Избирательный ;?с-усилитель

 

СП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

383200

Союз Советских

Социалистических

Респтблих

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 25.Ч!1.1968 (№ 1257780/26-9) с присоединением заявки № 1257784 26-9

Приоритет

Опубликовано 23.V.1973. Бюллетень ¹ 23

Дата опубликования описания З.Х.1973

М. Кл. Н 03f 1/34

Комитет по делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР Д1 621.375.126.621. .375.13 (088.8) Автор изобретения

В. Н. Яковлев

Заявитель

ИЗБИРАТЕЛЬНЫЙ RC-УСИЛИТЕЛЬ

Изобретение относится K избирательны ii устройспвам и может быть использовано для усиления сигналов промежуточной частоты.

Известно избирательное устройство, содержащее основной усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, и две цепи обратной связи, каждая из которых включает в себя последовательна соединенные фазосдвигающее RC-звено и вспомогательный транзисторный усилительный каскад, при этом в одной из цепей обратной связи транзистор вспомогательного каскада включен по схеме с общим эмиттером, коллектор его подключен к базе транзистора основного усилительного каскада, а коллектор последнего соединен со входом соответствующего фазовращающего RC-звена.

Однако в известном устройстве по условию резонансная частота примерно равна величине, обратной значению постоянной времени RCзвена, и поэтому для достижения низкой резонансной частоты необходимо использоваьч звенья с большим значением сопротивления резисторов, что нежелательно, а при увеличении резонансной частоты до нескольких мегагерц параметры звеньев становятся трудно вы полнимыми.

Целью изобретения является получение устойчивого усиления в широком диапазон= перестройки резонансных частот за счет увеличения сдвига резонансной частоты усилител относительно частоты генерирования.

Это достигается тем, что второе RC-звено включено последовательно с первым во вторую цепь обратной связи, транзистор вспомогательного каскада которой включен также по схеме с общим эмиттером, а его коллектор подключен к коллектору транзистора основного усилительного каскада и к общей для оооНх транзистора в коллекторной нагрузке.

Для получения устойчивого усиления на высоких резонансных частотах в качестве фазосдвигающих звеньев использованы Г-оо разные RC-звенья с конденсатором в параллельном плече, подключенном к общей шин, при этом величина резонансной частоты MHQI больше величины, обратной значению постоянной времени данного звена.

Для,получения устойчивого усиления нз низких резонансных частотах использованы

Г-образные RC-звенья с резистором в параллельном плече, соединенным с общей шиной, при этом величина резонансной частоты много меньше величины, обратной значению постоянной времени данного звена.

Изобретение поясняется чертежами, где на фиг, 1 приведена принципиальная электрическая схема избирательного усилителя, резонансная частота которого много больше величины, обратной значению постоянной времени фазосдвигающей цепи; на фиг. 2 — принци30 пиальная схема избирательного усилителя

383200

15 резонансная частота которого меньше величины, обратной значению постоянной времен; фазосдвигающсго звена.

Избирательный усилитель содержит основной каскад усиления на транзисторе 1, два каскада усиления цепей обратной связи на транзисторах 2, 8, два RC-э вена с конденсатором в параллельном плече, первое из которых состоит из резистора 4 и конденсатора 5, а второе — из резистора б и конденсатора 7, и общую коллекторную нагрузку 8 транзистора 1 и транзистора 8.

Избирательный усилитель (см. фиг. 2) образован из тех же элементов и имеет те же ооозначения, что и на фиг. 1, но Г-образны

RC-звенья в параллельном плече содержаг резистор. Первое из RC-звеньев состоит из конденсатора 5 и резистора 4, второе — из конденсатора 7 и резистора б.

В обоих .избирательных усилителях баз транзистора 1 основного каскада соединена с коллектором транзистора 2 петли обратной связи, база которого через RC-звено на эле ментах 4, 5 подключена к общей коллекторной нагрузке 8, база транзистора 2 соединена с базой транзистора 8 через второе звено на элементах б, 7.

