Шихта для выращивания монокристаллов гексаферрита baamgafeioozs

 

ОП ИКАНИЕ, ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ЗУ7477

Союз Советских

Социалистических

Респубиик Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 02.IU.1971 (№ 1639258/23-26) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 17.IХ.1973. Бюллетень ¹ 37

Дата опубликования описания 29.1.1974

М. Кл. С Olg 49/00

В 01 17/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий

УДК 546.723.07: 548..55(088.8) Авторы изобретения P И, Зверева, М. А. Винник, В. В. Филиппов и Д. Е. Громзин

Заявитель

ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ГЕКСАФЕРРИТА ВаеМдеFe...O>:

Изооретение относится к получению

ВаеМде1 е еОее ферромагнитных гексагональных монокристаллических материалов, применяемых в различных сверхвысокочастотных устройствах миллиметрового диапазона длин волн.

Известна шихта для выращивания монокристаллов гексаферрита 2 +g2Fe12O22 на основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего растворитель. При этом отмечается малая магнитная добротность монокристаллов. Для получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью (ЛН (30 э) предлагается в качестве соединения, образующего растворитель использовать окись бора, а исходные компоненты брать в следующих отношениях (в вес. 7о):

О,кись железа 30,9 — 31,0

Углекислый барий 58,2 — 58,0

Окись магния 2,5 — 2,6

Окись бора 8,3 — 8,5

Пример. Смесь исходных компонентов, состоящую из Fe203, ВаСОз, МдО и ВеО.,— взятых в отношениях (в вес. %):

Fe2O3 31,0

ВаСОз 58,0

XgO 2,5

ВеОз 8,5 подвергают вибропомолу н помещают в печь для выращивания монокрнсталлов. Печь нагревают до температуры 1310 С со скоростью

50 С)час и выдерживают йри этой температуре в течение 24 час. Охлаждеш1с расплава производят со скоростью 0,5 — -1 Ñ/÷àñ до

800 С, затем печь отключают. Из застывшего раствора извлекают монокристаллы кипячением в разбавленной азотной кислоте. Полученные монокристаллы имеют форму гексаго10 нальных пластин, намагниченность насыщения 1490 гс, поле аннзотропии 9800 э, ширина линии ферромагнитного резонанса 28 э, температура Кюри 280 С.

Предмет изобретения

Шихта для выращивания монокристаллов гексаферрнта Ва.МдеГе еОее на основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего р астворитель, отли20 чаюи1аяся тем, что, с целью получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью (ЛН (30 э), в качестве соединения, образующего растворитель, используют окись бора, а исходные компоненты берут в сле25 дующих соотношениях (вес. o):

Окись железа 30,9 — 31,0

Углскнслы и ба рз1 и 58,0 — 58,2

Окись магния 2,5 — 2,6

Окись бора 8,3 — 8,5