Магнитосопротивление

 

ь -=- .о ОЗняя!

1А" . - . 1, ИЦ. @pe 1-.: ко тена 11Б,,а!

ОП ИСАНИЕ

373б52

Союз Советскик

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 29.71.1971 (,% 1675582/18-10) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 12 111.1973. Ьюллетень ¹ 14

Дата опубликования оп и с а ни я 8Х Ш. Г973

М,Кл. G Olr 27/00

G 0lr 33/00

Комитет по делам ивобретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.317.44:621.317..732 (088.8) -!ВТОР изобретения

10. Н. Жуков

Томский институт радиоэлектроники и электронной техники

Заявитель

МАГН ИТОСОПРОТИВД ЕНИЕ

Изобретение относится к бссконтактным элементам автоматики и датчикам систем визуализации.

Известные высокоэффективные бесконтактные магнитосопротивления (например диск

Корбино или харлоу) не дают возможности фиксировать распределение величины потока

В их плоскости.

Для преобразования прострапствешюго распределенного магнитного потока, проходящего через плоскость, в пространственно распределенную проводимость в той же плоскости и для облегчения визуализации распределения магнитного потока один .из электродов предлагаемого магнитосопротивления выполнен из немагнитного проводящего материала в виде сеточной структуры с ячейками, занолне1гными полупроводниковым .пленочным материалом, при этом в центральную часть каждой ячейки вставлены проводящие электроды — — выводы. Для уменьшения паразитных токов и повышения чувствительности к переменным магнитным полям сеточная структура с ячейками имеет сквозные пазы вдоль каждого ряда ячеек, при этом пазы залиты жестким диэлектрическим компаундом.

На чертеже показано описываемое магнитосопротивление, включающее в себя ячеистый электрод 1, электроды-выводы 2 и полупроводниковые диски 8. Ячеистый электрод 1 вдоль каждого ряда ячеек имеет узкие сквозпыс щели 4, залитые жестким диэлектрическим компаундом.

Размеры ячеистого электрода, количество и размеры его ячеек, а также полупроводниковый материал дисков выбирают, исходя из требований к разрешающей способности и чувствительности предлагаемого магнитосопротивления.

1о Устройство работает следующим образом.

Исследуемый магнитный поток «пронзает» плоскости ячеистого электрода таким ооразом, что через каждую ячейку проходит та пли иная доля этого магнитного потока, вы1б зывая, согласно эффекту Гаусса, соответствующее изменение проводимости полупроводни«ового материала в зоне каждой ячейки. Таким образом, в плоскости ячеистого электрода образуется рельеф проводимостей, Всли1и20 на которого зависит от вели пшы магнитного поля и сВОЙстВ полупрОВОдпи! .ОВОГО материала.

Распределение этой проводимости в плоскости ячеистого электрода будет соответствовать распределению магнитного поля в этой же плоскости, а разрешающая способность зависит от размеров ячеек и их количества.

Подсоеди!1яя, например, измеритель провоДПМОСТИ ОДНИВ! ПОЛЮСОМ 1 ЯЧЕИСТОМ1 ЭЛС1:.TÐÎпу, а вторым поочередно — ко всем элсктро373652

Предмет изобретения

А-А

Составитель Т. Афонина

Техред Л. Богданова

Корректор Л. Царькова

Редактор С. Хейфиц

Заказ 2519 Изд. № 1280 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Обл. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли дам-выводам, можно количественно оценить величину проводимости каждой ячейки, а следовательно, получить информацию о рельефе проводимостей ячеек для всего ячеистого электрода в целом.

Таким образом, через фиксирование рельефа проводимостей можно осуществить и визуализацию пространственного распределения магнитного потока.. 1. Магнитосопротивление, содержащее электроды и расположенную между ними полупроводниковую пластину, отличающееся тем, что, с целью преобразования пространственного распределенного магнитного потока, проходящего через плоскость, в пространственно распределенную проводимость в той же плоскости и с целью облегчепня визуализации распределения магнитного потока, один из элек5 тродов выполнен из немагнитного проводящего материала в виде сеточной структуры с ячейками,заплоненными полупроводниковым пленочным материалом, при этом в центральную часть каждой ячейки вставлены проводя10 щие электроды — выводы.

2. Магнитосопротивление по и. 1, отличающееся тем, что, с целью уменьшения паразитных токов и повышения чувствительности к переменным магнитным полям, сеточная

15 структура с ячейками имеет сквозные пазы вдоль каждга пяда ячеек, при этом пазы зачиты жестким диэлектрическим компаундом.