Входное напряжение подается на базу транзистора 1 (Ua см. фиг. 1, 2) усиливается и д вумя цепями обратной связи, первая из которых состоит .из RC-звена на элементах 4, 5 и транзистора 2, а вторая — из RC-звенье.-. на элементах 4, 5, б, 7 и транзистора 8, суммируется на общей коллекторной нагрузке 8 ч поступает на выход усилителя.

Первая цепь обратной связи обеспечивает положительную обратную связь с общим коэффициентом усиления К К, где

KI — коэффициент усиления основного каскада на транзисторе 1; К вЂ” коэффициент усиления каскада на транзисторе 2. Вторая цепь обратной связи обеспечивает отрицательную обратную связь с общим коэффициентом усиления К Кз, где Кз — коэффициент усиления каскада на транзисторе 8.

Избирательный усилитель представляет собой недовозбужденный генератор с двухпетлевой обратной связью на RC-звеньях. При недовозбуждении усилителя на частоте, близкой к частоте генерирования, получается максимальный коэффициент усиления. При изменении частоты в сторону больших или меньших по сра "..снию с резонансной значений коэффициент усиления уменьшается.

Для избир ательного усилителя по <1п г. 1 при увеличении частоIbI по сравнению с резонансной коэффициент передачи четырехполюсника обратной связи, состоящего из двух цепей оС-обратной связи и усилигелей, уменьшается и при неограниченном возг,- т: "-I, частоты стремится к нулю. При это,".I oc" oâ о : усилитель цепью обратной связи пе ox;:àòûsaevc и его коэффициент усиления о".а ы20

60 вается равным коэффициенту К„. При уменьшении частоты по сравнению с резонансной коэффициент передачи четырехполюсника обратной связи увеличивается, но обратная связь при этом отрицательна и поэтому коэффициент усиления усилителя с уменьшением частоты уменьшается.

Резонансный пик частотной характеристики усилителя не совпадает с частотой генерирования. Поскольку часгота генерирования находится на границ полосы пропускания или вне ее, то условия устойчивости усилителя на шим запасом, так как они выполняются и на резонансной частоте, при которой коэффициент обратной связи максимален.

Предмет и "обретения

1. Избирательный RC-усилитель, содержащий основной усилительный каскад на транзисторе, включенном r!o схеме с общим эмиттером, и две цепи параллельно обратной связи, включающих в себя каждая последовательно соединенные фазосдвигающее RC-звеНс н вспомогательный усилительный каскад на транзисторе, при эгом в одной из цепей обратной связи транзистор включен по сх ме с общим эмиттером, коллектор его подключен к базе транзистора основного усилительного каскада, а коллектор последнего соединен со входом соответствующего фазосдвигающего

RC-звена, отличающийся тем, что, с целью получения устойчивого усиления при расширении диапазона перестройки резонансной частоты, оба упомянутых фазосдвигающих RCзвена включены последовательно во вторую цепь обратной связи, транзистор вспомогательного каскада этой цепи включен по схеме с общим эммитером и его коллектор соединен с коллектором транзистора основного усилительного каскада и с общей для обоих транзисторов коллекторной нагрузкой.

2. Избирательный RC-усилитель по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения устойчивого усиления на.высоких резонансных частотах, упомянутые фазосдвигающие RCзвенья выполнены в виде Г-образных RCзвеньев с конденсагором в параллельном плече, соединенным с общей шиной, при этом величина резонансной частоты много больше величины, обратной значению постоянной времени данного звена.

3. Избирательный RC-усилитель по и. 1, отличающийся тем, что, с целью получения устойчивого усиления на низких резонансных частотах, упомянутые фазосдвигающие звенья выполнены в виде Г-образных RC-звеньев с оезистором в параллельном плече, соединенным с общей п инои, и"и этом величина резонаншю ": частоты v, о меньше величины, ооратной;: ачению посг:..- нчой времени данного звена.

383200

Rue 7

Фыа. 2

Составитель Л. Гусева

Текред Л. Грачева

Корректор А. Чуркина

Редактор А. Зиньковский

Типография № 24 Союзполиграфпрома, Москва, 121019, ул. Маркса — Энгельса, 14

Заказ 582 Изд. № 605 Тираж 780 Подписно

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5