Патент ссср 414594
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
4l4594
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 24.1V.1972 (№ 1777297/18-24) с присоединением заявки ¹â€”
Приоритет—
Опубликовано 05.11.1974. Бюллетень ¹ 5
Дата опубликования описания 20.VI.1974
М. Кл. G 06д 7/12
Гасударственный квинтет
Совета Министров СССР оо делам иаооретений и OTICpblTNII
УДК 681.335 4(088.8) Автор изобретения
В. Е. Прокофьев
Харьковский ордена Ленина политехнический институт им. В. И. Ленина
Заявитель
ЛИНЕЙНАЯ УПРАВЛЯЕМАЯ ПРОВОДИМ
Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники.
Известны устройства с управляемым коэффициентом передачи, содержащие транзистор, например, МОП-структуры, дифференциальный операционный усилитель и резисторы.
Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем выход операционного усилителя соединен с затвором транзистора, который через первый резистор соединен с вычитающим входом операционного усилителя, подключенного через второй и третий резисторы соответственно к управляю*цему и питающему входам устройства, а суммирующий вход операционного усилителя через четвертый и пятый резисторы соединен соответственно с истоком и стоком тразистора и через шестой резистор подключен к шине нулевого потенциала. Причем подложка транзистора через седьмой и восьмой резисторы соединена соответственно с истоком и стоком транзистора.
Это позволило упростить устройство и повысить его точность.
Блок-схема устройства приведена на чертеже.
Устройство содержит транзистор 1, дифференциальный операционный усилитель 2 и резисторы 3 — 10.
Переход «сток †ист» транзистора 1 используется в качестве управляемой проводимости, велич ша которои изменяется в зависимости от потенциала затвора (. ь поступаю5 щего с выхода усилителя 2.
Резисторы 10, 9 пспользуloTcn в качестве делителя нап13яжепи я, к среднеи точке кото рого подключена по1лаи ка транзистора 1.
Это позволяет использовать проводимость в
10 цепях со знакоперс ленным напряжением.
Вольт-амперные характеристики МОП1ранзистора 1 при работе в омической области описываются уравнением.
I, = Ki(U,„— U„U„, — 0,5U„,), (1) где U,,,-,= U,— Ä— напряжение между затворам и истоком;
U„» U,— Ä— напряжение между стокам и истоком;
20 /„У„, U, — соответственно потенциала затвора, истока, стока;
U — пороговое напряжение на затворе, при котором появляется ток стока !;;
li — коэффициент пропорциональности, имеющий размерность проводимости и зависящий от
30 свойств транзистора.
41;j п94 си U,„— U„l 0,5и,„; U,„.-о.
1 у îï
Со«таппптсль IG. Козлов
Техред Т. Ускова
Корректор Г. Филатова
Редактор Л. Утехина
Заказ r368j8 Пзд. № 485 Тираж 624 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4г5
Типография, пр. Сапунова, 2
Причем вольт-амперпые характеристики
- = f ((Гсп, «уап) явлгпотся асимметричными и нс. ппсйпыми. Проводимость имеет симметричную лппейну о вольт-амперпую характерис èêó, величина которой rre зависит от потепппалов U,, LrÄ » пропорциональна величине апряжепия управления — У;.
Потенциал затвора U, действу.оший на выходе усилителя 2, равен
U, == — (Ц+У,„)+0,5(U,+U„), (2) где U; — напряжение управления;
U„= — — К, — опорное напряжение.
Выражение (2) выполняется в том случае, когда резисторы 3 — 7 одинаковы по величине номинала R) 1 мгома, а резистор 8 имеет величину 0,25 R.
С учетом выражения (2) выражение (1) запишется так
1, .=. К I(U, — U„— U,„) (U, — U„)— — 0,5(U,— U„) )==. — К.U,(U, UÄ) -« — КУу U,„.
Таким образом, если управление величиной проводимости осуществлять отрицательным нап1зяжеппем — Ь-,, ве r:r rrrH>r npovo)trr rocr rr линейно зависит от U,,- и нс зависит от потенциалов U« и U„-;
Выражения (3), (4) имеют место при вы полнении условий:
Если подложка транзистора 1 изолирована, то приведенная схема управляемой проводимости может работать в цепях со знакоперемснным напряжением U„,. Однако прп этом
5 транзистор 1 черезвычайно чувствителен к внешним помехам, что вызывает необходимость экранировать его. С целью исключения этого, подложка транзистора 1 подключена к средней точке делителя, составленного из ре10 зисторов 9, 10, в качестве которых должны быгь использованы сопротивления очень большой величины, чтобы исключить шунтирование сопротивления сток — исток транзистора 1.
15 Предмет изобретения
Линейная управляемая проводимость, содержащая транзистор, например, МОП-структуры, дифференциальный операционный уси20 ли1ель и резисторы, отл ич а юща я с я тем, :то, с целью повышения точности и упрощения устройства, в пей выход операционного усилителя соединен с затвором транзистора, который через первый резистор соединен с
25 вычигающи;t входом операционного усилителя, подключенного через второй и третий резисторы соответственно к управляющему и питающему входам устройства, а суммируюгций вход операционного усилителя через
30 чствертьш и пятый резисторы соединен соответственно с истоком и стоком транзистора и через шестой резистор подкл|очен к шине нулевого потенциала; причем подложка транзистора через седьмой и восьмой резисторы
35 соединена соответственно с истоком и стоком транзистора.
