§с?ооюзнд>&1

 

О П И С А Н И Е 368646

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 19.И.1970 (№ 1450146/18-24) с присоединением заявки лю

Приоритет

Опубликовано 26.1.1973. Бюллетень М 9

Дата опубликования оп и 26 III 197

1Ч. Кл. G 1lc 11/34

Комитет по делам изааретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621-519(088.8) Авторы изобретения

А. А. Алексеюнас, В.

Заявитель

Институт физики полупроводников АН Литовской ССР

ЗЛПОМИHAIOIIIÈЙ ЭЛEMEHT «ИОНОТРОН»

Предлагаемый ионотрон предназначен для использования в области автоматики и вычислительной техники в качестве запоминающего элемента.

Известны ионотроны, выполненные íà OcIIQве селена с фиксирующим электродом, образующим со слоем селена невыпрямляющий контакт.

Однако известные элементы не обеспечивают длительного хранения информации, а увеличение числа и частоты обращений при считывании вызывает ее исчезновение.

Предлагаемый ионотрон выполнен на основе кристаллического селена, с одной стороны которого размещен фиксирующий электрод с псвыпрямляю1цим контактом, и отличается от известного тем, что, с целью повышения надежности его работы и увеличения длительности храпения информации, в нем па другой стороне слоя кристаллического селена размещен слой селснида серебра, на котором расположен второй фиксирующий электрод с невы1пря|мляющим контактом.

На фиг. 1 приведена схема предлагаемого ионотрона; а1а фиг. 2 — .вольтамперные хара ктеристи ки устройства.

Ионотрон содержит слой 1 кристаллического селена; слой 2 селенида серебра; электроды 8, образующие с соответствующим слоем селена или селенида невыпрямляющие контакты.

Действие предлагаемого ионотрона основано на изменении параметров его импульсной вольтамперной характеристики вследствие изменения распределения примеси серебра в приконтактной области селена под воздействием приложенного извне напряжения. Источником псдвпжны«ионов серебра в данном

)Q случае, в отличие от известных ионотронов, служит слой селенида серебра. В зависимости от полярности приложенного формирующего напряжения ионы серебра либо вводятся в прнкоптактную область селена, либо выво15 дятся обратно в селенид серебра, изменяя тем самым форму вольтамперной «арактернстики нонотропа. Под воздействием отрицательного (минус — на электроде, имеющем контакт с селепом) формирующего напряжения ионо20 трон пере«одпт в крайнее состояние, в котором оп имеет наибольшее сопротивление и наибольшую асимметрию проводимости (А. на фпг. 2). Под воздействием импульса положителытого напряжения (на вышеуказанном

25 электроде подан плюс), имеющего определенные (критические) амплитуду и длительность, нонотрон из состояния с «aIIooльшим сопротивлением переходит в другое крайнее состояние, где он имеет меньшее сопротивление и

30 меньшую асимметр11ю проводимости (Б, на

868646

Предмет изобретения

15 срцг. f

Составитель О. Поваго

Корректоры: Г. Запорожец и Л. Новожилова

Техред T. Миронова

Редактор Л. Утехина

Заказ 610/17 Изд. № 169 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 фиг. 2), Если продолжить воздействовать на ионотрон положительным напряжением, то его сопротивление и асимметрия проводимости опять увеличиваются, и оН из состояния Б постепенно переходит в состояние, в котором его вольтамперная характеристика имеет форму В. При последующем воздействии отрицательным напряжением ионотрон сначала переходит в крайнее состояние, в котором оп имеет наименьшее сопротивление, а его вольтамперная характеристика (Г п3 фиг. 2) имеет наименьшую асимметрию и в дальнейшем возвращается в исходное крайнее состояние, в котором имеет вольтамперную характеристику Л.

Состояние понотрона не меняется, когда на него воздействуют импульсами напряжения, амплитуда, длительность и частота следования которых меньше некоторых критических величин. B случае использования ионотрона в качестве запоминающего элемента, это его свойство представляет возможность проводить многократное считывание записанной информации без ее регенерации.

Поскольку наибольшее изменение сопротивления иопотропа наблюдается при его переходе из состояния Л в состояние Г и наряду с этим указанные состояния являются наиболее стабильпымп, при записи информации целесообразно перевести ионотрон в состояние Г, а прн ее стирании — в состояние А. При этом для записи информации в предлагаемом иопотроне в отличие от известных необходимо применить двойной импульс — сначала положительной, а затем отрицательной полярности, 10 а при стирании информации — один импульс апряжения отрицательной полярности.

Запоминающий элемент — «ионотрон», содержащий слой кристаллического селена, с одной стороны которого размещен фиксирующий электрод с невыпрямляющим контактом, 20 отличающийся тем, что, с целью повышения надежности его работы н увеличения длительности хранения информации, в нем на другой стороне слоя кристаллического селена размсще слой селепида серебра, на котором

25 расположен второй фиксирующий электрод с певыпрямляющпм контактом.