Способ получения кристаллов фотохромного

 

. ==>осюз.. (я

1 иа(т":: 5: ?тэ-тФхнич ; .w» библиекаиа l .":ÁÀ

О Л КСАН и Е 4GQl37

ИЗОБРЕ1ЕН ИЯ

Союз Советски?к

Социалистически?т

Республик

К АВТОРСКОМУ CBVЕ ЕТЕЛЬ ЛЗ"

Ф+"Ф

„4 д

Государстеенний комитет

Сонета Mti?!HGTpQB СССР ее делам изооретений и открытий

Зависимое от авт. сви "(ã,cльства № б

Ел. В 01j I;/00

Заявлено 01.ll.1972 (¹ 1739751/23-20?) с П1?исоединение.;t 3351 B!;H №

Приоритет

Опубликовано 25.i 1.197>1. Ьюл.?стен:.,s,:> 7

Дата оп !бликования отпсзния 3. (11.1 .1!. ..1 "э(088 ) Anòîðы изобретения

Ш. А. Вахидов, М, A. Вахидог"., А. H. Лобачев, О. V,. Мельников и H. С. Триодииа

Институт ядерной физики АИ Узбекской ССР и Ордена Трудсгого

Красного Знамени институт кристаллограф?!?! им. A. В. Шубникова

3?!явители

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ФОТОХРОЧКОГО

СОДАЛ ИТА

П р е,>! H c 1 н 3 О б р е т e li и,(1

Изобретение относится к спссобам полу!ения кристаллов фотохромного ссдалита, которые могут использоваться в виде псликрнcTB.tIJIoB для покрытия экранов запом;шаю щих электрош!олучевых трубок и и ви.;с нокр иста !!лов дл(! Записи 7 эехмерн ых Гол>1грамм и создания Oti ? ческих фото:.рс. lil!>i . я .Ce>(пам5! Г?!.

Известен способ получен?!я кристаллов фсTOs(POMtI0I 0 СОДЯЛИТа> т!О КОТОР I>115! КР I!СТ;!, >,1 Ь? 1Р содалита, содер?кащнс определснныс Itptutccn, прокаливают в инертной атмосфере прн температуре выше 800 С или бо!!бард??ру!ОГ электронами при 100 кв.

Однако этим способом невозможно 110 !с- 15 ние крупных фотохромных монокрнс Г!!.7Г!Ов содалита, высокотсмпературная оср;?бо71 . в инертной атмосфере и введение посторонни: стимулирующих примесей.

Для обсспс ?ешш воза!0?к ности г50збу? (лс- ð ния кристаллов во всем об!.сме и упрон. .с!!пя процесса предлагас7ся образны крис7а;lл?!чсскОГО содали i 1 Оол> ча! ь ?!Он?131?р„ . 10щи,\! 113 лученисм, в качестве которого использсва ь элсктромагни i ные излучения или быстрые

5i)Iсрные ?астины.

П р и м с р 1. Монокрпсталл гидросодали.га размером 20Х20Х20 мм помешают в поле.?б-излучени". изс7 спа Сс" мощностью радиации 3000 ре? .:, сек. В . >?свис 4? час при 70 С всем oo:>c ;c >.!Онскриста,7 I;1 co;in lита обpH3) I0TC.I ф>гl(, ГO:>lttlнс 1(C!tTpbt и ПЛОТПОСГЬ

ОК17ас!(11 IIРli м!!1>(нм1 .5!с 110>70сы il0!, 101!1(111151

> . = — 530 и м сост;l в, 1 .. е б L3 == — -1 О.

П р и м с р 2. >>,Он(к; с>алиную 17лас 1 иву

Гидроссд б 1 li i;1 т:„7 ill li!10i; 1

1?еактор с i. .0!! li(!c б?ПО питокз ней i polton

1,8 10" и c-.>?е.сск. В тс:сш:е 23 час нпи 40 С иc>:07,tit!й 1:.1)11>,. >,I,7 0?.>П11нпв;1ст(i;lo плотности D=2.

1. Способ полу?ения кри?стал IOn фот(хромНОГО CO.т:!.!ii I 1, 0 Т,Л it б!;1 10 tll, il 11 C ", Т(.">t, ITO, с цель!0 Обсспс ?с!ii!ii ВОЗмсгкности всзбу?кдения крисналлсв пс вс(.,1 обьс lc и унро!1?еillisl процесса, образцы кристалл нчссксг0 с(п(1.7èта облучаются нопнзпруtntöïì излучением.

2. Сносоо 110 и. 1, отличающийся тем, что в качестве ионизирующего излучения испо:lьзуlот ?кест?(ие 3.7ектро .>!Пгнитнь?е излучеHl s>.

3. Способ по и. 1, Отл и ч а 10 иl и йс я тек!> что в ка?сствс ионизируя!цсго нзлучсш!я используют быстрые ядерные частицы,

Способ получения кристаллов фотохромного 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO) и позволяет выращивать крупные кристаллы диаметром 65-70 мм и длиной до 40-45 мм высокого оптического качества без включений и свилей, пригодных для изготовления оптических элементов

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава
Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей

Изобретение относится к области радиационных технологий, преимущественно к нейтронно-трансмутационному легированию (НТЛ) полупроводников, и может быть использовано для определения концентрации легирующей примеси (т.е

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК
Наверх