Интегральный регистр сдвига

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союэ Советскив

Социалистические

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 22.Х1.1971 (№ 1715901/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.IV.1973. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 2З.VI I.1973

М. Кл. 6 11с 19, 00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.377.622,25 (088.8) Авторы изобретения

Л. А. Вьюков, В. Н. Крутиков и В. Г. Фильков й:1 с.."

Заявитель

ИНТЕГРАЛЪНЪ1Й РЕГИСТР СДВИГА

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в телевизионной технике в качестве сканирующего устройства.

Известный интегральный регистр сдвига выполнен на тиристорах, изготовленных на общей полупроводниковой пластине и соединенных через шины с генератором тактовых и м пул ь с о в.

Такой регистр из-за сильной связи между тиристорами требует 4-тактового питания, что усложняет систему разводки и уменьшает процент выхода годных устройств.

Цель изобретения — упрощение устройства.

Для этого промежутки между соседними тиристорами перекрыты МДП-конденсаторами, затворы каждого из которых электрически связаны с эмиттером соседнего тиристора.

На чертеже изображена топология предлагаемого устройства.

Устройство имеет полупроводниковую пластину 1, например п-типа, на которой изготовлен ряд тиристоров 2 — 5. Тиристоры должны быть разделены расстоянием, превосходящим диффузионную длину основных носителей в общей базе для исключения диффузионной связи между ними. Например, для кремния с удельным сопротивлением р=10 олт 1 должна быть равной 150 — 200 лтклт. Толщина общей базы должна превосходить диффузионну ю длину неосновных носителей, чтобы уменьшить коэффициент усиления нижнего составляющего и исключить электрическую связь между тиристорами. Между тиристорами расположены МДП-конденсаторы 6 таким образом, что их затворы перекрывают промежутки между тиристорами.

Толщина слоя окисла 7 должна обеспечить образование каналов проводимости под затворами при напряжениях на них меньших, чем напряжение тиристоров в линии. Для

SiO2, например, она должна составлять

1500 — 2000А. Затворы каждого конденсатора электрически соединены с эмиттером соседнего тиристора. Цифрой 8 на чертеже обозначена металлическая обкладка МДП-конденсатора. Тиристоры через один соединены с тактовыми шинами 9 и 10.

Принцип действия предлагаемого устройства состоит в следующем. Пусть в начальный момент to тактовый импульс подан на шину 9 и тиристор 8 находится во включенном состоянии. В момент tj)to на шину 10 подается тактовый импульс. Так как тиристоры 2 и 4 находятся в состоянии низкой проводимости, то почти все напряжение тактово30 го импульса падает на них, а следовательно, 378962

9 70

Составитель P. Яворовскаа

Техред 3. Тараненко

Корректоры: Е. Давыдкина и М. Коробова

Редактор Э. Иконникова

Заказ 1980/!4 Изд. № 497 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раугпская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 и на связанные с ними МДП-конденсаторы.

Это приводит к возникновению канала инверсии 11 между тиристорами 8 и 4, и р-базы этих тиристоров оказываются связанными каналом проводимости. Дырки из р-базы тиристора 8 через канал 11 попадают в р-базу тиристора 4, что приводит к накоплению заряда в базе и последующему включению тиристора 4. В этот же момент тиристор 8 находится в проводящем состоянии, падение напряжения па нем и связанном с ним

МДП-конденсаторе мало. Есл и толщина окисла выбрана достаточно большой, то при этом напряжении под затвором конденсатора не образуется проводящий канал и связь между тиристорами 2 и 8 будет отсутствовать. Таким образом, обеспечивается однонаправленность передачи сигнала в линии.

В этот же момент 3y)fp на тиристоре 5 падает малое напряжение, так как он соединен с той же шиной, что и тиристор 8, поэтому связь между тиристорами 4 и 5 отсутствует и сигнал не может передаться дальше. После того, как тиристор 4 включился, в момент

4)(т снимается напряжение с шины 9, и тиристор 8 выключается, В дальнейшем процесс повторяется.

Предмет изобретения

Интегральный регистр сдвига на тиристорах, эмиттеры которых соединены с генератором тактовых импульсов, отлича>ощийся тем, что, с целью упрощения устройства, в промежутках между верхними базами тиристоров на полупроводниковой пластине изготовлены МДП-конденсаторы таким образом, что их затворы перекрывают указанные промежутки и электрически связаны с эмиттером соседнего в направлении распространения

О сигнала тиристора.