Ионотрон

 

Союа Советских

Социалистических

Республик

И АВТОР ЖОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 04.1.1971 (№ 1608322/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.1т/.1973. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 31 V.1973,Ч. Кл. G 11с 11/34

Комитет по целом изабретеиий M открытий прн Совете Мииистров

СССР

УДК 681.327.66 (088.8) Авторы изобретения

А. А. Чеснис и В. Б. Толутис

Институт физики полупроводников АН Литовской т СР

Заявитель

ИОНОТРОН

Изобретение относится к области электроники.

Известны ионотроны, выполненные на основе полупроводникового выпрямляющего контакта селен-кадмий, которые содержат электрод, слой кадмия, слой селена, легированного серебром, слой селена, в котором серебро отсутствует, и второй электрод с невыпрямляющим контактом.

Однако в таких ионотронах после воздействия на них в течение длительного времени (больше определенного критического) формирующим напряжением в пропускном направлении изменяется их рабочий режим, а при таком многократном воздействии постепенно ослабевают их релаксационные свойства, являющиеся физической основой действия этих приборов. В конечном результате они выходят из строя.

С целью устранения этих недостатков предлагаемый ионотрон содержит второй слой селена, легированного серебром, и слой кадмия.

Причем эти слои расположены между слоем нелегированного селена и электродом, образующим с ним невыпрямляющий контакт, в следующей последовательности: электрод, слой кадмия и слой селена, легированного серебром.

На чертеже показана схема предлагаемого ионотрона.

Ионотрон содержит электроды 1, слой кадмия 2, слой селена 8, легированного сереб5 ром, идентичные по геометрическим размерам и степени легирования, слой 4 поликристаллического гексагонального селена, в котором серебро отсутствует.

В предлагаемом ионотроне по мере перево10 да одного из релаксирующих контактов ионотрона в одно крайнее состояние, в котором он обладает, например, наибольшим сопротивлением, другой контакт в то же время переводится в другое крайнее состояние, в котором

15 он обладает соответственно наименьшим сопротивлением. Благодаря этому во время формирования ионотрона происходит перераспределение напряжения в его приэлектродных областях, и, следовательно, в том случае, когда

20 любой из релаксирующих контактов достигает крайнего состояния с наименьшим сопротивлением (это состояние достигается при формировании контакта в пропускном направлении), того напряжения формирования, которое па25 дает на него, становится недостаточно для дальнейшего изменения его состояния.

Таким образом, даже при длительном формировании ионотрона в пропускном направлении его рабочий режим практически не из30 меняется.,376806

Предмет изобретения

Составитель E. Иванеева

Техред T. Курилко

Корректор А. Степанова

Редактор Л. Утехина

Заказ 1553/14 Изд. № 410 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Ионотрон, содержащий невыпрямляющий контакт, выпрямляющий контакт и расположенные между ними слой селена, нелегированного серебром, и слой легированного селена, отгичающийся тем, что, с целью повышения стабильности его работы и увеличения срока службы, невыпрямляющий контакт через дополнительно введенные слой кадмия и слой селена, легированного серебром, соединен со слоем,нелегированного селена, а слой селена, 5 легированного серебром, через дополнительно введенный слой кадмия соединен с выпрямляющим контактом.