Интегральная ячсика для гшс1и51иниги запол1и н ающего ус i poiici ва
О Й Й-СА(И И-Е
Й 3 О Б Р Е Т Е Й И Я
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетсльства №вЂ”
Кл. G l lc ь7 00 (л 11с 11, 10
Заявлсно 24.VI1.2972 (¹ 1815396/18-24) с присосдинение.;! заявки ¹â€”
Приоритет
Опуб.!икова;(о 03.Х.1973. Е»о. iëåioH= Л - 39
gIBTB oi1j б.!!!i :o iан!!>! описания 11.11,! 9 -1
Гос!!дарственный комитет
Совета Министров СССР па делам изоеретеннй и открытий
Ав Горы изобретс!;! я
A. С. Гиновкер, Г. Ч. Курышев и С. 11. Синица
Заявитель Институт физики г(олупроводников Сибггрского отделения Лll СССР
111П11РАЛЬ11АЯ q 11 111,А Д,Г1, 1 1МС ГМ. 1! Н i О
ЗАПОМ12 ИА1ОЩЕГО УС i Р011С1 ИА
Изобретение относится к области вычисли-! сльной техники.
Известны запоминающие устройства на
МДП-транзисторах, и которых для записи инсрормации используется инжекция горячих электронов. Записанная ш!формация не разрушается при отключении питания и дает возможность многократногo считывания. Однако в аких ус i ройствах невозможна перезапись информации с помощью электрических сигналов. Информация в элементе стирается с помощью ре!пгеновского облучения, что ограничивает область применения прибора.
Кроче того, многокра-! «oe стирание рентгеновским облучением необратимо изменяет характеристики прибора.
Известны также МДП-устро!!ства с электрической перезаписью информации. Они построены на основе П-канального транзистора с двумя затворанти в двухслойной конфигурации, и Р-канального 1ранзистора с дополнительными n++ — p переходоч и двумя затворами в двухслойной конфигурации.
В предложенной ячейке использованы два
МДП-транзистора противоположного типа проводимости с общим плавающим затвором.
Это позволяет улучшить эксплуатационные харакгерис- и!!и ячейки.
Запоминающая ячейка прсдставлеиа на фиг. 1.
Она сос1оит из МДП-транзисторов, выполненных на пласгипс 1 кремния и-типа с кар5 манами 2 р-тии!!. Оба !р!!нзистора их!с!от общий плав liolllllll за-вор 3, выполненный, например, из по il!«plloгал.(!нивского кремния ii отделенный от влас!ииы кремния диэлектрическим слоем 4 двуокиси кремния толщиной
500 — 000 Л. Пляпа!ощий затвор закрыт сверх! Плен«о(х! 5 диэ.!ектГ!икы, liа!1ример пиролитической двуокисью кремния.
На шш!у 6 г!одаетс:i сигнал записи и считы25 ванин. Стск р-капал,iioro !ранзис!ора соединен с ис!о.о i 8 и-каиалыюго транзиссора.
Рассмотри,i робо!у запомни!!!о!цс!! ячейки в схеме включени:., п1>с1!ставленно!! иа фиг. 2.
B ис..одном сос!0(н!ии при нулевом заряде
20 на плава!опием за!воре 3 оба транзистора закрыты, по!енппал иа выходе ячейки неопределен. При подаче импульса отрицательного т!апряжеши на шину 6 в области истокового р-и-перехода первого траизiiciopo происходит
25 пробой и гор.!чис электроны заряжа!от плава!ощи!! затвор 3. При этом 1ранзистор с р-каHàëом открывасiс и выxoäooñ наiiряжсние на выходе 7 — 8 равно пулю. При !юдаче импульса иа шину 6 напряжение через сопро399916
Предмет изобретения
Согтавитег!ь Р, Яворовская
Техред Л. Богданова
Реда к гор Е. Кравцова
Корректор М. Лейзерман
Заказ 203;12 Изд. к! 19 Тираня 576 Подписное
ЦНИ(4ПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раугнская наб., д. 4 5
Типография, пр. Can нова, 2 fèâëåíHå открытого р-канального транзистора попадает па выход 7 — 8, происходит пробой стокового перехода 8 и горячие дырки попадают в плавающий затвор. Плавающий затвор перезаряжается. При это транзистор с !
1-каналом зя крывяетс1!. ((яп() яжея ие па Вь!ходе 7 — 8 равно цапряжешпо питания. Затем цикл записи и стирания информации можпо повторить.
Таким образом, с помощью такой ячейки можно неоднократно производить запись и стирание информации электрическими сигналами.
И!пеграль!!a;I I ei кя для постоянного за ! юмпняющего ус!ройс1вя, содержащая МДП5 транзистор с пл!!вя!Ощих! з;!!вором, отличаю«(алсл тем, что, с целью улучшения эксплуатяциоппых характеристик О1!я содержит Вто рой МДП-транзистор противоположпого типа проводимости, причем оба !ранзпстора имеют
10 общий плава!о!ций за!вор, а сток первого транзистора соединен с пс,оком второго и с в11ходцой шиной, исток первого транзистора соединен с шиной записи — считывания, сток второго — с шиной Ilc!0 шика питания.
