Патент ссср 416329

 

гнои)вн,.

"®ГЕИтНО-т

-т х!!нче

G jj1 N C A H R R

416329 (о1ов Советских

Социалистических

Республик

ИЗСБРЕТЕ Н ИЯ

Е ABTGtj СКОМУ CBHQE ji EBbCTBV

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 24.XII.1971 (№ 1728406 26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 25.11.1974. Бюллетень Х 7

Дата опубликования описания 05.07.1974

М, Кл. С 04Ь 35/00

С 23с 13/04

Государственно!й комитет

Совета Министров СССР ао делам изооретений и открытий

УДК 621.315.612 (ОЯЯ.Я) Авторы изобретения

Г. А. Куров, H. A. Астахова и 3. А, Жильков

Московский инсти1ут электронной техники

Заявитель

КЕ!)АМЯ!1Е1.КГ!! 4 МАТЕ1 1тАА

80 — 90

10 — 20

Ba TiO„.— Bi.,Т1зО!о

GeCO>

80 — 90

10 — 20

В а Т10з — В1зТ 1 з О беСО, Изобретение o «octITc:l и керамн ес1;и;i;it;iтериалам для получения пленок с Высокой диэлектрической проницаемостью и может быть использовано при изготовлении конденсаторов с высокой удельной ек!Кост1.1о методом вакуумного испарения.

Известен керамический материал на основс

ВаТ!Оз — — В1з fi>OI> преимущес1венно для получения диэлектрических пленок с высокой диэлек1ри 1еской проницаемост1н.

Однако при получении из этого матсриала диэлектрических пленок в вакууме необходима высокая температура начала кристаллизации полученной пленки прн ее отжиге на воздухе (500 †C С). Эти температуры трудно совместимы с технологией изго1ов.!ения пленочшлх конденса оров в гибридных интегральных схемах.

11ел1. изобретения — повышение температуPtt НаЧаЛа КРНСта.члиэа«ПИ ПЛЕНОК ПРИ ИХ Отжиге на Воздухе.

Поставленная пель достигается тем, что в известный керамичес1;ий материал введен беСО,; при следу1ощем коли !ественно)! СОО1НОН1Е«111! EiCХ<) IllÛÕ;КОМПОНЕНТОВ, (ВЕС. /!) ):

j jot.j)t*)Ipi", бpj)) i „срамику ВаТ!Оз — В!зТ1зО! у (85 Вес. „;), изме)!«чаю! ес, тщательно персмешнt«lloT с добавлепныM порошком беСО, (15 Вес. о/ ) и засыпают в внбробункср в ваку у м ной установке. ! (нэлекiри !ескне пленки, полученные методом днскреt ttot0 нспарешгя в вакууме на ос«ОВе кс))аз!ическОГО материала предлаГаемОГО

ii )IClO i i с. tt 1«..j):t !уj)It,It ttitала kj)ИCTВЛ.TEIlO tattEt» прн нх !)!)инге на воздухе 300 — 400 C.

Э l н те i!lip))а1у!)11 !. Овк!Сстик!ы с тсхнолОГЕгеи ! зготов lciitlli и 1ciloчных конденсаторов гибридныхх ни е! р альп ь1 х схех!.

Предмет изобретения

Керамн tpcIEttji материал на основе ВВТ10з—

В!з) 1,О!., «РснмУЩестве!шо Длн полУчсннЯ Днэлек Г1)н 1сскitv 1 iciioi; с ВысОкОЙ диэлек t pEI te20 ской п))оннцаск!Осlhlo, 0 т л EI ч а ю н1 и ll с:1 тем, что, с целью пони)кенни температуры li;lчала кристаллиз lttiill пленок прн нх отжнгс на воздухе, В него Введен беСОз при следующем количестве !Воя соотношении исходных компо25 1ентов (веc. )