Устройство управления подвижными

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

372579

Союз Советскив

Социалистические

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ЛЪ

Заявлено 04.Х.1971 (№ 1702182/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01.lll,1973. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 25.IV.1973

М, Кл. G 11с 11/16

Коввитет оо делаю изобретений и открытий ори Совете Министров :ССР

УДК 681.325.65 (088.8) @бар,,фД ГФ т .Г. Р » I.,P4,ч, М. Е. Фабриков

Институт электронных управляющих машин

Автор изобретения

Заявитель

УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ПОДВИЖНЫМИ

ИЗОЛИРОВАННЫМИ МАГНИТНЫМИ

ЦИЛИНДРИЧЕСКИМИ ДОМЕНАМИ

Предложенное устройство относится к области вычислительной техники и может быть использовано в системах переработки и хранения дискретной информации.

Известны устройства управления подвижными изолированными цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД), содержащие тонкий магнитоодноосный кристалл и источник постоянного магнитного поля смещения. В таких устройствах перемещение ЦМД в плоскости кристалла обычно осуществляется с помощью системы токовых микропроводников или магнитомягких (пермаллоевых) апликаций, которые служат для создания управляющего магнитного поля и наносятся либо непосредствен;о на магнитный кристалл, либо на стеклянную подложку методами фотолитографии. Однако в известных устройствах — плотность записи информации ограничена возможностями фотолитографии, поскольку минимальный размер единицы информации (бита) определяется не только размерами ЦМД, но и размерами управляющего контура; — магнитный кристалл с нанесенными цепями управления представляет жесткую функциональную единицу и в процессе работы не может быть быстро переключен на другую функциональную программу.

Несмотря на то, что прозрачность магнитчых кристаллов, в которых реализуются ЦМД, 2 в красной области спектра допускает магнитооптическое считывание информации, известные устройства управления не позволяют использовать световой сигнал непосредственно в

5 качестве управляющего и требуют громоздких схем для преобразования световых импульсов в электрические.

Целью изобретения является увеличение плотности записи информации и повышения

10 быстродействия устройств управления ЦМД.

Поставленная цель достигается за счет того, что устройства управления ЦМД содержит источник света с модулятором света, проектирующий блок и расположенный над магнито15 одноосным кристаллом слой фоторезистора с системой электродов, причем проектирующий блок расположен между модулятором света и слоем фоторезистора.

На фиг, 1 изображена блок-схема устройст20 ва управления ЦМД; на фиг. 2 — разрез по

А — А на фиг. 1.

Основной частью устройства является тонкий слой фоторезистора 1 с системой электродов 2 — б, отделенный от магнитоодноосного

25 кристалла б слоем прозрачного диэлектрика 7.

Источник света 8, модулятор света 9 и проектирующий блок 10 служат для создания неоднородной засветки слоя фоторезистора 1.

Источник постоянного магнитного поля сме30 щения 11 создает однородное магнитное поле, 372579

Предмет изобретения

2 фиг 1

Фиг. 2

Составитель Ю. Розенталь

Техред Т. Ускова Корректор Е. Талалаева

Редактор Л. Утехина

Заказ 1137/11 Изд. № 326 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 необходимое для существования в магнитоодноосном кристалле устойчивых ЦМД.

Предложенное устройство работает следующим образом.

Свет от источника 8, промодулированный модулятором света 9, проектируется блоком

10 на слой фоторезистора 1, подключенного к источнику напряжения через систему электродов 2 — 5. Вследствие неоднородной засветки через слой фоторезистора протекают разные по величине токи, создающие в плоскости кристалла неоднородное магнитное поле. Энергия

ЦМД в этом поле имеет минимумы (потенциальные ямы) вдоль линий тока. ЦМД, расположенные вблизи линий максимальной плотности тока или линий максимального градиента токов, где градиент магнитного поля достаточен для преодоления коэрцитивной силы, скатываются в потенциальные ямы и занимают устойчивые положения, выстраиваясь вдоль этих линий. При изменении характера освещенности слоя фоторезистора с помощью модулятора 9 изменяется глубина и конфигурация потенциальных ям, и ЦМД, захваченные ямами-ловушками, перемещаются вместе с ними по плоскости кристалла б. Регулируя модулятором 9 глубину и ширину потенциальной ямы в каком-либо месте кристалла, можно выборочно остановить домен или группу доменов, осуществляя таким образом управление ЦМД по произвольной программе. Кар5 тину токов можно менять, изменяя конфигурацию системы электродов, подключаемых попарно независимо к источнику напряжения, либо помещая один электрод в центре слоя фоторезистора, а вторым охватывая слой по

10 периметру, либо временной модуляцией напряжения, подаваемого на систему электродов.

Характеристические размеры неоднородностей управляющего магнитного поля в предло15 женном устройстве ограничены снизу лишь длиной волны света источника 8, следовательно, эту же границу имеют и минимальные размеры единицы информации (бита), что позволяет существенно повысить плотность записи

Z0 информации.

Устройство управления подвижными изоли25 рованными магнитными цилиндрическими доменами, содержащее тонкий магнитоодноосный кристалл и источник постоянного магнитного поля смещения, отличающееся тем, что, с целью увеличения плотности записи информа30 ции и повышения быстродействия устройства, оно содержит источник света с модулятором света, проектирующий блок и расположенный над магнитоодноосным кристаллом слой фоторезистора с системой электродов, причем про35 ектирующий блок расположен между модулятором света и слоем фоторезистора.

А -А

Устройство управления подвижными Устройство управления подвижными 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Наверх