Полупроводниковый прибор

 

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе аморфного материала с двумя электродами, отличающи йс я тем, что, с целью обеспечения возможности управления допустимой мощностью и повышения стабильности работы прибора, слой аморфного материала выполнен переменным по толщине, при этом, по крайней мере, один из электродов выполнен из резистивного материала5 а вывод к нему осуществлен в области наибольшей толщины слоя о2„ Прибор попо1, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления пороговым напряжением переключения с помощью электромагнитного излучения, в качестве резистивного материала использован попупроводник.

союз советсних

СОИИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„.SU„„398160

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСВ ВУ

V$ Vg

Š=--- ——

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ пО изОБРетениям и ОтнРытиям

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 1666977/25 (22) 04. 06. 71 (46) 23.09,91. Бюл. N 35 (72) А.Б. Кот и Г.А. Юрлова (53) 621.315.592 (088.8) (54)(57) 1, ПОЛУПРОВОДНИКОВЬЯ ПРИВОР на основе аморфного материала с двумя электродами, о т л и ч а ю щ и йс я тем, ч."о, с целью обеспечения воэможности управления допустимой мощностью и повышения стабильности работы прибора, слой аморфного материала выполнен переменным по толщиИзобретение относится к области полупроводниковой электроники и может использоваться в системах автоматики, радиотехники и вычислительных системах.

Известны полупроводниковые прибоpbl на основе аморфного материала, обладающего S-образной характеристикой и используемого в качестве коммутирующих элементов. Такие приборы в дискретном исполнении могут иметь два, три электрода или выполняться в виде матрицы элементов, представляющей собой, набор дискретных приборов.

Во время работы таких приборов при скачкообразном переходе из состо-. яния с низкой проводимостью в состояние с высокой проводимостью работает только один проводящий канал, вслед. ствие чего имеется ограничение допустимой мощности.

Для увеличения допустимой мощности прибора, а также воэможности . управления ею предложено прибор вы(g1)g Н Oi Н 35/00, Н 01 L 9/04

2 не, при этом, по крайней мере, один из электродов выполнен из резистивного материала, а вывод к нему осуществлен в области наибольшей толщины слоя

2. Прибор по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления пороговым напряжением переключения с помощью электромагнитного излучения, в качестве резистивного материала использован полупроводник. полнить со слоем аморфного материала переменной толщины.

На чертеже изображен предлагаемый полупроводниковый прибор, состоящий из активного элемента 1, выполненного из аморфного материала, например халькогенидного .стекла, с переменной толщиной. По крайней мере один из электродов 2,3 является резистивным, причем вывод 4 к нему подведен в области наибольшей толщины слоя. Материал резистивного .электрода и его форма выбирается в соответствии с теми функцияж, которые прибор должен выполнять.

Принцип действия предложенного устройства состоит в следующем. При подаче разности потенциалов на электроды между ними возникает .электрическое поле где v1 -v — разность потенциалов, 3 98 1бО

d — толщина активного элемента.

В этот момент, когда электрическое поле в узкой части прибора превысит пороговую величину — Е,, часть активного слоя скачкообразно переходит в проводящее состояние и в цепи, указанной на чертеже, идет ток. На резистивном электроде возникает падение напря 1ð жения. Так как величиной тока в проводящем канале можно управлять от нескольких миллиампер до ампера (ограничение. налагает мощность потерь), то изменением напряжения источника питания изменяют распределение потенциала вдоль резистивного слоя, подключая новые каналы, т„е. переводя в низкоомное состояние участки активного элемента, которые в зави†2p симости от материала резистивного слоя и от величины grad d могут быть разделены диэлектрическими прослойками того же материала и не влиять друг на друга. 25

Технолог блески предлагаемый прибор может выполняться электрофоретическим осаждением аморфного материала на резисчинную подложку, на которой создается потенциальный рельеф в соответствии с заданным градиентом толщины. Омические контакты создаются любым известным методом. Для увеличения стабильности работы прибора поверхно сти электродов, прилегающие к активному элементу, шлифуются, это дает возможность сконцентрировать силовые линии электрического поля на микровыступах поверхности и с большей стабильностью ориентировать образование каналов.

В качестве резистивных электродов могут использоваться манганин, константан, окись олова, кремний и другие. Для управления прибором с помощью электромагнитного излучения резистивный электрод выполняют из полупроводниковых кристаллических или аморфных материалов чувствительных как к белому свету, так и к определенным участкам спектра электромаг.нитного излучения.. Конструкция прибора позволяет легко осуществлять известные методы охлаждения, что еще существеннее увеличивает допустимую рабочую мои,ocTF>.