДЯТ ИопаМИ ТОГО Же металла, который наносят на поверх>ность подлоукки копдеисацие1! еТ0 пароВ.

Очищать ионами конденсируемого металла в высоком вакууме можно lIoBBpxHocTb любой по>дло5ккп одновременно с началом кондеиcа ции его или перед ией.

110иы металла могуT I>hITh получены 110бым известным способом. Так, например, для получен:>я ионов некоторых металлов использу>от капиллярно-дуговой источник металла, 5 пзготовлеиный из тантала и графита.

Очистка поверхиост5и производится в высоком вакууме (1О .>!.!! От. ст. и менее), что сводит Дo м;1нимума адсорбцшо остато-Ill!i#

11> 10 ° > иа подлОж

11 р e:д >,I е т и 3 О I> p е т е и и 51 (llоссб 0 -1 истин ПОВОр. ;!!Ости подл05кки перед:làllecelгием па иге плеш и металла в ва-!

5 кууме путем ионной бомбардировки, отличаюи!!!!!05! тем, что, с целью улучшения очистгои 11

ПОВЬ11нен".15! адГези>I . >1еталла и подложее, Очи стку производят ионами металла, пленку котоРОГО затем !la>loc>IT Il a повер." ность под 105кк;>,

Способ очистки поверхности подложки 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам нанесения теплоотражающих покрытий на стекло напылением в вакууме
Изобретение относится к способу легирования материала, включающему образование на поверхности материала, подлежащего легированию, реакционноспособных групп, нанесение по меньшей мере одного слоя легирующей добавки или части слоя легирующей добавки на поверхность материала, подлежащего легированию, и/или на поверхность его части или частей методом послойного атомного осаждения (методом ALD), и дополнительную обработку материала, покрытого легирующей добавкой, таким образом, что первоначальную структуру слоя легирующей добавки изменяют с получением новых свойств легированного материала

Изобретение относится к химическому осаждению диэлектрических пленок из газовой фазы на подложки и может быть использовано для создания изолирующих и пассирующих пленок в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к металлизации поверхностей твердых тел, в частности получения алюминиевых пленок на различных твердых материалах, например, на стекле, металле, керамике и т

Изобретение относится к вакуумному нанесению покрытий, а именно к нанесению электропроводящего прозрачного покрытия на полимерную пленку для электрообогреваемого элемента органического остекления. Проводят реактивное магнетронное распыление металлической мишени в атмосфере газовой смеси инертного и реактивного газов с осаждением упомянутого покрытия на полимерную пленку. В качестве металлической мишени используют мишень из сплава индия и олова. На полимерную пленку проводят осаждение покрытия из оксида индия, легированного оловом, с постоянной скоростью, которую обеспечивают за счет поддержания постоянной разницы между величинами суммарного давления упомянутой газовой смеси до начала реактивного магнетронного распыления металлической мишени и суммарного давления газовой смеси в процессе осаждения покрытия. Причем указанную разницу поддерживают постоянной путем регулирования расхода реактивного газа, в качестве которого используют газ, выбранный из группы, включающей кислород, воздух и углекислый газ. Обеспечивается уменьшение разброса оптико-физических характеристик электропроводящего прозрачного покрытия при высоком светопропускании и снижение удельного сопротивления. 1 табл., 8 пр.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к оптоэлектронике, а именно к электропроводящим оптически прозрачным покрытиям на основе оксида индия и олова. Способ получения покрытия на основе оксида индия и олова на поверхности подложки включает напыление на подложку оксида индия и олова с обеспечением требуемого значения показателя преломления покрытия за счет выбора технологического параметра процесса напыления. Согласно изобретению напыление осуществляют при нормальной ориентации подложки относительно потока напыляемого вещества, процесс напыления оксида индия и олова на подложку включает последовательно осуществляемые операцию напыления оксида индия и олова методом электронно-лучевого испарения или магнетронного распыления при температуре от 400 до 500°С и операцию напыления оксида индия и олова методом магнетронного распыления при температуре от 15 до 75°С, при этом обеспечивают требуемое значение показателя преломления покрытия за счет выбора массы вещества, наносимого на каждой из указанных операций напыления. Техническим результатом, достигаемым при реализации изобретения, является получение покрытия оксида индия и олова с заданным значением показателя преломления при обеспечении его однородности по толщине.

Изобретение относится к энергосберегающим покрытиям. Технический результат – снижение излучательных теплопотерь в холодное время, повышение светопрозрачности, снижение уровня прямого пропускания ультрафиолетового излучения. Изделие имеет серебристый цвет. Покрытие содержит первый слой диоксида титана TiO2, прилегающий к поверхности стеклянной подложки, первый контактный слой Zn-Al-O, первый слой серебра Ag, отражающий инфракрасное излучение, первый укрывной слой Zn-Al-O, промежуточный слой Zn-Sn-O, второй контактный слой Zn-Al-O, второй слой серебра Ag, второй укрывной слой Zn-Al-O, внешний защитный слой Zn-Sn-O. Толщина промежуточного слоя Zn-Sn-O составляет от 85 нм до 98 нм, а толщина слоя TiO2 составляет от 20 нм до 24 нм. Отношение толщины слоя TiO2 к толщине внешнего защитного слоя находится в пределе от 0,56 до 0,75. Совокупная толщина двух отражающих инфракрасное излучение слоев серебра такова, что результирующее поверхностное омическое сопротивление изделия с гибридным энергосберегающим покрытием не превышает 4 Ом/кв. Отношение толщины первого слоя серебра к толщине второго слоя серебра составляет от 0,17 до 0,28. Отношение толщины первого укрывного слоя к толщине первого контактного слоя и отношение толщины второго укрывного слоя к толщине второго контактного слоя равны и составляют не более 0,672. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 ил.

Изобретение относится к энергосберегающим покрытиям. Многослойное покрытие на стекле содержит следующие слои в порядке удаления от стекла: первый слой диоксида титана TiO2, первый контактный слой Zn-Al-O, первый слой серебра Ag, отражающий ИК-излучение, первый укрывной слой Zn-Al-O, промежуточный слой Zn-Sn-O, второй контактный слой Zn-Al-O, второй слой серебра Ag, второй укрывной слой Zn-Al-O, внешний защитный слой Zn-Sn-O. Толщина промежуточного слоя составляет от 75 нм до 82 нм, а толщина слоя TiO2 составляет от 8 нм до 14 нм. Отношение толщины слоя TiO2 к толщине внешнего защитного слоя находится в пределе от 0,12 до 0,25. Совокупная толщина двух слоев серебра Ag такова, что результирующее поверхностное омическое сопротивление изделия с гибридным энергосберегающим покрытием не превышает 4 Ом/кв. Отношение толщины первого слоя серебра Ag к толщине второго слоя серебра Ag, составляет от 0,5 до 0,8. Отношение толщины первого укрывного слоя к толщине первого контактного слоя и отношение толщины второго укрывного слоя к толщине второго контактного слоя составляют не более 0,42. Технический результат – снижение теплопотерь в холодное время, повышение светопрозрачности, снижение уровня пропускания ультрафиолетового излучения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Наверх