Способ изготовления заготовок припоя для сборки полупроводниковых приборов

Авторы патента:

H01L21/288 - из жидкости, например способом электролитического осаждения

38III9

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 06,1Х,1971 (K 1697182/26-25) М. Кл. Н 0117/00 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 15Х.1973. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 20Л П. 1973

Комитет по делам изобретений н открытии прн Совете Министров

СССР

УДК 621 382(088.8) Авторы изобретения

Е. В. Кук, Э. К. Белебашев, Д. П. Ловцов, А, H. Думаневич и А. А. Абрамов

Специальное конструкторско-технологическое бюро нестандартизированного оборудования

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАГОТОВОК ПРИПОЯ

ДЛЯ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов.

Известны способы изготовления заготовок припоя для сборки полупроводниковых приборов методом прокатки и вырубки, при которых поверхность заготовок низкотемпературного припоя, например, на основе свинца не обрабатывается для защиты от окисления. Э ги способы не обеспечивают качественной пайки элементов полупроводниковых приборов, поскольку имеющаяся на поверхности припоя пленка окислов не восстанавливается при пайке в водороде (не диссоциирует в вакууме) и препятствует nOJIHOH смачиваемости поверхности. Низкое качество контактов снижает надежность и циклостойкость приборов и повышает их тепловое сопротивление.

Согласно предлагаемому способу, с поверхности прокатанной ленты или вырубленных заготовок удаляется пленка окислов химическим или механическим путем и наносится тонкий слой металла, окислы которого восстанавливаются водородом (например, слой никеля) или диссоциируют (например, слой серебра) при нагреве в процессе пайки до расплавления припоя. Нанесенный металл защищает припой от окисления, а в процессе пайки растворяется в припое. Толщина металлизации определяегся химическим составом припоя. Этот способ обеспечивает хорошее смачивание паяемых поверхностей. Контакт характеризуется высокой надежностью и циклостойкостью, а тепловое сопротивление прибора снижается, Для пайки припоем системы Pb вЂ” In Ag рекомендуется следующий способ подготовки припоя. Ленту припоя состава РЬ+5 /о In, прокатанную до толщины 50 вЂ” 300 лткл, травят

20 вЂ” 40 сек в травителе состава: 3,5 /, Н20а (30% -ной), 3 5% СНзСООН уд. вес.

1,05 г/сма), остальное вода, промывают водой

10 и погружают в гальваническую ванну для нанесения серебра. Толщина покрытия 2 вЂ” 3 лткм.

Затем из ленты вырубают диски припоя весом, обеспечивающим заданную толщину паяного шва, и площадью 5 вЂ” 50О/, от контактной

15 площади сопрягаемых элементов для улучшения непосредственного взаимодействия припоя с поверхностью.

Предмет изобретения

20 Способ изготовления заготовок припоя для сборки полупроводниковых приборов путем прокатки и вырубки материала низкотемпературных припоев, например, на основе свинца, отличающийся. тем, что, с целью снижения

25 теплового сопротивления и повышения надежности и циклостойкости приборов, с прокатанной поверхности удаляют пленку окислов и покрывают ее слоем металла, который при пайке растворяется в припое, а окислы метал30 ла при этом восстанавливаются, например слой никеля.

Способ получения контактных выступов // 315229

Патент 156250 // 156250

Способ изготовления цинко-германиевого поверхностно- барьерного триода // 104970

Способ изготовления контактных медно-окисных выпрямителей // 22817

Способ формирования медных дорожек на диэлектрических подложках // 2295171

Изобретение относится к технологии формирования медных дорожек на диэлектрических подложках

Состав для электрохимического нанесения хромовых покрытий на кремнийсодержащие материалы // 2062525

Изобретение относится к области электрохимиии, в частности к получению хромовых покрытий на полупроводниковых материалах, в частности на кремнии -n и -p типа и силицидах 3d-переходных металлов

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2031479

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов Шоттки

Способ получения электропроводящего полимерного покрытия на подложке // 2035803

Изобретение относится к технологии производства электронной техники и касается нанесения активного диэлектрика или полупроводника на полупроводниковые подложки

// 429483

Электрохимический способ получения тонких слоев сплава теллура с висмутом // 439862

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности // 2539895

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Композиция содержит по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп, с по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида. Способ включает контакт композиции для нанесения металлического покрытия с подложкой, создание плотности тока в подложке в течение времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку. Технический результат: обеспечение заполнения отверстий нанометрового и микрометрового размера без пустот и швов. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил., 8 пр.

Способ электрической пассивации поверхности монокристаллического кремния // 2562991

Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции. Техническим результатом изобретения является уменьшение плотности поверхностных электронных состояний и увеличение эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда на границах раздела «органический слой - диэлектрик» и «диэлектрик - полупроводник». 5 ил., 6 табл., 3 пр.

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора // 2631405

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более. Изобретение обеспечивает получение полевого транзистора, электроды истока и стока которого имеют высокую устойчивость к процессу термообработки и обработке в окислительной атмосфере и имеют низкое удельное электрическое сопротивление, при этом транзистор не требует наличия буферного слоя. 5 н. и 10 з.п. ф-лы, 24 ил., 19 табл.