В которых эффект памяти основан на спин-эффекте (G11C11/16)
G Физика(403185)
G11 Накопление информации(18772)
G11C Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17)
(8290)
G11C11/16 В которых эффект памяти основан на спин-эффекте(54)
Изобретение относится к приборам спинтроники и может быть использовано в информационных системах и радиотехнических устройствах СВЧ-диапазона. Конвертор спинового тока в зарядовый ток содержит образованную на кристаллической подложке гетероструктуру на основе тонких пленок перовскитов переходных металлов, включающую ферромагнитный слой стронций допированного манганита Lа0.7Sr0.3МnО3 и детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrO3, и пленочные металлические электроды, связанные с электрической схемой управления и регистрации напряжения, при этом согласно изобретению гетероструктура имеет планарную геометрию, при этом кристаллическая подложка выполнена из галлата неодима NdGaO3, кристаллографическая плоскость (110) которого совпадает с направлением вектора намагниченности сформированного на подложке слоя манганита Lа0.7Sr0.3МnО3, а детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrО3 нанесен поверх упомянутого слоя манганита, причем пленочные металлические электроды размещены в одной плоскости и расположены на свободной поверхности детектирующего слоя.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении степени надежности хранения информации в ячейке MRAM.
Устройство памяти и система памяти // 2682843
Изобретение относится к области вычислительной техники. Техническим результатом является повышение надежности хранения данных при сохранении высокого быстродействия системы памяти.
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2681344
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении скорости считывания данных.
Изобретение относится к области спинтроники и компьютерных технологий и предназначено для использования в оперативных запоминающих устройствах. Технический результат заключается в увеличении быстродействия устройства.
Магниторезистивное запоминающее устройство // 2653131
Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении сохранности информации в элементах на битовых ячейках магниторезистивной памяти (MRAM).
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2643629
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении включения запоминающего устройства в состав системы без увеличения количества выводов или уменьшения скорости работы.
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2641478
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении количества сдвиговых регистров, используемых для запаздывания.
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2634217
Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам. Техническим результатом является реализация запоминающего устройства, выполненного с возможностью высокоскоростной работы и обладающего большой емкостью.
Полупроводниковое запоминающее устройство // 2618368
Группа изобретений относится к полупроводниковым запоминающим устройствам. Техническим результатом является увеличение скорости работы запоминающего устройства.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потребляемой мощности и времени для считывания и записи.
Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом с улучшенным рассеиванием переключающего поля // 2599956
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в понижении потребления электроэнергии и улучшении рассеивания переключающего поля.
Самоотносимый элемент магнитной оперативной памяти, содержащий синтетический запоминающий слой // 2599948
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении низкого потребления питания и увеличенной скорости при записи и чтении ячейки памяти.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении пониженного тока поля.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении записи и считывания ячейки MRAM с использованием слабого поля записи/считывания.
Магнитный записывающий элемент // 2595588
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении операций записи без наложения внешнего магнитного поля.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении эффективности нагрева магнитного туннельного перехода при минимизации рисков пробоя и старения туннельных барьерных слоев.
Элемент магнитной памяти // 2585578
Группа изобретений относится к магнитозаписываемому элементу и магнитозаписываемому устройству. Магнитозаписываемый элемент содержит набор слоев.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании элемента хранения состояния спина.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении величины спин-поляризованного записывающего тока при магнитосопротивлении 100% или больше.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокого туннельного магнитосопротивления, равного или большего 150%.
Изобретение относится к области электроники, а именно к способу записи и считывания более чем двух битов данных для ячейки магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM). Ячейка MRAM содержит магнитный туннельный переход, образованный из магнитного слоя считывания, имеющего намагниченность считывания, и запоминающий слой, содержащий первый запоминающий ферромагнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания, второй запоминающий ферромагнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания.
Многоуровневый магнитный элемент // 2573205
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении срока службы магнитного элемента за счет снижения тока нагрева, требуемого для нагрева магнитного элемента.
Изобретение относится к схемам матриц ячеек памяти MRAM (Magnetic Random Access Memory) с передачей спинового значения. Технический результат заключается в увеличении плотности размещения отдельных транзисторных структур технологии МОП и запоминающих ячеек матрицы, а также повышении стойкости к нестационарным переходным процессам от воздействия ионизирующих излучений.
Резервированный регистр в многофазном коде // 2486611
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Конструктивное исполнение матрицы битовых ячеек магниторезистивной оперативной памяти (mram) // 2464654
Изобретение относится к битовым ячейкам магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (STT-MRAM). .
Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода. .
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП). .
Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента. .
Изобретение относится к оперативной памяти. .
Элемент датчика, содержащий наномагниты // 2274917
Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам. .
Магнитные материалы // 2244971
Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах. .
Изобретение относится к вычислительной технике. .
Устройство задержки свч-импульсов // 1601641
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах обработки СВЧ-радиосигналов различного назначения. .
Запоминающий элемент // 1332379
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств записи и воспроизведения высокочастотных сигналов. .
Носитель информации // 1022561
Носитель информации // 1021280
Запоминающая матрица // 546934
Запоминающее устройство // 536526
Магнитная ячейка памяти // 520620
